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公开(公告)号：CN116366020A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211657436.9
申请日：2022-12-22
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本公开提供一种体声波谐振器和滤波器，所述体声波谐振器包括：基板；频率控制层，根据所述频率控制层的厚度改变所述体声波谐振器的谐振频率或反谐振频率；压电层，设置在所述频率控制层和所述基板之间；第一电极，设置在所述压电层和所述基板之间；第二电极，设置在所述压电层和所述频率控制层之间；金属层，连接到所述第一电极或所述第二电极；以及保护层，设置在所述第二电极和所述频率控制层之间，其中，所述频率控制层覆盖比所述保护层的面积大的面积。
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公开(公告)号：CN110504936A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910404727.9
申请日：2019-05-16
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本公开提供一种体声波谐振器及其制造方法，所述体声波谐振器包括：基板；下电极，设置在所述基板上；压电层，被设置为覆盖所述下电极的至少一部分；上电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分；以及钝化层，被设置为覆盖所述上电极的至少一部分，其中，所述钝化层包括非修整加工部，所述非修整加工部设置在所述体声波谐振器的有效区的外部，并且所述非修整加工部的厚度比所述钝化层的设置在所述有效区中的部分的厚度厚，其中，所述有效区叠置有所述下电极的部分、所述压电层的部分和所述上电极的部分。
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公开(公告)号：CN110504936B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201910404727.9
申请日：2019-05-16
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本公开提供一种体声波谐振器及其制造方法，所述体声波谐振器包括：基板；下电极，设置在所述基板上；压电层，被设置为覆盖所述下电极的至少一部分；上电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分；以及钝化层，被设置为覆盖所述上电极的至少一部分，其中，所述钝化层包括非修整加工部，所述非修整加工部设置在所述体声波谐振器的有效区的外部，并且所述非修整加工部的厚度比所述钝化层的设置在所述有效区中的部分的厚度厚，其中，所述有效区叠置有所述下电极的部分、所述压电层的部分和所述上电极的部分。
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公开(公告)号：CN117674755A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202310467838.0
申请日：2023-04-27
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本公开提供一种体声波谐振器以及体声波谐振器制造方法。所述体声波(BAW)谐振器包括中央部分和延伸部分，在所述中央部分中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠在基板上，所述延伸部分从所述中央部分向外延伸，并且插入层和防损膜在所述延伸部分中设置在所述基板与所述第二电极之间。所述防损膜形成为具有 至 的厚度。所述插入层堆叠在所述防损膜上，并且具有与所述中央部分相对的侧表面，所述侧表面形成为具有第一倾斜角度的第一倾斜表面。所述防损膜具有与所述中央部分相对的侧表面，所述防损膜的所述侧表面形成为具有第二倾斜角度的第二倾斜表面。所述第二倾斜角度形成为大于所述第一倾斜角度。
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公开(公告)号：CN108336982B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201810039429.X
申请日：2018-01-16
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本发明提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器，包括：基板；膜层，与所述基板一起形成腔；下电极，设置在所述膜层上；压电层，设置在所述下电极的平坦表面上；以及上电极，覆盖所述压电层的部分并使所述压电层的侧部暴露于空气，其中，所述压电层包括台阶部，所述台阶部从所述压电层的所述侧部延伸并设置在所述下电极的所述平坦表面上。
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公开(公告)号：CN108123695B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201711211798.4
申请日：2017-11-28
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本发明提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：膜层，与基板一起形成腔；下电极，设置在所述膜层上；压电层，设置在所述下电极的平坦表面上；以及上电极，覆盖所述压电层的一部分。所述压电层的侧部的整个区域暴露于空气。所述压电层的所述侧部相对于所述下电极的顶表面具有65°到90°的倾斜度。
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公开(公告)号：CN112468107A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010893238.7
申请日：2020-08-31
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本公开提供一种体声波谐振器和滤波器装置，所述体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；压电层，设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；第二电极，设置为覆盖所述压电层的至少一部分；以及插入层，设置在所述压电层的部分区域之下。所述第一电极在有效区中的厚度小于所述第一电极在所述有效区之外的区域中的厚度，在所述有效区中，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极彼此重叠。所述插入层的内侧表面的倾斜角度与所述插入层的外侧表面的倾斜角度不同。
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公开(公告)号：CN103021874A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210364778.1
申请日：2012-09-26
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/498
CPC分类号： H01L24/81
摘要： 本发明公开了一种半导体芯片封装及用于制造该半导体芯片封装的方法。根据本发明的一个示例性实施例，用于使用Sn镀覆来制造半导体芯片封装的方法包括：（a）在形成在IC基板上的凸块垫上形成Sn基金属镀覆层；（b）在裸芯片的电极垫上形成Cu填料；（c）将裸芯片的Cu填料设置在IC基板的金属镀覆层上并使Cu填料和金属镀覆层彼此结合；以及（d）用绝缘体填充彼此结合的IC基板和裸芯片之间的空间。此外，半导体芯片封装由该方法制造。
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公开(公告)号：CN102373447A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110032639.4
申请日：2011-01-27
申请人： 三星电机株式会社
CPC分类号： C23C18/48 , H05K3/244 , H05K3/3436
摘要： 本发明提供了一种用于形成锡合金的镀敷溶液以及通过使用该镀敷溶液形成锡合金膜的方法。本发明提供了用于形成锡合金的镀敷溶液，所述镀敷溶液包含锡盐和各自包含铟或锌的一种以上金属盐、以及选自硼氢化物化合物中的至少一种还原剂，所述还原剂将电子提供给所述金属盐的金属离子和所述锡盐的锡离子以在待镀敷的物体上形成锡合金膜。
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