-
公开(公告)号：CN101540365A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910126826.1
申请日：2009-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/323 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01S5/2201 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法。制造具有结晶性良好、电阻率足够低的p型氮化物半导体层的氮化物半导体层压结构。在GaN基板(11)(基板)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3形成p型Al0.07Ga0.93N层(12)(第一p型氮化物半导体层)。接着在该p型Al0.07Ga0.93N层(12)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3和肼衍生物形成p型GaN层(13)(第二p型氮化物半导体层)。
-
公开(公告)号：CN101684549B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200910204779.8
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01S5/323 , H01S5/028 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/165 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01S5/32341
Abstract: 本发明制造具有p型氮化物半导体层的氮化物半导体装置，所述p型氮化物半导体层的结晶性良好、电阻率足够低、且Mg的掺杂效率大于0.3％。使用有机金属化合物作为III族原料、使用氨和肼衍生物作为V族原料、以及使用Mg原料气体作为p型杂质原料，在GaN基板(10)(基板)上形成p型GaN层(12)(p型氮化物半导体层)。此时，使含有III族原料、V族原料和p型杂质原料的原料气体的流速大于0.2m/秒。
-
公开(公告)号：CN101192740A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710140804.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3211 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 即使形成在取向误差角7°以上的GaAs衬底上，也可得到偏振角接近于0、偏振度大的脊形构造的半导体激光器。本发明的半导体激光器，在具有依次形成在取向误差角7°以上的GaAs衬底上的下包层、活性层、上包层的脊形构造的半导体激光器中，活性层由AlGaAs构成，下包层及上包层由P的组成比大于0、小于或等于0.04的AlGaAsP构成。
-
公开(公告)号：CN101154796A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153114.X
申请日：2007-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种初始恶化率较小、长寿命的半导体发光元件。半导体激光器元件(101)具有夹持在n型覆盖层(104)与p型覆盖层(109)之间的活性层(106)。p型覆盖层(109)含有镁作为杂质，在活性层(106)与p型覆盖层(109)之间设置了由以InxAlyGa1－x－yN(其中，x≥0、y≥0、x+y＜1)表示的氮化物系化合物半导体构成的n型防扩散层(107)。n型防扩散层(107)中的n型杂质的掺杂浓度优选为5×1017cm－3以上且5×1019cm－3以下。
-
公开(公告)号：CN102130425A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110020200.X
申请日：2011-01-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01S5/22 , H01S5/3086 , H01S5/3201 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置的制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成n型Al0.03Ga0.97N覆盖层（12）以及n型GaN光引导层（14）。在n型GaN光引导层（14）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，在载气中添加氢，形成由含In的氮化物类半导体构成的活性层（16）。在活性层（16）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，形成p型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层（18）、p型GaN光引导层（20）、p型Al0.03Ga0.97N覆盖层（22）、p型GaN接触层（24）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101684549A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910204779.8
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01S5/323 , H01S5/028 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/165 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01S5/32341
Abstract: 本发明制造具有p型氮化物半导体层的氮化物半导体装置，所述p型氮化物半导体层的结晶性良好、电阻率足够低、且Mg的掺杂效率大于0.3％。使用有机金属化合物作为III族原料、使用氨和肼衍生物作为V族原料、以及使用Mg原料气体作为p型杂质原料，在GaN基板(10)(基板)上形成p型GaN层(12)(p型氮化物半导体层)。此时，使含有III族原料、V族原料和p型杂质原料的原料气体的流速大于0.2m/秒。
-
公开(公告)号：CN1783525A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510118514.8
申请日：2005-10-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在 方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。
-
公开(公告)号：CN101452837B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810135797.0
申请日：2005-10-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体元件的制造方法，并提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在 方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。
-
公开(公告)号：CN101340058B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810144617.5
申请日：2008-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/30 , H01S5/00 , H01L21/205 , C30B29/40 , H01L33/00
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/325 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3054 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及氮化物类半导体叠层结构、半导体光元件以及其制造方法。本发明提供氮化物类半导体叠层结构，其包含采用了有机金属化合物的III族原料和包含肼衍生物的V族原料的低电阻的p型氮化物类半导体层。可以构成电阻值低的p型氮化物类半导体层的工作效率良好的氮化物类半导体叠层结构。其具备基板和在该基板上配设的、采用有机金属化合物的III族原料、包含氨和肼衍生物的V族原料及p型杂质原料而形成的、所含碳浓度为1×1018cm-3以下的p型氮化物类半导体层。
-
公开(公告)号：CN1138747A
公开(公告)日：1996-12-25
申请号：CN95116817.7
申请日：1995-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L33/00 , H01S3/18
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/30612 , H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/1228 , H01S5/2077 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/2232 , H01S5/2237 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/34306 , H01S5/3434 , H01S5/4031 , H01S2304/04
Abstract: 提供了一种比湿法腐蚀可控性更高的半导体腐蚀方法，包括：用一种含有组成III-V族化合物半导体层中V族材料的腐蚀气体且将上述III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下，对其进行腐蚀。由于不使用腐蚀液，该腐蚀方法可在晶体生长设备中使用。再者，由于用III-V族化合物半导体层的材料气体作腐蚀气体，故能防止在被腐蚀的表面上出现残留杂质，从而保持了被腐蚀表面的清洁。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.02 seconds)
