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公开(公告)号：CN102473757A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034145.3
申请日：2010-05-07
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04 , C23C16/24 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/4402 , H01L31/022466 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 得到一种在光电转换层具备结晶硅i层的高效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)的制造方法，包括形成光电转换层(3)的工序，该光电转换层(3)在基板(1)上具备以结晶硅为主的i层(42)，其中，根据所述i层(42)的拉曼比决定所述i层(42)中的杂质的浓度的上限值，制成该决定的杂质的浓度的上限值以下的所述i层(42)。或者，根据所述i层(42)的拉曼比来决定成膜气氛中的杂质气体的浓度的上限值，以成为该决定的上限值以下的方式控制所述杂质气体的浓度来制成所述i层(42)。
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公开(公告)号：CN102356452A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012376.4
申请日：2010-02-15
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/24 , C23C16/4412 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1868 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种实现制成的膜的高品质化并且能够实现大面积化及成膜速度的高速化的真空处理装置。设置有：放电室(2)，由脊形波导管构成，该脊形波导管具有彼此相对配置且其间生成等离子体的脊形电极；气体供给部(10)，与放电室(2)相邻配置，朝向脊形电极供给用于形成等离子体的母气体；基板(S)，配置于在基板(S)与放电室(2)之间夹着气体供给部(10)的位置，实施基于等离子体的处理；减压容器(7)，内部至少收容有放电室(2)、气体供给部(10)及基板(S)；及排气部(9)，连通于与减压容器(7)中的气体供给部(10)之间夹着放电室(2)的位置，使减压容器(7)内部的压力降低。
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公开(公告)号：CN102047439A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200880129553.X
申请日：2008-10-30
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含雏晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述雏晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的雏晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把雏晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101548365B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880000850.4
申请日：2008-01-30
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/182 , C23C16/24 , C23C16/4557 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种真空处理方法以及真空处理装置，该真空处理方法即使在增加制膜速度的情况下，SiH2/SiH比也不会增高，并能够通过防止膜质的恶化来获得较高的生产率。在该真空处理方法中，使设置于负压环境下的制膜室(6)内的基板(8)处于由均热板(加热机构)(5)加热了的状态，向与上述基板(8)对置配置的放电电极(3)供电，由此，向基板(8)实施制膜，其中，以将基板(8)和放电电极(3)的温度差设为在30℃以下的状态而制膜。进而，也可以将基板(8)和放电电极(3)之间设为7.5mm以下而制膜。
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公开(公告)号：CN102356452B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201080012376.4
申请日：2010-02-15
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/24 , C23C16/4412 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1868 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种实现制成的膜的高品质化并且能够实现大面积化及成膜速度的高速化的真空处理装置。设置有：放电室(2)，由脊形波导管构成，该脊形波导管具有彼此相对配置且其间生成等离子体的脊形电极；气体供给部(10)，与放电室(2)相邻配置，朝向脊形电极供给用于形成等离子体的母气体；基板(S)，配置于在基板(S)与放电室(2)之间夹着气体供给部(10)的位置，实施基于等离子体的处理；减压容器(7)，内部至少收容有放电室(2)、气体供给部(10)及基板(S)；及排气部(9)，连通于与减压容器(7)中的气体供给部(10)之间夹着放电室(2)的位置，使减压容器(7)内部的压力降低。
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公开(公告)号：CN102047439B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200880129553.X
申请日：2008-10-30
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含结晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述结晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的结晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把结晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN102197493B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200980142652.6
申请日：2009-10-02
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02532 , H01L31/03921 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种进行高品质的晶体硅层的制膜并制造高性能的光电转换装置的方法及用于进行高品质的晶体硅层的制膜的制膜装置。该光电转换装置的制造方法利用等离子体CVD法在基板上形成包含i层的晶体硅类光电转换层，所述i层的形成工序具有初始层制膜阶段和块体i层制膜阶段，在所述初始层制膜阶段，所述初始层制膜阶段下的硅烷类气体流量比所述块体i层制膜阶段下的硅烷类气体流量低，将所述初始层制膜阶段的制膜时间设为所述i层的全部制膜时间的0.5％以上20％以下，将所述初始层制膜阶段下的SiH*发光强度设为所述块体i层制膜阶段中的稳定后的SiH*发光强度的80％以下，以上述条件进行所述初始层的制膜。
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公开(公告)号：CN102197493A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142652.6
申请日：2009-10-02
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02532 , H01L31/03921 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种进行高品质的晶体硅层的制膜并制造高性能的光电转换装置的方法及用于进行高品质的晶体硅层的制膜的制膜装置。该光电转换装置的制造方法利用等离子体CVD法在基板上形成包含i层的晶体硅类光电转换层，所述i层的形成工序具有初始层制膜阶段和块体i层制膜阶段，在所述初始层制膜阶段，所述初始层制膜阶段下的硅烷类气体流量比所述块体i层制膜阶段下的硅烷类气体流量低，将所述初始层制膜阶段的制膜时间设为所述i层的全部制膜时间的0.5％以上20％以下，将所述初始层制膜阶段下的SiH*发光强度设为所述块体i层制膜阶段中的稳定后的SiH*发光强度的80％以下，以上述条件进行所述初始层的制膜。
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公开(公告)号：CN101548365A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000850.4
申请日：2008-01-30
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/182 , C23C16/24 , C23C16/4557 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种真空处理方法以及真空处理装置，该真空处理方法即使在增加制膜速度的情况下，SiH2/SiH比也不会增高，并能够通过防止膜质的恶化来获得较高的生产率。在该真空处理方法中，使设置于负压环境下的制膜室(6)内的基板(8)处于由均热板(加热机构)(5)加热了的状态，向与上述基板(8)对置配置的放电电极(3)供电，由此，向基板(8)实施制膜，其中，以将基板(8)和放电电极(3)的温度差设为在30℃以下的状态而制膜。进而，也可以将基板(8)和放电电极(3)之间设为7.5mm以下而制膜。
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