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公开(公告)号:CN1874023B
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN200610093471.7
申请日:2006-05-24
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/283 , H01L51/0017 , H01L51/0036 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种防止有机半导体层的表面损坏并减小关断电流的有机薄膜晶体管及其制造方法,和一种结合该有机薄膜晶体管的有机发光器件。有机薄膜晶体管包括衬底、在衬底上设置的源和漏电极、接触源和漏电极并包括沟道区的半导体层、在半导体层上设置的且具有与半导体层相同的图形的保护膜,该保护膜包括激光吸收材料、设置在栅和源和漏电极之间的栅绝缘膜、设置在栅绝缘膜上的栅电极、以及在半导体层和保护膜内设置的分离图形,该分离图形适于限定半导体层的沟道区。
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公开(公告)号:CN101794809A
公开(公告)日:2010-08-04
申请号:CN201010002358.X
申请日:2010-01-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/38
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L2251/305
Abstract: 本发明公开一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括具有以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层被堆叠的结构形成的有源层的驱动单元的薄膜晶体管、具有由所述第二氧化物半导体层形成的有源层的像素单元的薄膜晶体管、以及被连接至所述像素单元的薄膜晶体管的有机发光二极管。所述驱动单元的薄膜晶体管具有在所述第一氧化物半导体层上形成的沟道,以具有高电荷迁移率,其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层高的载流子浓度,并且所述像素单元的薄膜晶体管具有在所述第二氧化物半导体层上形成的沟道,以具有稳定和均匀的功能特性。
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公开(公告)号:CN101621075A
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200910137879.3
申请日:2009-05-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336 , G02F1/1362 , H01L27/32 , G09F9/33
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置,所述TFT包括:栅电极,形成在基底上;有源层,由氧化物半导体形成,并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘;源极和漏极,结合到有源层;界面稳定层,形成在有源层的一个表面或两个表面上。在所述TFT中,界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同,所以保持了在化学上高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙等于或大于有源层的带隙,所以在物理上防止了电荷俘获。
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公开(公告)号:CN101621076B
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN200910138568.9
申请日:2009-05-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括:源电极和漏电极,形成在基底上;有源层,由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成;栅电极;界面稳定层,形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中,界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同,所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙,所以在物理上防止了电荷俘获。
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公开(公告)号:CN101656270A
公开(公告)日:2010-02-24
申请号:CN200910136929.6
申请日:2009-04-28
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78618
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法。一种薄膜晶体管(TFT)包括栅极、有源层、源极和漏极。有源层包括与源极和漏极接触的接触区域,接触区域比有源层的剩余区域薄。接触区域减小有源层与源极和漏极之间的接触电阻。
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公开(公告)号:CN101626036A
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200910133952.X
申请日:2009-04-14
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L23/52 , H01L29/227 , H01L21/336 , H01L21/768 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L29/26
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。所述薄膜晶体管包括:形成在基板上的栅极;形成在所述栅极上的栅绝缘膜;形成在所述栅绝缘膜上的有源层;形成在所述有源层上包括化合物半导体氧化物的钝化层;以及与所述有源层接触的源极和漏极。
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公开(公告)号:CN1713409B
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN200510079538.7
申请日:2005-06-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L51/20 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0529
Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜晶体管和制造其的方法。该有机薄膜晶体管具有衬底和位于衬底上的栅电极。栅极绝缘体具有位于栅电极上的包括无机栅极绝缘体和有机栅极绝缘体的叠层结构。有机半导体层位于栅极绝缘体上来与栅电极重叠。因此,形成具有柔性、减小的泄漏电流和低阈值电压的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号:CN102064188A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN201010250566.1
申请日:2010-08-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及具有该薄膜晶体管的有机发光显示装置,该薄膜晶体管通过将像Hf一样电负性与氧的电负性有巨大差值并且原子半径与Zn或Sn的原子半径相似的材料添加到由ZnSnO形成的氧化物半导体来形成有源层,以调整载流子浓度并提高氧化物半导体的可靠性。
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公开(公告)号:CN1949309B
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN200610135928.6
申请日:2006-10-13
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L2251/5338
Abstract: 一种柔性平板显示器,其甚至在柔性平板显示器被弯曲的时候也能防止诸如柔性印刷电路板和驱动IC的电子单元与柔性平板显示器分离。所述柔性平板显示器包括柔性显示单元和电子单元。该柔性显示单元包括:适于显示图像的显示区域;平行于所述显示区域的边缘的第一侧和第二侧;以及垂直于第一侧和第二侧的第三侧和第四侧,所述第三侧和第四侧适于被弯曲。该电子单元只布置在第一侧和第二侧中的至少一侧上,而没有布置在第三侧和第四侧上。
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公开(公告)号:CN1731597B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200510091070.3
申请日:2005-08-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/0516
Abstract: 提供了一种有机薄膜晶体管(TFT),其能防止由于机械应力导致的变形或分离;和一种包括有机TFT的平板显示装置。有机TFT包括栅电极;与栅电极绝缘的源电极和漏电极;与栅电极绝缘、并与源电极和漏电极接触的有机半导体层;和使栅电极与源电极、漏电极和有机半导体层绝缘的栅绝缘层。栅绝缘层被构图成岛状形状以允许基板的相邻部分自由地弯曲,因此减小了有机TFT和其组成层的应力和变形。
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