公开(公告)号：CN1691283A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200410104180.4

申请日：2004-12-30

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金敏浩 ,  小池正好 ,  咸宪柱

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明披露了一种生长氮化物单晶层的方法、以及利用该方法制造发光装置的方法。生长氮化物单晶层的方法包括以下步骤：制备具有晶面(111)的上表面的硅基片；在硅基片的上表面形成具有化学式SixGe1－x的缓冲层(其中0＜x≤1)；以及在缓冲层上形成氮化物单晶。此外，本发明还披露了一种通过该方法制造的利用该方法的氮化物发光装置、以及制造该氮化物发光装置的方法。

公开(公告)号：CN1801459A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510105377.4

申请日：2005-09-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李秀敏 ,  小池正好 ,  金澈圭 ,  张成焕 ,  金敏浩

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B29/64 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明公开了一种用于制造基于氮化物的单晶衬底的方法和装置。该方法包括：将预备衬底放置在反应室中所安装的基座上；在预备衬底上生长氮化物单晶层；以及进行激光束照射，以在将预备衬底放入反应室的条件下，将氮化物单晶层与预备衬底分离。

公开(公告)号：CN1893128A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610002964.5

申请日：2006-01-26

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金敏浩 ,  闵庚瀷 ,  小池正好

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种氮化物发光装置，该发光装置包括第一和第二导电型氮化物层以及多个发射不同波长的光的活性区。该活性区依次形成在该第一和第二导电型氮化物层之间。该活性区包括至少一个具有多个第一量子阻挡层和量子势阱层的第一活性区，以及发射波长大于该第一活性区的波长的光的第二活性区。该第二活性区具有多个第二量子阻挡层和至少一个形成在多个第二量子阻挡层之间的不连续的量子势阱结构。不连续的量子势阱结构包括多个量子点或量子晶体。

公开(公告)号：CN1874017A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610083100.0

申请日：2006-05-31

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金敏浩 ,  小池正好 ,  闵庚瀷 ,  赵明洙

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L25/0756 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及使用晶片结合或金属结合的单片白光发射器件。在本发明中，设置了导电底座衬底。第一发光体通过金属层结合到导电底座衬底上。在第一发光体中，由底到顶依次层叠了p型氮化物半导体层、第一有源层、n型氮化物半导体层、和导电衬底。另外，第二发光体形成在导电衬底的部分区域上。在第二发光体中，由底到顶依次层叠了p型基于AlGaInP的半导体层、有源层和n型基于AlGaInP的半导体层。另外，p电极形成在导电底座衬底的底面上，以及n电极形成在n型基于AlGaInP的半导体层的上表面上。

公开(公告)号：CN100561759C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610083100.0

申请日：2006-05-31

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金敏浩 ,  小池正好 ,  闵庚瀷 ,  赵明洙

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L25/0756 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及使用晶片结合或金属结合的单片白光发射器件。在本发明中，设置了导电底座衬底。第一发光体通过金属层结合到导电底座衬底上。在第一发光体中，由底到顶依次层叠了p型氮化物半导体层、第一有源层、n型氮化物半导体层、和导电衬底。另外，第二发光体形成在导电衬底的部分区域上。在第二发光体中，由底到顶依次层叠了p型基于AlGaInP的半导体层、有源层和n型基于AlGaInP的半导体层。另外，p电极形成在导电底座衬底的底面上，以及n电极形成在n型基于AlGaInP的半导体层的上表面上，其中，第一发光体的导电衬底的部分区域小于导电衬底的剩余顶部区域。

公开(公告)号：CN100352002C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200410104180.4

申请日：2004-12-30

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金敏浩 ,  小池正好 ,  咸宪柱

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明披露了一种生长氮化物单晶层的方法、以及利用该方法制造发光装置的方法。生长氮化物单晶层的方法包括以下步骤：制备具有晶面(111)的上表面的硅基片；在硅基片的上表面形成具有化学式SixGe1-x的缓冲层(其中0＜x≤1)；以及在缓冲层上形成氮化物单晶。此外，本发明还披露了一种通过该方法制造的利用该方法的氮化物发光装置、以及制造该氮化物发光装置的方法。