公开(公告)号：CN103643220B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310597941.3

申请日：2013-11-22

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 吴加奇 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  张旭昇

IPC分类号： C23C16/44

摘要： 本发明公开了一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法，其具体是采用对低压炉管进行升降温的处理，控制低压炉管的温度、升降温速率、气体类型，并根据一定间隔时间和清洗时间通入恒定压力的清洗气体的方法来达到改善低压炉管颗粒状况的目的，从而减少低压炉管工艺过程中产生的杂质颗粒，尤其是减少了炉管内壁的上的杂质颗粒。本发明所述的方法可有效改善低压炉管的杂质颗粒状况，与相同沉积工序相比，其产出的晶圆控片杂质颗粒明显减少，解决了由于多次沉积工序后残留的杂质颗粒引起的产品缺陷问题，延长低压炉管安全稳定作业的批次，提高相关扩散工艺的稳定性，减少对产品造成的缺陷影响，提高生产效率。

公开(公告)号：CN103643220A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310597941.3

申请日：2013-11-22

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 吴加奇 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  张旭昇

IPC分类号： C23C16/44

摘要： 本发明公开了一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法，其具体是采用对低压炉管进行升降温的处理，控制低压炉管的温度、升降温速率、气体类型，并根据一定间隔时间和清洗时间通入恒定压力的清洗气体的方法来达到改善低压炉管颗粒状况的目的，从而减少低压炉管工艺过程中产生的杂质颗粒，尤其是减少了炉管内壁的上的杂质颗粒。本发明所述的方法可有效改善低压炉管的杂质颗粒状况，与相同沉积工序相比，其产出的晶圆控片杂质颗粒明显减少，解决了由于多次沉积工序后残留的杂质颗粒引起的产品缺陷问题，延长低压炉管安全稳定作业的批次，提高相关扩散工艺的稳定性，减少对产品造成的缺陷影响，提高生产效率。

公开(公告)号：CN104051307A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410106570.9

申请日：2014-03-20

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 吴加奇 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  张旭昇

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/30

摘要： 本发明为一种改善多晶硅炉管控片监控机制的方法，涉及半导体制造技术领域，包括以下步骤：在晶舟中设置有三个非产品晶片区域；采用若干产品晶片和若干第一挡片，将晶舟中除三个非产品晶片区域以外的区域填满；在非产品晶片区域中填充有第一挡片、第二挡片和控片；将晶舟置于炉管中进行多晶硅制备工艺；对使用后的第二挡片进行清洗和重新制备；重复上述步骤；其中，第二挡片为在一光片上沉积氮化硅和氧化硅后形成；控片则仅沉积氧化硅。本发明保证了炉管工艺过程中控片和产品晶片表面的多晶硅淀积速度一致，使控片能有效准确地反映产品晶片的颗粒数和膜厚，减少了控片使用的片数和量测时间，从而减少了日程监控的成本，提高了日程监控的效率。