公开(公告)号：CN101350313B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810133317.7

申请日：2008-07-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑棕翰 ,  郑在景 ,  朴镇成 ,  牟然坤 ,  梁熙元 ,  金民圭 ,  安泰琼 ,  申铉秀 ,  李宪贞

IPC: H01L21/363 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。

公开(公告)号：CN101621076B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200910138568.9

申请日：2009-05-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金民圭 ,  郑棕翰 ,  安泰琼 ,  郑在景 ,  牟然坤 ,  朴镇成 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。

公开(公告)号：CN101656270A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910136929.6

申请日：2009-04-28

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑现中 ,  金民圭 ,  郑棕翰 ,  牟然坤

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法。一种薄膜晶体管(TFT)包括栅极、有源层、源极和漏极。有源层包括与源极和漏极接触的接触区域，接触区域比有源层的剩余区域薄。接触区域减小有源层与源极和漏极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN101626036A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910133952.X

申请日：2009-04-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 河载兴 ,  宋英宇 ,  李钟赫 ,  郑棕翰 ,  金民圭 ,  牟然坤 ,  郑在景 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元 ,  崔千基

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/22 ,  H01L23/52 ,  H01L29/227 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。所述薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅极；形成在所述栅极上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的有源层；形成在所述有源层上包括化合物半导体氧化物的钝化层；以及与所述有源层接触的源极和漏极。

公开(公告)号：CN101621075A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910137879.3

申请日：2009-05-05

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑在景 ,  郑棕翰 ,  金民圭 ,  安泰琼 ,  牟然坤 ,  梁熙元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/32 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置，所述TFT包括：栅电极，形成在基底上；有源层，由氧化物半导体形成，并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘；源极和漏极，结合到有源层；界面稳定层，形成在有源层的一个表面或两个表面上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以保持了在化学上高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙等于或大于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。

公开(公告)号：CN101621076A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910138568.9

申请日：2009-05-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 金民圭 ,  郑棕翰 ,  安泰琼 ,  郑在景 ,  牟然坤 ,  朴镇成 ,  郑现中 ,  金光淑 ,  梁熙元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法和平板显示装置。一种将氧化物半导体用作有源层的薄膜晶体管(TFT)、一种制造所述TFT的方法和一种具有所述TFT的平板显示装置包括：源电极和漏电极，形成在基底上；有源层，由设置在源电极和漏电极上的氧化物半导体形成；栅电极；界面稳定层，形成在有源层的顶表面和底表面中的至少一个上。在所述TFT中，界面稳定层由带隙为3.0eV至8.0eV的氧化物形成。因为界面稳定层的特性与栅极绝缘层和钝化层的特性相同，所以在化学上保持了高的界面稳定性。因为界面稳定层的带隙大于等于有源层的带隙，所以在物理上防止了电荷俘获。