公开(公告)号：CN101621076B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200910138568.9

申请日：2009-05-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金民圭 ,  郑棕翰 ,  安泰琼 ,  郑在景 ,  牟然坤 ,  朴镇成 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。

公开(公告)号：CN102097487A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010518685.0

申请日：2010-10-20

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金光淑 ,  金民圭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括：基底；栅电极，形成在基底上；栅极绝缘层，形成在基底的暴露部分和栅电极上；氧化物半导体层，形成在栅极绝缘层上以对应于栅电极，并包括HfInZnO基氧化物半导体，其中，氧化物半导体层具有Zn浓度梯度；源区和漏区，分别形成在氧化物半导体层的两边上，并且形成在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：CN101626036A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910133952.X

申请日：2009-04-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 河载兴 ,  宋英宇 ,  李钟赫 ,  郑棕翰 ,  金民圭 ,  牟然坤 ,  郑在景 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元 ,  崔千基

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/22 ,  H01L23/52 ,  H01L29/227 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。所述薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅极；形成在所述栅极上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的有源层；形成在所述有源层上包括化合物半导体氧化物的钝化层；以及与所述有源层接触的源极和漏极。

公开(公告)号：CN102097486A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010518645.6

申请日：2010-10-20

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金光淑 ,  朴镇成

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机电致发光设备。该薄膜晶体管包括：基底；栅电极，形成在基底上；栅极绝缘层，形成在基底的暴露部分和栅电极上；氧化物半导体层，形成在栅极绝缘层上以对应栅电极并包括HfInZnO基氧化物半导体，其中，基于按原子计100％的Hf、In和Zn的总浓度，氧化物半导体层中的Hf的浓度按原子计在大约9％至大约15％；源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分别形成为在氧化物半导体层的两侧上以及栅极绝缘层上延伸。

公开(公告)号：CN102064188A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010250566.1

申请日：2010-08-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴镇成 ,  金光淑 ,  郑在景 ,  牟然坤

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及具有该薄膜晶体管的有机发光显示装置，该薄膜晶体管通过将像Hf一样电负性与氧的电负性有巨大差值并且原子半径与Zn或Sn的原子半径相似的材料添加到由ZnSnO形成的氧化物半导体来形成有源层，以调整载流子浓度并提高氧化物半导体的可靠性。

公开(公告)号：CN101621076A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910138568.9

申请日：2009-05-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金民圭 ,  郑棕翰 ,  安泰琼 ,  郑在景 ,  牟然坤 ,  朴镇成 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。