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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1340890A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01131277.7
申请日：2001-08-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , H01S5/0425 , H01S5/168
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上,在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部,端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。
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公开(公告)号：CN1215620C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN01131277.7
申请日：2001-08-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , H01S5/0425 , H01S5/168
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上，在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部，端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。
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公开(公告)号：CN1591045A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410068303.3
申请日：2004-08-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/3083 , G02B5/1833 , G02B5/1852 , G02B5/1857 , G02B5/1871
Abstract: 本发明提供一种在宽波长区域中能得到良好相位变换特性的波长板。该波长板备有具有线状格子沟槽图案的氧化铝膜。而且，将格子沟槽图案的周期L和占空比De设定为由以下的4个式所规定的第一范围内的值：L≤0.65；L≥2×10－14e31.263De；L≤6.0317De2－10.352De+5.0516；(De－0.85)2/0.442+(L－0.41)2/0.392≤1。
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公开(公告)号：CN100344798C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03108341.2
申请日：2003-03-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G02B5/1809 , G02B5/1857
Abstract: 本发明涉及具有良好的光栅槽等精细结构的元件的制造方法。具有这种精细结构的元件的制造方法包括：在基板上形成金属层的工序；在金属层表面上形成凹部点阵的工序；将形成有凹部点阵的金属层表面在与阴极面相对的状态下进行阳极氧化、形成具有线状光栅槽图案的金属氧化膜的工序。因此，如果使点阵的各凹部之间的间隔变小，就能容易地自组织化地形成具有大的深度、并且深度方向上槽宽均匀的线状光栅槽图案。
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公开(公告)号：CN1446772A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03108341.2
申请日：2003-03-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G02B5/1809 , G02B5/1857
Abstract: 本发明涉及具有良好的光栅漕等精细结构的元件的制造方法。具有这种精细结构的元件的制造方法包括：在基板上形成金属层的工序；在金属层表面上形成凹部点阵的工序；将形成有凹部点阵的金属层表面在与阴极面相对的状态下进行阳极氧化、形成具有线状光栅漕图案的金属氧化膜的工序。因此，如果使点阵的各凹部之间的间隔变小，就能容易地自组织化地形成具有大的深度、并且深度方向上槽宽均匀的线状光栅漕图案。
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