公开(公告)号：CN103094377A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210381388.5

申请日：2012-10-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金英水 ,  金东燮 ,  李斗烈 ,  金永镇 ,  朴映相 ,  牟灿滨 ,  李成喆

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基底，所述硅基底包括用于接收光的前表面和与前表面相对的后表面；发射极扩散区，位于后表面上并且用与硅基底的极性相反的第一极性掺杂；基极扩散区，位于基底的后表面上并且用与硅基底的极性相同的第二极性掺杂；以及绝缘间隙，位于发射极扩散区和基极扩散区之间，其中，基极扩散区具有闭合的多边形形状，其中，绝缘间隙与基极扩散区相邻。

公开(公告)号：CN103066133A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210319964.3

申请日：2012-08-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  金永镇 ,  金东燮 ,  牟灿滨 ,  金英水 ,  朴映相

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明公开一种光电装置，所述光电装置包括位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构包括不同的导电类型。所述光电装置还包括位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极以及与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构。层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。

公开(公告)号：CN103811572A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310560386.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜允默 ,  朴商镇 ,  李斗烈 ,  金亨基 ,  牟灿滨 ,  朴暎相 ,  徐京真 ,  金珉圣 ,  洪俊基 ,  任兴均 ,  宋珉澈 ,  朴省赞 ,  金东燮

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022466

Abstract: 本发明提供了一种光电装置及其制造方法。该光电装置包括：半导体基底，包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面；掺杂单元，形成在半导体基底的第一表面上；以及绝缘层，形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间，其中，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂。

公开(公告)号：CN103296136A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310004515.4

申请日：2013-01-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李成喆 ,  李斗烈 ,  金永镇 ,  金英水 ,  金泳秀 ,  李东勋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。制造太阳能电池的方法包括：在半导体基底上形成具有第一导电类型的掺杂部分；在半导体基底上生长氧化物层；在氧化物层中形成多个凹进部分；在半导体基底上进一步生长氧化物层；在半导体基底的与凹进部分对应的区域上形成具有第二导电类型的掺杂部分；形成电结合到具有第一导电类型的掺杂部分的第一导电电极；以及在半导体基底上形成电结合到具有第二导电类型的掺杂部分的第二导电电极，其中，具有第一导电类型的掺杂部分与具有第二导电类型的掺杂部分之间的间隙对应于通过进一步生长氧化物层形成的氧化物层的宽度。

公开(公告)号：CN103035779A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210273503.7

申请日：2012-08-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金英水 ,  李斗烈 ,  金永镇 ,  牟灿滨 ,  朴映相

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种光伏装置及其制造方法。这里，在半导体基底的表面上形成基极部分和发射体部分。在基极部分和发射体部分上形成绝缘层。绝缘层具有多个通孔，以部分地暴露基极部分和发射体部分。第一电极被形成为通过至少一个通孔接触发射体部分的区域，第二电极被形成为通过至少另一个通孔接触基极部分的区域。然后，在第二电极的汇流电极部分处设置切割线，并沿着切割线在基极部分处将半导体基底分为至少两个光伏装置。