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公开(公告)号：CN105590940B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201610107865.7
申请日：2016-02-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种降低CMOS图像传感器的无金属硅化物区域接触电阻的方法，包括：第一步骤：进行硅片预热；第二步骤：在无金属硅化物区域执行氮化钛沉积以便在硅片表面形成氮化钛薄膜；第三步骤：在第一工艺条件下利用等离子体轰击氮化钛薄膜；第四步骤：在第二工艺条件下利用等离子体轰击氮化钛薄膜；第五步骤：执行废气排除。在第二步骤中，利用金属有机化学气相淀积执行氮化钛沉积。在第四步骤中，第二工艺条件包括：介于400∽500℃之间的工艺温度以及介于30∽60s之间的处理时间。
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公开(公告)号：CN105590849B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610109837.9
申请日：2016-02-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/316
摘要： 本发明公开了一种解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，通过优化腔体清洁中隔离片与电子吸附装置表面的相对位置，在整个腔体清洁过程中使隔离片覆盖在电子吸附装置表面，防止了副产物在电子吸附装置边缘表面微孔吸附过程的发生，同时，还可配合氧气等离子对电子吸附装置表面进行更彻底的处理，可有效抑制整个电子吸附装置保养周期内晶圆厚度均一性不断变差的趋势，使得厚度均一性得到大幅改善，从而提高了产品的良率与稳定性、可靠性。
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公开(公告)号：CN105665339B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610088128.7
申请日：2016-02-17
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于槽型湿法设备的干燥装置及干燥方法，通过在槽型湿法设备的装载及卸载晶圆区域设置干燥装置，并通过干燥装置的喷嘴，向从干燥槽进入装载及卸载晶圆区域的传送手臂的至少两侧喷射干燥气体，对传送手臂进行干燥，且能够调节干燥气体的喷射位置、距离和角度，可改善槽型湿法清洗设备装载及卸载晶圆区域的环境，防止水汽集聚，从而可有效避免晶圆表面产生凝结缺陷。
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公开(公告)号：CN103646897B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310631450.6
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种对铝薄膜工艺中晶须缺陷进行实时监控的方法，包括在铝薄膜工艺过程中，通过残气分析仪对进行铝薄膜工艺的反应腔室内的各残余气体进行实时分析处理，得到晶须监控参数，所述晶须监控参数为根据各残余气体中将引起晶须缺陷的特定残余气体的分压值所设定的指数；判断所述晶须监控参数是否大于等于阈值；以及若所述晶须监控参数大于等于所述阈值，停止所述薄膜工艺。
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公开(公告)号：CN103208414B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310081872.0
申请日：2013-03-14
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/316
摘要： 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除BPSG薄膜中散射状颗粒的方法，通过在BPSG沉积工艺之后，继续在反应腔室内通入一段时间的惰性气体，以将在该反应腔室内残留的气体吹出反应腔室，进而净化了反应腔室内的工艺环境条件，再对器件进行后续的半导体制造工艺，有效避免了进行SACVD中的BPSG工艺产生的散射状颗粒缺陷的问题，在节约工艺成本的同时，增大了产品的良率。
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公开(公告)号：CN105632963A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610140059.X
申请日：2016-03-11
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/30
摘要： 本发明提供了一种监控HDP腔室漏率的方法及系统，通过优化清洗(clean)之后的净化(purge)和抽气(pump)过程，在净化之后通过比较长时间泵抽和长时间密闭腔室，并侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化，计算腔室漏率，打破现有的单一手动漏率监测模式，实现自动漏率监控，及时发现问题，降低产品风险。
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公开(公告)号：CN104032281B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410286826.9
申请日：2014-06-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 一种解决TEOS机台保养后颗粒跳高的方法，包括进口管路、流量计、薄膜分支管路、薄膜分支管路的雾化器、厚膜分支管路、厚膜分支管路的雾化器和工艺腔室，TEOS机台保养后，通过淀积TEOS厚膜和淀积TEOS薄膜的工艺方法，以跑假片的方式，对厚膜分支管路和薄膜分支管路分别各进行至少一次的清洁处理，以排出薄膜分支管路和厚膜分支管路中的结晶小颗粒；本发明能有效解决由于管路气体回流造成的二次颗粒污染，并使得薄膜分支管路和厚膜分支管路中的结晶颗粒都得到有效清洁，从而解决机台保养后的颗粒跳高问题。
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公开(公告)号：CN103173735B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310081819.0
申请日：2013-03-14
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种PVD溅射工艺中预防靶材被击穿的方法。包括以下步骤：同时获取PVD溅射工艺中当前薄膜沉积速率和当前靶材的使用寿命值；根据当前的薄膜沉积速率，利用靶材寿命计算公式得出该靶材的实际使用寿命值；将实际使用寿命值与当前靶材的使用寿命值进行比较计算步骤，并判断经过该比较计算步骤后的值是否在设定的容许误差范围内；若经过比较计算步骤后的值在容许误差范围内，则不触发报警机制；若经过比较计算步骤的值在容许误差范围内，则触发报警机制，以对PVD溅射监控系统中的当前靶材的使用寿命值的校准工艺。本发明能够形成报警机制，从而使得系统出现故障时能够第一时间发出警报告，避免靶材被击穿。
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公开(公告)号：CN103646897A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310631450.6
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67253 , H01L22/20
摘要： 本发明公开了一种对铝薄膜工艺中晶须缺陷进行实时监控的方法，包括在铝薄膜工艺过程中，通过残气分析仪对进行铝薄膜工艺的反应腔室内的各残余气体进行实时分析处理，得到晶须监控参数，所述晶须监控参数为根据各残余气体中将引起晶须缺陷的特定残余气体的分压值所设定的指数；判断所述晶须监控参数是否大于等于阈值；以及若所述晶须监控参数大于等于所述阈值，停止所述薄膜工艺。
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公开(公告)号：CN103273413A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310121613.6
申请日：2013-04-09
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： B24B37/015
摘要： 一种化学机械研磨装置，包括：转轴；研磨台，设置在所述转轴的端部；研磨垫，设置在所述研磨台之异于所述转轴的一侧；研磨头，具有内置中空容置空间，并与所述研磨垫呈面向设置；施力装置，作用在所述研磨头上；恒温装置，具有恒温液，并通过形成循环的第一管路和第二管路与所述研磨头之中空容置空间连通；以及恒温控制器，与所述恒温装置电连接，并用以控制所述恒温装置之温度。本发明通过恒温装置之恒温液的循环，实现对所述研磨头和待研磨晶圆的温度控制，并通过所述恒温控制器对所述恒温装置之温度进行调节，以实现对所述化学机械研磨的速率进行精确控制，不仅减少凹陷和腐蚀等缺陷，而且改善化学机械研磨工艺稳定性，提高产品良率。
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