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公开(公告)号：CN101621076B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910138568.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
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公开(公告)号：CN102097487A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010518685.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括：基底；栅电极，形成在基底上；栅极绝缘层，形成在基底的暴露部分和栅电极上；氧化物半导体层，形成在栅极绝缘层上以对应于栅电极，并包括HfInZnO基氧化物半导体，其中，氧化物半导体层具有Zn浓度梯度；源区和漏区，分别形成在氧化物半导体层的两边上，并且形成在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN101656270A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910136929.6
申请日：2009-04-28
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78618
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法。一种薄膜晶体管(TFT)包括栅极、有源层、源极和漏极。有源层包括与源极和漏极接触的接触区域，接触区域比有源层的剩余区域薄。接触区域减小有源层与源极和漏极之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN101626036A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910133952.X
申请日：2009-04-14
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L23/52 , H01L29/227 , H01L21/336 , H01L21/768 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L29/26
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。所述薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅极；形成在所述栅极上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的有源层；形成在所述有源层上包括化合物半导体氧化物的钝化层；以及与所述有源层接触的源极和漏极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101621076A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910138568.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
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公开(公告)号：CN101794809A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010002358.X
申请日：2010-01-11
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/38
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L2251/305
Abstract: 本发明公开一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括具有以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层被堆叠的结构形成的有源层的驱动单元的薄膜晶体管、具有由所述第二氧化物半导体层形成的有源层的像素单元的薄膜晶体管、以及被连接至所述像素单元的薄膜晶体管的有机发光二极管。所述驱动单元的薄膜晶体管具有在所述第一氧化物半导体层上形成的沟道，以具有高电荷迁移率，其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层高的载流子浓度，并且所述像素单元的薄膜晶体管具有在所述第二氧化物半导体层上形成的沟道，以具有稳定和均匀的功能特性。
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公开(公告)号：CN101621075A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910137879.3
申请日：2009-05-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336 , G02F1/1362 , H01L27/32 , G09F9/33
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置，所述TFT包括：栅电极，形成在基底上；有源层，由氧化物半导体形成，并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘；源极和漏极，结合到有源层；界面稳定层，形成在有源层的一个表面或两个表面上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以保持了在化学上高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙等于或大于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。
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公开(公告)号：CN101350313B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810133317.7
申请日：2008-07-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/363 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/24 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3464 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。
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公开(公告)号：CN100543950C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200510119172.1
申请日：2005-11-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L51/40 , H01L51/05 , H01L21/8234 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1262 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/5253
Abstract: 提供了一种具有TFT的塑料衬底的制造方法，一种根据该方法制造的衬底，一种平板显示器的制造方法以及一种根据该方法制造的平板显示器，可以被用到柔性平板显示器上。该方法包括：制备包括多个导电图案的薄膜；粘结该薄膜到衬底上；将TFT电连接到薄膜上的导电图案；在薄膜上形成覆盖TFT的绝缘层。
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