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公开(公告)号：CN108138029B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201680056927.4
申请日：2016-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。本发明的有机膜CMP浆料组成物具有有机膜相对于无机膜的高选择性比。
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公开(公告)号：CN107922819A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047980.8
申请日：2016-07-21
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: 本发明是有关于一种有机膜的CMP研浆，包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的CMP研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθw，其为水接触角变化，且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆，浸渍于CMP研浆中10小时之后所测量。
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公开(公告)号：CN107636110A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680027986.9
申请日：2016-05-09
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的CMP浆料组合物及使用其的研磨方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。
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公开(公告)号：CN103811570A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310302704.X
申请日：2013-07-17
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金东珍
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02245 , H01L31/0465 , Y02E10/541
Abstract: 一种太阳能电池和一种制造太阳能电池的方法。太阳能电池包括：基底；第一电极层，位于基底上；光吸收层，位于第一电极层上；合金层，位于第一电极层与光吸收层之间；缓冲层，位于光吸收层上；第一通孔，形成为穿过缓冲层、光吸收层、合金层和第一电极层直至基底；以及绝缘阻挡件，位于第一通孔的至少一部分中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107922819B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201680047980.8
申请日：2016-07-21
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: 本发明是有关于一种用于有机膜的化学机械研磨研浆组成物、其制备方法以及使用其的研磨有机膜的方法，化学机械研磨研浆组成物包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的化学机械研磨研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθw，其为水接触角变化，且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆，浸渍于化学机械研磨研浆中10小时之后所测量。方程式(1)：水接触角变化Δθw＝|θ1‑θ2|。
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公开(公告)号：CN107636110B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201680027986.9
申请日：2016-05-09
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105
Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的化学机械研磨(CMP)浆料组合物的用途及用于研磨有机膜的方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。
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公开(公告)号：CN106883767B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201611114783.1
申请日：2016-12-06
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/321 , C09G1/02
Abstract: 本申请公开了一种用于金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法，具体涉及用于抛光金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法。该CMP浆料组合物包含抛光颗粒、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂和去离子水，其中，腐蚀抑制剂包含选自由亚硝酸盐和硝酸铵组成的组中的至少一种无机腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN108138029A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056927.4
申请日：2016-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/306
CPC classification number: C09K3/14 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。
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公开(公告)号：CN106883767A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611114783.1
申请日：2016-12-06
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321 , B24B37/00 , B24B1/00
Abstract: 本申请公开了一种用于金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法，具体涉及用于抛光金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法。该CMP浆料组合物包含抛光颗粒、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂和去离子水，其中，腐蚀抑制剂包含选自由亚硝酸盐和硝酸铵组成的组中的至少一种无机腐蚀抑制剂。
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