公开(公告)号：CN102047439A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200880129553.X

申请日：2008-10-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 西宫立亨 ,  真岛浩 ,  宫原弘臣 ,  川村启介 ,  中野要治

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含雏晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述雏晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的雏晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把雏晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。

公开(公告)号：CN102047439B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200880129553.X

申请日：2008-10-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 西宫立亨 ,  真岛浩 ,  宫原弘臣 ,  川村启介 ,  中野要治

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含结晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述结晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的结晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把结晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。