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公开(公告)号：CN102456708A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110291090.0
申请日：2011-09-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括：第一多晶硅层图案，位于基底上并且具有第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极；栅极绝缘层图案；第二多晶硅层图案，包括第一有源层、第二有源层和电容器多晶硅哑层；第三非晶硅层图案，包括位于第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、位于第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层以及位于电容器多晶硅哑层上的电容器非晶哑层；数据金属层图案，包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极。
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公开(公告)号：CN102376745A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110229810.0
申请日：2011-08-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 为了提供提高用于结晶化的激光效率的同时降低维护费的有机发光显示装置及其制造方法，本发明提供一种有机发光显示装置，包括：薄膜晶体管，包括活性层、栅电极以及源电极和漏电极；有机发光器件，依次层叠有像素电极、中间层以及相对电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管电连接，所述中间层包括发光层；储能电容器，包括电容器第一电极以及电容器第二电极，所述电容器第一电极形成于与所述活性层相同的层上，介于所述电容器第二电极与所述电容器第一电极之间具有第一绝缘层，所述电容器第二电极形成为：与所述电容器第一电极相对；以及连接电极，电连接所述活性层和所述电容器第一电极。
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公开(公告)号：CN102386250A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110044152.8
申请日：2011-02-21
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/04 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供简便地提高电性能以及感光特性的光传感器、光传感器制造方法及显示装置。本发明包括：基板；受光部，形成于所述基板上，含有非晶半导体物质；第一邻接部以及第二邻接部，与所述受光部形成一体，所述第一邻接部以及所述第二邻接部由所述受光部相互隔离；光传感器第一电极，与所述第一邻接部电连接；以及光传感器第二电极，与所述第二邻接部电连接，其中，所述第一邻接部以及所述第二邻接部中的至少一个含有结晶半导体物质。
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公开(公告)号：CN102214677A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110094630.6
申请日：2011-04-07
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L21/26513 , H01L27/1214 , H01L27/3262 , H01L29/66765
Abstract: 描述的技术总体涉及一种薄膜晶体管和一种包括该薄膜晶体管的显示装置，该薄膜晶体管包括栅电极、半导体层和源/漏电极，其中，源/漏电极设置在形成有半导体层的区域的范围内。因此，当前实施例可以提供这样一种薄膜晶体管，在该薄膜晶体管中，因为阈值电压的变化量小，所以可靠性优异。
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公开(公告)号：CN102074569A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010542442.0
申请日：2010-11-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , G09G3/32 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括多条扫描线、多条数据线和设置在扫描线与数据线交叉的区域中的多个像素，其中，多个像素中的每个像素包括：开关晶体管，包括第一栅电极、设置在第一栅电极上方的第一半导体层、设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层、以及第一源电极和第一漏电极；驱动晶体管，包括第二半导体层、设置在第二半导体层上方的第二栅电极、设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层、以及第二源电极和第二漏电极；有机发光二极管，与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接，其中，第一半导体层和第二半导体层由相同的材料通过同一工艺形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102468453A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110337133.4
申请日：2011-10-31
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , H01L27/3244 , H01L2227/323
Abstract: 一种激光结晶系统及使用该系统制造显示装置的方法，该系统包括：i)母基板，在该母基板中形成有非晶半导体层的第一、第二和第三显示区域沿第一方向顺序布置；ii)台子，支撑母基板并沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向移动。该系统还包括：i)照射第一激光束的第一激光照射单元，第一激光束具有大于或等于第一、第二和第三显示区域之一在第一方向上的一侧的宽度的宽度；ii)第二激光照射单元，与第一激光照射单元隔开并照射第二激光束，第二激光束具有大于或等于第一、第二和第三显示区域之一在第一方向上的一侧的宽度的宽度，第一激光束对应第一显示区域在第一方向上的一侧的宽度且第二激光束对应第三显示区域在第一方向上的一侧的宽度。
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公开(公告)号：CN102456764A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110281498.X
申请日：2011-09-21
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/105
Abstract: 本发明涉及光电二极管及其制造方法以及包括该光电二极管的光传感器。所述光电二极管包括：形成于基板上的本征层、形成于部分所述本征层中的P+型掺杂区域、以及形成于部分所述本征层上的氧化物半导体区域，所述氧化物半导体区域与所述P+型掺杂区域由所述本征层中的本征区域相隔离。
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公开(公告)号：CN102136488A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010573443.1
申请日：2010-11-29
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/02595 , H01L21/8234 , H01L27/12 , H01L27/1218 , H01L27/1251 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，所述OLED显示器包括：基底主体；绝缘层图案，形成在所述基底主体上，并包括第一厚度层和比所述第一厚度层薄的第二厚度层；金属催化剂，分散在所述绝缘层图案的第一厚度层上；多晶半导体层，形成在所述绝缘层图案上，并分为第一晶体区域和第二晶体区域，所述第一晶体区域与所述第一厚度层对应并与所述第二厚度层的与所述第一厚度层相邻的一部分对应，所述第二晶体区域与所述第二厚度层的剩余部分对应。所述多晶半导体层的第一晶体区域是通过所述金属催化剂结晶的，所述多晶半导体层的第二晶体区域通过固相结晶形成。
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公开(公告)号：CN102339739A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110195509.2
申请日：2011-07-06
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/268 , G02B27/00
CPC classification number: H01L21/268 , B23K26/06
Abstract: 一种激光照射装置，用于将激光束照射到包括多个像素区的半导体层，所述装置包括：生成所述激光束的激光发生器；以及光学切换单元，对由所述激光发生器生成的激光束进行时分，并且将多个时分激光束发射到多个光学系统。所述装置包括：所述多个光学系统中的第一光学系统，接收第一时分激光束，并且沿第一照射方向照射第一激光狭缝束；以及所述多个光学系统中的第二光学系统，接收第二时分激光束，并且沿与所述第一照射方向平行的第二照射方向照射第二激光狭缝束。所述第一激光狭缝束和所述第二激光狭缝束使各像素区中相同位置处的部分区域晶体化。
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公开(公告)号：CN102593231A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110396518.8
申请日：2011-11-29
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/105 , H01L31/1055 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种光传感器及其制造方法，该光传感器包括：本征硅层，形成在基底上；P型掺杂区域，与本征硅层形成在同一平面内；以及氧化物半导体层，形成在本征硅层之上或之下，并且与本征硅层的整个区域叠置。
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