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公开(公告)号:CN102130148A
公开(公告)日:2011-07-20
申请号:CN201010611866.8
申请日:2010-12-21
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/326 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管显示器。有机发光二极管显示器包括:基底主体,具有多个像素区域,每个像素区域包括不透明区域和透明区域;有机发光二极管、薄膜晶体管和导线,形成在基底主体的不透明区域中。透明区域包括面积为像素区域的整个面积的至少15%的透明正方形空间。
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公开(公告)号:CN102683382A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201210030495.3
申请日:2012-02-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1255 , H01L27/3248 , H01L27/3265 , H01L51/5212 , H01L2227/323
Abstract: 本公开涉及有机发光显示装置和制造所述有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置包括有机发光装置;电连接至所述有机发光装置的薄膜晶体管(TFT);和电连接至所述有机发光装置的电容器,所述电容器包括彼此相对的第一电极层和第二电极层,以及作为单层插入在所述第一电极层和所述第二电极层之间的第一绝缘层。
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公开(公告)号:CN102163616A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201110039434.9
申请日:2011-02-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3262
Abstract: 一种有机发光显示设备,包括:形成在基板上的栅电极;形成在所述栅电极上的第一绝缘层;形成在所述第一绝缘层上与所述栅电极面对的有源层;形成在所述第一绝缘层上具有暴露出所述有源层的第一开口的第二绝缘层;形成在所述第二绝缘层上的源/漏电极,以便通过所述第一开口连接到所述有源层的暴露部分;以及形成在所述有源层上并接触所述第二绝缘层的金属层。
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公开(公告)号:CN102122665A
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN201010585318.2
申请日:2010-12-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L51/56
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/3244 , H01L51/5253 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括:基板;位于所述基板上的多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管包括有源层;位于所述薄膜晶体管上的平坦化层;位于所述平坦化层上并且电连接至一薄膜晶体管的第一电极;以及位于所述平坦化层上的离子阻挡层,所述离子阻挡层与所述有源层重叠。
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公开(公告)号:CN101626036A
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200910133952.X
申请日:2009-04-14
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L23/52 , H01L29/227 , H01L21/336 , H01L21/768 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L29/26
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。所述薄膜晶体管包括:形成在基板上的栅极;形成在所述栅极上的栅绝缘膜;形成在所述栅绝缘膜上的有源层;形成在所述有源层上包括化合物半导体氧化物的钝化层;以及与所述有源层接触的源极和漏极。
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公开(公告)号:CN101794819A
公开(公告)日:2010-08-04
申请号:CN201010002378.7
申请日:2010-01-12
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/3262 , H01L29/78606
Abstract: 一种具有含氧的化合物半导体作为活化层的薄膜晶体管,制备所述薄膜晶体管的方法和具有所述薄膜晶体管的平板显示装置,其中所述薄膜晶体管包括:形成在基板上的栅极;活化层,所述活化层形成在所述栅极上,通过栅绝缘膜与所述栅极绝缘,并由含氧的化合物半导体形成;形成在所述活化层上的钝化层;和形成为与所述活化层接触的源极和漏极,形成所述源极和所述漏极以,其中所述钝化层包括钛的氧化物(TiOx)或钛的氮氧化物(TiOxNy)。
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