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公开(公告)号：CN101499621A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910126754.0
申请日：2009-01-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/2201
Abstract: 本发明提供半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：基板；和在基板的表面上形成的、具有在与表面平行的第一方向上延伸的光波导的半导体层，光波导在与表面平行且与第一方向交叉的第二方向上，形成于从半导体激光元件的中央部偏向一侧的区域中，在半导体激光元件的上表面上形成有第一区域和第一凹部，该第一区域位于与光波导的上述一侧相反的一侧，与光波导分开并与第一方向平行地延伸，该第一凹部在光波导的端面的延长线上，与光波导分开并与第一区域交叉，并且在第二方向上延伸，第一区域中的半导体层的厚度小于第一区域以外的区域中的半导体层的厚度。
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公开(公告)号：CN101030696A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710092367.0
申请日：2007-02-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明的半导体激光元件，包括：由沿规定方向延伸的凸部和设置在所述凸部的宽度方向外侧的平坦部构成，且在基板上形成的半导体层；在所述平坦部的上面和所述凸部的侧面上形成的绝缘层；以及由沿所述规定方向设置在所述凸部上的第一部分和包含自所述第一部分向所述凸部的宽度方向外侧突出的多个突出部的第二部分构成的电极，其中所述凸部是从所述电极注入电流的电流注入区域，所述多个突出部设置在所述绝缘层上，在所述多个突出部之间设置有露出所述绝缘层的间隙。
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公开(公告)号：CN1677782A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510053944.6
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/02212 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
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公开(公告)号：CN1302103A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：CN00137722.1
申请日：2000-12-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/06226 , H01S5/2206 , H01S5/2222 , H01S5/2226 , H01S5/2227
Abstract: 在具有突出部分的p－涂层上依次形成在突出部分上具有带状开口的载流子积蓄防止层、低载流子浓度层及n－电流阻挡层。低载流子浓度层具有比n－电流阻挡层更低的载流子浓度。载流子积蓄防止层的禁带宽度设定为p－涂层的禁带宽度与低载流子浓度层的禁带宽度之间的值。或,在n－载流子积蓄防止层上形成低载流子浓度第1电流阻挡层及反向导电型第2电流阻挡层,在反向导电型第2电流阻挡层以及p－接触层上形成p－接触层。
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公开(公告)号：CN101361238B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200780001734.X
申请日：2007-07-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。
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公开(公告)号：CN100533794C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710147743.1
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN100524987C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510053943.1
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 红色半导体激光元件的p型衬垫电极和第一端子用导线连接，红外半导体激光元件的p型衬垫电极和第二端子用导线连接，蓝紫色半导体激光元件的p电极和第三端子用导线连接。此外蓝紫色半导体激光元件的n电极与底座实现电导通。红色半导体激光元件的n电极与底座用导线连接，红外半导体激光元件的n电极与底座用导线连接。在底座内设置第四端子。
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公开(公告)号：CN100511742C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710147742.7
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN101114687A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710147742.7
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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