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公开(公告)号：CN101467264A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780022196.2
申请日：2007-08-30
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/042 , C23C16/24
CPC分类号： H01L31/1824 , C23C16/24 , C23C16/52 , Y02E10/545 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种制膜条件设定方法、光电转换装置及其制造方法、制造装置和检查方法，能够稳定地制造具有较高转换效率的光电转换装置。基于微结晶硅层(4)中的基板(1)侧的拉曼光谱的拉曼峰值比和基板(1)相反侧的拉曼光谱的拉曼峰值比，设定光电转换装置的微结晶硅光电转换层(4)的制膜条件。
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公开(公告)号：CN101796649A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200780100277.X
申请日：2007-09-18
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/042 , C23C14/08 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C14/0036 , C23C14/086 , H01L31/022483 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
摘要： 本发明提供一种光电转换装置及其制造方法，所述光电转换装置使用将电阻率和透射率的关系最优化的透明电极，实现稳定的高光电转换效率。其中，至少一个透明电极(12，16)为不含有Ga的ZnO层，或者为添加有Ga且上述Ga的添加量相对于上述ZnO层中的Zn为5原子％以下的ZnO层，并且上述ZnO层通过使用添加有氧的稀有气体作为溅射气体的溅射法而形成，上述溅射气体中的上述氧的添加量相对于该氧与上述稀有气体的合计体积为0.1体积％以上、5体积％以下。
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公开(公告)号：CN1763977A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510118118.5
申请日：2005-10-20
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/077 , Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种串联型薄膜太阳能电池，所述串联型薄膜太阳能电池包括：第一导电层，形成于透明衬底上，阳光被输入到所述透明衬底；顶太阳能电池层，形成于所述第一导电层上；和底太阳能电池层，层叠在所述顶太阳能电池层上，与所述顶太阳能电池层串联连接。基于所述底太阳能电池层的光生电流决定所述薄膜太阳能电池层的总光生电流。
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公开(公告)号：CN102047439A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200880129553.X
申请日：2008-10-30
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含雏晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述雏晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的雏晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把雏晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101627478A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200780032376.9
申请日：2007-08-06
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/0236 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 一种光电转换装置及其制造方法，其兼容高的光电转换效率和高的生产性，该光电转换装置(90)至少具有在透明绝缘性基板(1)上设置透明电极层(2)而形成的带透明电极基板、以及在该带透明电极基板的透明电极层(2)一侧上依次形成的主要具有结晶硅类半导体的光电转换层(92)以及背面电极层(4)，其中所述带透明电极基板的透明电极层(2)的表面为混合存在大小凹凸的形状，并且光谱模糊率在550nm以上800nm以下的波长时为20％以上，主要具有所述结晶硅类半导体的光电转换层的膜厚为1.2μm以上2μm以下，喇曼比为3.0以上8.0以下。
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公开(公告)号：CN1770479A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510113841.4
申请日：2005-10-19
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/077 , Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种串联薄膜太阳能电池，所述串联薄膜太阳能电池包括：第一导电层(20)，形成于透明衬底(10)上；第一太阳能电池层(150)，形成于所述第一导电层(20)上；和第二太阳能电池层(200)，覆盖所述第一太阳能电池层(150)。所述第一导电层(20)具有表面不平整性，所述表面不平整性的间距在0.2到2.5μm的范围，且所述表面不平整性的幅度在所述表面不平整性的间距的四分之一到一半的范围内。
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公开(公告)号：CN102165281B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980138578.0
申请日：2009-07-02
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： G01B11/06 , H01L21/205
CPC分类号： G01B11/0625
摘要： 薄膜检查装置包括：存储部(14)，该存储部保存有至少2个特征量特性，所述2个特征量特性由以下方式得到：从因第1透明薄膜和第2透明薄膜的至少一方的膜厚变动而受到影响的分光反射光谱的特征量中选择至少2个特征量，并将所选择的该特征量中的每一个特征量与第1透明薄膜的膜厚和第2透明薄膜的膜厚分别建立关联；对被检查基板(S)从透明玻璃基板侧照射白色光的光照射部(11)；接受来自被检查基板(S)的反射光的受光部(12)；和运算部(15)，从基于受光的反射光的分光反射光谱求出在存储部(14)中保存的各特征量的实测值，使用求出的各特征量的实测值和在存储部(14)中保存的特征量特性，分别求出第1透明薄膜和第2透明薄膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN101627478B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200780032376.9
申请日：2007-08-06
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/0236 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 一种光电转换装置及其制造方法，其兼容高的光电转换效率和高的生产性，该光电转换装置(90)至少具有在透明绝缘性基板(1)上设置透明电极层(2)而形成的带透明电极基板、以及在该带透明电极基板的透明电极层(2)一侧上依次形成的主要具有结晶硅类半导体的光电转换层(92)以及背面电极层(4)，其中所述带透明电极基板的透明电极层(2)的表面为混合存在大小凹凸的形状，并且光谱模糊率在550nm以上800nm以下的波长时为20％以上，主要具有所述结晶硅类半导体的光电转换层的膜厚为1.2μm以上2μm以下，喇曼比为3.0以上8.0以下。
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公开(公告)号：CN100477288C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510003971.2
申请日：2005-01-05
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/075
CPC分类号： H01L31/1884 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要： 一种光电转换装置，使用具有最合适的电阻率和透过率之间关系的透明电极或者透明导电膜来实现高光电转换率。在透明绝缘性基板上至少依次层积有：第一透明电极，由p型硅层、i型硅层以及n型硅层构成的pin结构或者nip结构的微结晶硅层，第二透明电极以及背侧电极，其中，所述第一透明电极以及所述第二透明电极的至少某一项是添加Ga的ZnO层，所述Ga的含量相对于Zn为小于或等于15原子百分比。
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公开(公告)号：CN100435357C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510113841.4
申请日：2005-10-19
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/077 , Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种串联薄膜太阳能电池，所述串联薄膜太阳能电池包括：第一导电层(20)，形成于透明衬底(10)上；第一太阳能电池层(150)，形成于所述第一导电层(20)上；和第二太阳能电池层(200)，覆盖所述第一太阳能电池层(150)。所述第一导电层(20)具有表面不平整性，所述表面不平整性的间距在0.2到2.5μm的范围，且所述表面不平整性的幅度在所述表面不平整性的间距的四分之一到一半的范围内。
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