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公开(公告)号:CN103811572A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201310560386.7
申请日:2013-11-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/065 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/022466
Abstract: 本发明提供了一种光电装置及其制造方法。该光电装置包括:半导体基底,包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面;掺杂单元,形成在半导体基底的第一表面上;以及绝缘层,形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间,其中,掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂,第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂。
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公开(公告)号:CN103928566A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201310737942.3
申请日:2013-12-26
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , B23K26/18 , B23K26/364 , H01L21/268 , H01L31/0322 , H01L31/03923 , H01L31/0463 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于制造太阳能电池的方法包括:在基板上形成第一电极;去除第一电极的一部分以形成第一电极开口;在第一电极上和在第一电极开口中形成光吸收层;以及对基板施加激光束以在第一电极和至少光吸收层之间产生界面反应,从而去除光吸收层的一部分以形成光吸收层开口。
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