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公开(公告)号：CN102315025A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110178384.2
申请日：2011-06-29
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体公司
CPC classification number: H01L28/60 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B2235/3213 , C04B2235/441 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/787 , H01G4/01 , H01G4/1227 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 一种薄膜电容器，其特征在于，形成下电极、将组合物涂覆至下电极上而没有进行温度高于300℃的退火过程、在从环境温度至500℃的预定温度下干燥，并且在500至800℃且高于干燥温度的预定温度下煅烧。从涂覆至煅烧的过程进行一次或至少两次，或者从涂覆至干燥的过程进行至少两次，然后煅烧进行一次。在第一次煅烧之后形成的电介质薄膜的厚度为20至600nm。下电极的厚度和在初次煅烧步骤之后形成的电介质薄膜的厚度之比（下电极厚度/介电薄膜厚度）优选为0.10至15.0。
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公开(公告)号：CN103177797B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201210552098.2
申请日：2012-12-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体公司
Abstract: 本发明提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1‑xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，其中，复合氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，且复合氧化物C与复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。
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公开(公告)号：CN103177797A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210552098.2
申请日：2012-12-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体公司
Abstract: 本发明提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1-xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，其中，复合氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，且复合氧化物C与复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。
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公开(公告)号：CN113574615B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202080021132.6
申请日：2020-02-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01F5/06 , G01N23/2276 , H01B7/02 , G01N27/62
Abstract: 本发明的绝缘铜线(10)具有铜线及包覆所述铜线的表面的绝缘覆膜(12)，所述绝缘覆膜(12)包含具有酰胺键的高分子材料，在通过剥离所述绝缘覆膜(12)而形成于所述绝缘铜线的表面的剥离面(14)中，与氮原子或碳原子键合的铜原子比与氧原子键合的铜原子多，并且从剥离面(14)沿深度方向形成有含有10原子％以上的氧的含氧层(13)，所述含氧层(13)的膜厚在2nm以上且30nm以下的范围内。电线圈通过卷绕上述绝缘铜线(10)而形成。
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公开(公告)号：CN111801744B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201980016480.1
申请日：2019-03-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的绝缘扁平导体(10，20)为具备扁平导体(11)及包覆所述扁平导体(11)的绝缘覆膜(15)的绝缘扁平导体(10，20)，其特征在于，所述扁平导体(11)具有第一面(12a)及与所述第一面(12a)相对的第二面(12b)，所述第一面(12a)与所述第二面(12b)相比更粗糙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113372810A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110806157.3
申请日：2018-11-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及绝缘覆膜形成用树脂、清漆、电沉积液、绝缘导体的制造方法。绝缘覆膜形成用树脂包含末端为OH基或SH基的改性聚酰胺酰亚胺及末端为OH基或SH基的改性聚酰亚胺中的至少一个。清漆包含上述的绝缘覆膜形成用树脂与溶剂。电沉积液包含上述的绝缘覆膜形成用树脂、极性溶剂、水、不良溶剂及碱。绝缘导体的制造方法为具有如下工序的方法：将上述的清漆涂布于导体的表面，在所述导体的表面形成涂布层，及加热所述涂布层，将生成的绝缘覆膜烧接到所述导体，或者绝缘导体的制造方法为具有如下工序的方法：将上述的电沉积液电沉积在导体的表面，在所述导体的表面形成电沉积层，及加热所述电沉积层，将生成的绝缘覆膜烧接到所述导体。
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公开(公告)号：CN111418030B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201880074817.X
申请日：2018-11-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的绝缘导体具有导体和在导体的表面上所具备的绝缘覆膜，其中，绝缘覆膜具有含氟树脂组合物层和氟浓度梯度层，所述含氟树脂组合物层含有热固性树脂的固化物及氟树脂，所述氟浓度梯度层配置于所述导体与所述含氟树脂组合物层之间，并且含有热固性树脂的固化物及氟树脂，并且设有氟原子含量从所述含氟树脂组合物层侧朝向所述导体降低的浓度梯度。
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公开(公告)号：CN107532039A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680025739.5
申请日：2016-05-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C09D179/08 , C09D5/02 , C09D5/44
Abstract: 在本发明中，电沉积液(11)含有聚合物粒子、有机溶剂、碱性化合物及水，聚合物粒子由主链中不具有阴离子性基团的聚酰胺酰亚胺和/或聚酯酰亚胺构成，聚合物粒子的以个数为基准的中值粒径(D50)为0.05～0.5μm，且以个数为基准，在中值粒径(D50)的粒径±30％以内所存在的粒子为总粒子的50％以上。
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公开(公告)号：CN106133933A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015884.0
申请日：2015-03-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/187 , C01G25/00 , H01L41/318
CPC classification number: C04B35/491 , C01G25/006 , C01P2002/54 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/63444 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3296 , C04B2235/6023 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜由以通式：PbzCexZryTi1‑yO3表示的掺杂Ce的复合金属氧化物构成。并且，上述通式中的x、y及z分别满足0.005≤x≤0.05、0.40≤y≤0.55及0.95≤z≤1.15。而且，上述掺杂Ce的PZT系压电膜的极化量的磁滞优选由其中心向负侧偏移4kV/cm以上。
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公开(公告)号：CN106007710A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610173372.3
申请日：2016-03-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491
Abstract: 本发明提供一种寿命可靠性优异的铁电膜及其制造方法。本发明的铁电膜由多个烧成膜构成，所述铁电膜由含有Pb、Zr及Ti的钙钛矿结构的金属氧化物构成，Li、Na及K的总含量为3质量ppm以下，构成所述多个烧成膜的各烧成膜的一面中的Li、Na及K的总含量为另一面中的Li、Na及K的总含量的5倍以上。
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