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公开(公告)号：CN103842288A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280047919.5
申请日：2012-07-12
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C01B15/013
CPC classification number: C01B15/0135 , C01B15/013
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够有效地去除过氧化氢水溶液中包含的硅酸、硅酸盐等杂质的过氧化氢水溶液的制造方法。本发明的过氧化氢水溶液的制造方法具备：使过氧化氢水溶液接触用纯化水进行了清洗的活性氧化铝的第1工序；以及，在前述第1工序后，使前述过氧化氢水溶液接触阳离子交换树脂的第2工序。前述阳离子交换树脂优选为具有磺酸基的氢离子型强酸性阳离子交换树脂。要接触前述活性氧化铝和前述阳离子交换树脂的前述过氧化氢水溶液的温度优选为30℃以下。
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公开(公告)号：CN105377752A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480040081.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C01B15/037 , C01B15/01
Abstract: 根据本发明，能够提供一种过氧化氢水溶液，其特征在于，用于使菌的数量减少，该过氧化氢水溶液含有过氧化氢、磷酸盐和铝盐作为必须成分。另外，根据本发明，能够提供一种杀菌方法，其特征在于，使上述过氧化氢水溶液的雾和/或气体与空气混合后，与对象物接触。
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公开(公告)号：CN105377752B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201480040081.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C01B15/037 , C01B15/01
Abstract: 根据本发明，能够提供一种过氧化氢水溶液，其特征在于，用于使菌的数量减少，该过氧化氢水溶液含有过氧化氢、磷酸盐和铝盐作为必须成分。另外，根据本发明，能够提供一种杀菌方法，其特征在于，使上述过氧化氢水溶液的雾和/或气体与空气混合后，与对象物接触。
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公开(公告)号：CN111837218B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201980018203.4
申请日：2019-03-05
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D17/08 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供如下清洗液，其含有：胺化合物(A)0.2～20质量％、水溶性有机溶剂(B)40～70质量％及水，前述胺化合物(A)含有选自由正丁胺、己胺、辛胺、1,4‑丁二胺、二丁胺、3‑氨基‑1‑丙醇、N,N‑二乙基‑1,3‑二氨基丙烷、及双(六亚甲基)三胺组成的组中的1者以上，并且前述水溶性有机溶剂(B)在20℃下的粘度为10mPa·s以下，所述清洗液的pH为9.0～14的范围。
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公开(公告)号：CN106952803B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201610867835.6
申请日：2016-09-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及半导体元件的清洗用液体组合物及半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。提供在半导体元件制造中抑制铜或铜合金、钴或钴合金的损伤、并且将氮化钛硬掩模去除的清洗用液体组合物及使用其的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0001～0.05质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.00005～0.5质量％的具有13族元素的化合物、以及水。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106601598A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610890141.4
申请日：2016-10-12
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76814 , B08B3/12 , C11D3/0073 , C11D3/044 , C11D3/046 , C11D3/364 , C11D3/3942 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/36 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L21/0331
Abstract: 本发明涉及半导体元件的清洗用液体组合物、半导体元件的清洗方法及半导体元件的制造方法，其目的在于，提供在半导体元件制造中抑制铜或铜合金、钴或钴合金的损伤、并且将氮化钛硬掩模去除的清洗用液体组合物及使用其的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0001～0.01质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.0001～0.1质量％的锌盐、以及水。
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公开(公告)号：CN106601598B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201610890141.4
申请日：2016-10-12
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体元件的清洗用液体组合物、半导体元件的清洗方法及半导体元件的制造方法，其目的在于，提供在半导体元件制造中抑制铜或铜合金、钴或钴合金的损伤、并且将氮化钛硬掩模去除的清洗用液体组合物及使用其的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0001～0.01质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.0001～0.1质量％的锌盐、以及水。
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公开(公告)号：CN111837218A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980018203.4
申请日：2019-03-05
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D17/08 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供如下清洗液，其含有：胺化合物(A)0.2～20质量％、水溶性有机溶剂(B)40～70质量％及水，前述胺化合物(A)含有选自由正丁胺、己胺、辛胺、1,4‑丁二胺、二丁胺、3‑氨基‑1‑丙醇、N,N‑二乙基‑1,3‑二氨基丙烷、及双(六亚甲基)三胺组成的组中的1者以上，并且前述水溶性有机溶剂(B)在20℃下的粘度为10mPa·s以下，所述清洗液的pH为9.0～14的范围。
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公开(公告)号：CN107265409A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710607955.7
申请日：2012-07-12
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C01B15/013
CPC classification number: C01B15/0135 , C01B15/013
Abstract: 本发明提供过氧化氢水溶液的制造方法。本发明的目的在于，提供能够有效地去除过氧化氢水溶液中包含的硅酸、硅酸盐等杂质的过氧化氢水溶液的制造方法。本发明的过氧化氢水溶液的制造方法具备：使过氧化氢水溶液接触用纯化水进行了清洗的活性氧化铝的第1工序；以及，在前述第1工序后，使前述过氧化氢水溶液接触阳离子交换树脂的第2工序。前述阳离子交换树脂优选为具有磺酸基的氢离子型强酸性阳离子交换树脂。要接触前述活性氧化铝和前述阳离子交换树脂的前述过氧化氢水溶液的温度优选为30℃以下。
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公开(公告)号：CN106952803A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610867835.6
申请日：2016-09-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D3/3947 , C11D7/04 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/36 , H01L21/02068 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/0206 , H01L21/31111
Abstract: 本发明涉及半导体元件的清洗用液体组合物及半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。提供在半导体元件制造中抑制铜或铜合金、钴或钴合金的损伤、并且将氮化钛硬掩模去除的清洗用液体组合物及使用其的清洗方法、以及半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0001～0.05质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.00005～0.5质量％的具有13族元素的化合物、以及水。
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