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公开(公告)号：CN119317879A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380048234.0
申请日：2023-07-03
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/42 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
Abstract: 利用本发明，提供一种含有包含下述通式（b－1）所示的化合物（B1）的溶剂（B）的稀释剂组合物〔下述式（b－1）中，R0为碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～10的芳基或碳原子数1～10的酰基，R1为氢原子或碳原子数1～10的烷基〕。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119422108A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380052382.X
申请日：2023-07-03
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 利用本发明，能够提供一种抗蚀剂组合物，其含有树脂（A）和包含下述通式（b－1）所示的化合物（B1）的溶剂（B），上述抗蚀剂组合物的总量基准计的有效成分的含量为45质量％以下。〔下述式（b－1）中，R0为碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～10的芳基或碳原子数1～10的酰基，R1为氢原子或碳原子数1～10的烷基。〕#imgabs0#。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117716297A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280052673.4
申请日：2022-07-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 根据本发明，能够提供一种稀释剂组合物，其含有包含下述通式(b‑1)所示的化合物(B1)的溶剂(B)。另外，根据本发明，还能够提供一种半导体器件的制造方法，其包括在基板上涂布光致抗蚀剂膜材料或光致抗蚀剂下层膜材料之前，在上述基板上涂布上述稀释剂组合物的工序。#imgabs0#[上述式(b‑1)中，R1为碳原子数1～10的烷基]。
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公开(公告)号：CN119452307A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050844.4
申请日：2023-07-03
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08L57/00 , C08L61/08 , C08L83/00 , C08L101/00 , G03F7/004 , G03F7/023 , G03F7/039 , H01L21/027
Abstract: 根据本发明，提供一种抗蚀剂辅助膜组合物，其含有树脂(A)和包含下述通式(b‑1)所示的化合物(B1)的溶剂(B)，上述抗蚀剂辅助膜组合物的以总量基准计的有效成分的含量为45质量％以下〔上述式(b‑1)中，R0为碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～10的芳基或碳原子数1～10的酰基，R1为氢原子或碳原子数1～10的烷基〕。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117769684A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280052563.8
申请日：2022-07-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C07C69/708 , C07C69/675 , C07C69/54 , G03F7/40 , G03F7/26 , G03F7/20 , G03F7/039 , C08F220/28 , C08F220/18 , C07C309/06 , C07C39/19 , C07C25/02
Abstract: 根据本发明，能够提供一种抗蚀剂辅助膜组合物，其中，含有树脂(A)和包含下述通式(b－1)所示的化合物(B1)的溶剂(B)，上述抗蚀剂辅助膜组合物的以总量为基准的有效成分的含量为45质量％以下，上述式(b－1)中，R1为碳原子数1～10的烷基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115151863A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016481.3
申请日：2021-02-17
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/023 , G03F7/038 , G03F7/039 , C07C69/675
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂组合物，其含有树脂(A)和包含下述通式(b－1)所示的化合物(B1)的溶剂(B)，上述抗蚀剂组合物的以总量为基准计的有效成分的含量为45质量％以下。下述式(b－1)中，R1为碳原子数1～10的烷基。
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