公开(公告)号：CN106687553A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580049063.9

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 俞龙植 ,  崔正敏 ,  姜东宪 ,  金泰完 ,  金古恩 ,  金容国

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1472 ,  H01L21/31058

Abstract: 本发明涉及用于抛光有机膜的用于有机膜的CMP浆料组合物以及使用其的有机膜抛光方法，所述CMP浆料组合物包含：极性溶剂和/或非极性溶剂；金属氧化物研磨剂；氧化剂；和杂环化合物，其中作为杂原子的杂环化合物包含氧(O)原子、硫(S)原子和氮(N)原子中的一种或两种并且具有50‑95原子％的碳含量。

公开(公告)号：CN105143390A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480021926.7

申请日：2014-04-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  朴容淳 ,  兪龙植 ,  姜东宪 ,  金高恩 ,  金泰完

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物，其包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂，其中所述组成物为酸性，且所述有机膜具有约50原子％至95原子％的碳含量，且本发明涉及使用其的研磨方法。

公开(公告)号：CN101286561A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710300121.8

申请日：2007-12-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金泰完 ,  金俊燮 ,  金性洙 ,  尹日柱 ,  李真昊 ,  崔完旭

IPC: H01M4/58 ,  H01M4/48 ,  H01M4/04 ,  C01G31/00 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/485 ,  C01G31/006 ,  C01G37/006 ,  C01G39/006 ,  C01G41/006 ,  C01G45/1228 ,  C01G49/009 ,  C01G51/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/74 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5825 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供了用于可充电锂电池的负极活性材料、其制造方法和包含该负极活性材料的可充电锂电池。负极活性材料包括由式Li1+xV1－x－yMyO2+z表示的化合物。在一个实施例中，该化合物具有范围从大约50nm至大约30μm的平均颗粒尺寸。在另一实施例中，当使用CuKα X射线进行测量时，负极活性材料的(003)面衍射强度与(104)面衍射强度之比的范围为从大约1∶0.01至大约1。根据另一实施例，在以0.5C进行五次充电/放电循环之后，负极活性材料的比表面积增加到小于在五次充电/放电循环之前的比表面积的大约20倍。该负极活性材料可以提高电池容量和循环寿命特性。

公开(公告)号：CN107636110B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201680027986.9

申请日：2016-05-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  金泰完 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  崔渶楠

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的化学机械研磨(CMP)浆料组合物的用途及用于研磨有机膜的方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。

公开(公告)号：CN107636110A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680027986.9

申请日：2016-05-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  金泰完 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  崔渶楠

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的CMP浆料组合物及使用其的研磨方法。CMP浆料组合物包含：极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；金属氧化物磨蚀剂；氧化剂；以及分子量为3500克/摩尔或小于3500克/摩尔的聚丙烯酸。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一。

公开(公告)号：CN105143390B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201480021926.7

申请日：2014-04-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  朴容淳 ,  兪龙植 ,  姜东宪 ,  金高恩 ,  金泰完

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法，该CMP浆料组成物包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂，其中所述组成物为酸性，且所述有机膜具有约50原子％至95原子％的碳含量。该CMP浆料组成物在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜后在研磨表面上展示极优良平坦化程度，且使残余在研磨停止膜上的有机膜的残余物(residue)易于移除，借此确保更均匀研磨。

公开(公告)号：CN106687553B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201580049063.9

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 俞龙植 ,  崔正敏 ,  姜东宪 ,  金泰完 ,  金古恩 ,  金容国

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及用于抛光有机膜的用于有机膜的CMP浆料组合物以及使用其的有机膜抛光方法，所述CMP浆料组合物包含：极性溶剂和/或非极性溶剂；金属氧化物研磨剂；氧化剂；和杂环化合物，其中作为杂原子的杂环化合物包含氧(O)原子、硫(S)原子和氮(N)原子中的一种或两种并且具有50‑95原子％的碳含量。

公开(公告)号：CN107109192A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580061512.1

申请日：2015-12-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑正焕 ,  郑荣哲 ,  姜东宪 ,  金泰完 ,  卢锺一 ,  洪昌基

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  C23F3/04

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  H01L21/3212 ,  C09K3/1454 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供一种用于研磨铜的CMP浆料组合物。CMP浆料组合物包含：研磨粒子及去离子水，其中所述研磨粒子包含无机粒子及有机粒子，且无机粒子与有机粒子两者均具有正界达电位。