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公开(公告)号：CN103295880A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310220481.2
申请日：2013-06-04
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/033
摘要： 本发明涉及一种多晶硅炉管工艺中控片的改进结构及其制备方法和使用方法，其中，控片制备方法包括以下步骤：于一硅衬底的上表面上制备一保护层；于保护层上表面上制备二氧化硅薄膜。该制备方法构成本发明中控片的改进结构。使用方法包括以下步骤：步骤1、对控片前值测量；步骤2、判断前值是否超出规定；若超出规定，则进行步骤3；若未超出规定，进行步骤6；步骤3、去除控片的二氧化硅薄膜和保护层；步骤4、制备保护层覆盖硅衬底；步骤5、制备二氧化硅薄膜覆盖保护层，并对控片进行步骤1；步骤6、对控片进行多晶硅炉管工艺；步骤7、去除多晶硅层和二氧化硅薄膜，并进行步骤4、步骤5。本发明有效解决了衬底与酸液直接接触的问题。
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公开(公告)号：CN118241187A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410353803.9
申请日：2024-03-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 张乐成
摘要： 本发明提供了一种半导体工艺炉及其冷却系统，冷却系统包括：底座，底座用于安装密封圈，底座内设有冷却组件，冷却组件包括液冷流道和气冷流道；温度监控装置，温度监控装置用于监测底座的温度；控制装置，控制装置用于在温度监控装置监测到的温度达到温度阈值时控制液冷模式和气冷模式同步进行，以使温度监控装置监测到的温度保持在温度阈值，液冷模式为向液冷流道通入冷却液，气冷模式为向气冷流道通入冷却气体。本发明可以同时或单独进行液冷模式和气冷模式，有利于调节底座的温度，既能使ONO结构顺利生长，又能保护密封圈不被过高的温度损伤，大大延长密封圈的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116288270A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310171791.3
申请日：2023-02-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44
摘要： 本发明提供了一种气体注入管及ONO炉管淀积装置，用于改善ONO炉管淀积工艺中的膜质均匀性，所述气体注入管包括呈U形设置的预热段、过渡段及注入段，所述预热段的顶端通过所述过渡段与所述注入段的顶端连接，所述预热段的底端设置有供反应气体进入的进气口，所述注入段沿高度方向开设有若干用于向所述ONO炉管的腔体内通入所述反应气体的出气口。利用ONO炉管进行膜淀积时，反应气体通过进气口进入预热段，经所述预热段预热后再进入注入段，并经所述注入段上的出气口进入所述ONO炉管的腔体内，在此过程中反应气体得到了预热，可有效改善所述腔体内的晶舟不同位置处的反应气体浓度及反应活性存在差异而导致的膜质均匀性的问题。
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公开(公告)号：CN110287547B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201910476089.1
申请日：2019-06-03
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明公开了一种半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，包括计算量产半导体器件产品表面积；建立第一线性模型和第二线性模型；通过第一线性模型获得位于晶舟底部的待产半导体器件产品隔离侧墙厚度；通过第二线性模型获得位于晶舟底部和顶部待产半导体器件产品隔离侧墙厚度差值；建立第三线性模型；通过第三线性模型计算出晶舟剩余位置隔离侧墙厚度值。本发明还公开了一种半导体器件隔离侧墙厚度计算系统。本发明能准确计算待产半导体器件产品隔离侧墙厚度的半导体器件隔离侧墙厚度，缩短产线隔离侧墙厚度调整周期，提高生产效率低，避免浪费。
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公开(公告)号：CN105742215B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610173685.9
申请日：2016-03-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673 , F27D9/00 , B08B3/02
摘要： 本发明提供了一种炉管、晶片冷却方法以及自动晶舟清洁方法。所述炉管包括：炉管反应腔、以及布置在炉管反应腔的用于晶舟出入的出入口处的吹风散热装置；其中吹风散热装置包括环形微孔管和布置在环形微孔管上的朝内喷射气体和/或液体的多个石英喷嘴；其中，晶舟穿过环形微孔管和所述出入口进入炉管反应腔内部。
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公开(公告)号：CN113725135B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111005062.8
申请日：2021-08-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 张乐成
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 本发明提供一种半导体反应设备及其位置校准方法，包括：反应腔、晶圆承载模块、晶圆传递模块及至少一个位置检测模块；所述晶圆承载模块用于承载晶圆，所述位置检测模块包括第一激光发送单元、激光接收单元及第一阻挡单元，所述激光接收单元设置于所述晶圆传递模块上，所述晶圆传递模块与所述第一激光发送单元位于所述交接工位的两侧，所述第一阻挡单元位于所述晶圆承载模块上；根据所述激光接收单元的是否接收到激光判定所述晶圆承载模块是否处于预设姿态，保证每次工艺开始和结束后晶圆承载模块回到预设姿态，避免晶圆传送时发生晶圆掉落或破损的现象。
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公开(公告)号：CN113725135A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111005062.8
申请日：2021-08-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 张乐成
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 本发明提供一种半导体反应设备及其位置校准方法，包括：反应腔、晶圆承载模块、晶圆传递模块及至少一个位置检测模块；所述晶圆承载模块用于承载晶圆，所述位置检测模块包括第一激光发送单元、激光接收单元及第一阻挡单元，所述激光接收单元设置于所述晶圆传递模块上，所述晶圆传递模块与所述第一激光发送单元位于所述交接工位的两侧，所述第一阻挡单元位于所述晶圆承载模块上；根据所述激光接收单元的是否接收到激光判定所述晶圆承载模块是否处于预设姿态，保证每次工艺开始和结束后晶圆承载模块回到预设姿态，避免晶圆传送时发生晶圆掉落或破损的现象。
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公开(公告)号：CN110287547A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910476089.1
申请日：2019-06-03
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，包括计算量产半导体器件产品表面积；建立第一线性模型和第二线性模型；通过第一线性模型获得位于晶舟底部的待产半导体器件产品隔离侧墙厚度；通过第二线性模型获得位于晶舟底部和顶部待产半导体器件产品隔离侧墙厚度差值；建立第三线性模型；通过第三线性模型计算出晶舟剩余位置隔离侧墙厚度值。本发明还公开了一种半导体器件隔离侧墙厚度计算系统。本发明能准确计算待产半导体器件产品隔离侧墙厚度的半导体器件隔离侧墙厚度，缩短产线隔离侧墙厚度调整周期，提高生产效率低，避免浪费。
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公开(公告)号：CN106435520B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201611059866.5
申请日：2016-11-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种炉管尾气处理管道，在外管内并列设有第一、第二内管，第一、第二内管独立设有加热元件，并可通过设于其两端的分路切换阀的切换择一地与外部导通，外管两端连接有接头，接头独立设有加热元件，第一、第二内管分别设有进水口和出水口，用于进出清洗介质；本发明可有效减少副产物在管道内的堆积，降低管道堵塞的几率，保护炉管中工艺产品的安全性；并且自带清洗的功能可使得管道在安装后无须经常更换和清洗，减少了设备的宕机时间。
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