公开(公告)号：CN101621076B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200910138568.9

申请日：2009-05-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金民圭 ,  郑棕翰 ,  安泰琼 ,  郑在景 ,  牟然坤 ,  朴镇成 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。

公开(公告)号：CN102683382A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210030495.3

申请日：2012-02-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴商一 ,  崔千基 ,  安泰琼

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3265 ,  H01L51/5212 ,  H01L2227/323

Abstract: 本公开涉及有机发光显示装置和制造所述有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置包括有机发光装置；电连接至所述有机发光装置的薄膜晶体管(TFT)；和电连接至所述有机发光装置的电容器，所述电容器包括彼此相对的第一电极层和第二电极层，以及作为单层插入在所述第一电极层和所述第二电极层之间的第一绝缘层。

公开(公告)号：CN101350313B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810133317.7

申请日：2008-07-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑棕翰 ,  郑在景 ,  朴镇成 ,  牟然坤 ,  梁熙元 ,  金民圭 ,  安泰琼 ,  申铉秀 ,  李宪贞

IPC: H01L21/363 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。

公开(公告)号：CN101621076A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910138568.9

申请日：2009-05-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金民圭 ,  郑棕翰 ,  安泰琼 ,  郑在景 ,  牟然坤 ,  朴镇成 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。

公开(公告)号：CN101794809A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010002358.X

申请日：2010-01-11

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴镇成 ,  牟然坤 ,  郑现中 ,  郑在景 ,  金民圭 ,  安泰琼

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L29/38

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L2251/305

Abstract: 本发明公开一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括具有以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层被堆叠的结构形成的有源层的驱动单元的薄膜晶体管、具有由所述第二氧化物半导体层形成的有源层的像素单元的薄膜晶体管、以及被连接至所述像素单元的薄膜晶体管的有机发光二极管。所述驱动单元的薄膜晶体管具有在所述第一氧化物半导体层上形成的沟道，以具有高电荷迁移率，其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层高的载流子浓度，并且所述像素单元的薄膜晶体管具有在所述第二氧化物半导体层上形成的沟道，以具有稳定和均匀的功能特性。

公开(公告)号：CN101621075A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910137879.3

申请日：2009-05-05

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑在景 ,  郑棕翰 ,  金民圭 ,  安泰琼 ,  牟然坤 ,  梁熙元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/32 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置，所述TFT包括：栅电极，形成在基底上；有源层，由氧化物半导体形成，并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘；源极和漏极，结合到有源层；界面稳定层，形成在有源层的一个表面或两个表面上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以保持了在化学上高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙等于或大于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。