体声波谐振器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111510095B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN201910552688.7

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器,所述体声波谐振器包括:基板;膜层,与所述基板形成腔;第一电极,至少部分地设置在所述腔的上部上并且包括比所述第一电极的其他部分厚的端部部分;插入层,包括邻近所述第一电极的所述端部部分设置的第一部分和设置在所述第一电极的上部上的第二部分;压电层,设置为覆盖所述插入层;以及第二电极,设置在所述压电层的上部上。

    体声波谐振器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108964628B

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN201810001918.6

    申请日:2018-01-02

    Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括具有第一过孔和第二过孔的基板、下电极连接构件、下电极、压电层、上电极和与所述下电极连接构件分开的上电极连接构件。所述下电极、所述压电层和所述上电极构成谐振部。所述下电极连接构件将所述下电极电连接到所述第一过孔并支撑所述谐振部的第一边缘部。所述上电极连接构件将所述上电极电连接到所述第二过孔并支撑所述谐振部的第二边缘部。所述上电极连接构件和所述下电极连接构件中的任意一者或两者包括连接到设置在所述谐振部下方的所述第一过孔和所述第二过孔中的相应的一个的相应的延伸部。

    体声波滤波器装置及制造该体声波滤波器装置的方法

    公开(公告)号:CN107623500B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201710564814.1

    申请日:2017-07-12

    Abstract: 本发明提供一种体声波滤波器装置及制造该体声波滤波器装置的方法。所述体声波滤波器装置包括:第一层,与基板一起形成气隙;下电极,设置在所述第一层之上;压电层,设置为覆盖所述下电极的一部分;上电极,设置在所述压电层之上;框架层,设置在所述上电极之上或者之下;以及下电极增强层,设置在所述下电极的除了设置有所述压电层的部分之外的部分上。所述下电极增强层通过在形成所述上电极时使所述下电极增强层与所述上电极分开而形成或者通过在形成所述框架层时使所述下电极增强层与所述框架层分开而形成。

    体声波滤波器装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107592091B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201710532587.4

    申请日:2017-07-03

    Abstract: 本公开提供一种体声波滤波器装置及其制造方法,所述体声波滤波器装置包括:基板;下电极,在所述基板上;压电层,覆盖所述下电极的至少部分;及上电极,覆盖所述压电层的至少部分。所述上电极具有密度减小层,所述密度减小层设置在所述上电极的除所述体声波滤波器装置的谐振区的中央部分之外的至少部分上,所述体声波滤波器装置的谐振区在所述压电层的激发过程中随着所述压电层变形和振动。所述密度减小层的密度小于所述上电极的其他部分的密度。

    体声波滤波器装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107592091A

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201710532587.4

    申请日:2017-07-03

    Abstract: 本公开提供一种体声波滤波器装置及其制造方法,所述体声波滤波器装置包括:基板;下电极,在所述基板上;压电层,覆盖所述下电极的至少部分;及上电极,覆盖所述压电层的至少部分。所述上电极具有密度减小层,所述密度减小层设置在所述上电极的除所述体声波滤波器装置的谐振区的中央部分之外的至少部分上,所述体声波滤波器装置的谐振区在所述压电层的激发过程中随着所述压电层变形和振动。所述密度减小层的密度小于所述上电极的其他部分的密度。

    散热基板
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102469753A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110105846.8

    申请日:2011-04-26

    CPC classification number: H05K1/053 H05K2201/0338 H05K2203/0315

    Abstract: 为了改进散热特性,此处公开了一种散热基板。该散热基板包括:具有预定厚度的铜层;在铜层的上表面和下表面上形成的阳极氧化绝缘层;以及在铜层和阳极氧化绝缘层之间形成的铝(Al)层。因此,改进了由铝(Al)层和铜(Cu)层组成的基体的散热功能,从而能够提供一种适用于高集成/高性能电子元件的高输出金属基板。

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