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公开(公告)号：CN106929822A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710228700.X
申请日：2017-04-10
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/0227 , C23C16/455 , H01J37/32862
摘要： 本发明提供了一种薄膜沉积方法，通过在清洗过程之后增加向反应腔内通入N2O气体产生等离子体进行处理，能够有效去除清洗后残留的F离子，避免F离子和反应腔内的部件例如喷淋头中的铝反应，从而有效延缓了所沉积的薄膜均一性上升的周期，达到了延长反应腔内的部件例如喷淋头以及整个反应腔的使用寿命的目的。
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公开(公告)号：CN105590849A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610109837.9
申请日：2016-02-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02299
摘要： 本发明公开了一种解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，通过优化腔体清洁中隔离片与电子吸附装置表面的相对位置，在整个腔体清洁过程中使隔离片覆盖在电子吸附装置表面，防止了副产物在电子吸附装置边缘表面微孔吸附过程的发生，同时，还可配合氧气等离子对电子吸附装置表面进行更彻底的处理，可有效抑制整个电子吸附装置保养周期内晶圆厚度均一性不断变差的趋势，使得厚度均一性得到大幅改善，从而提高了产品的良率与稳定性、可靠性。
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公开(公告)号：CN103646883B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310625197.3
申请日：2013-11-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/02166
摘要： 本发明提供一种铝衬垫制备方法，通过使用AL/Ti双层膜形成铝衬垫以及使用氮氧化硅作为抗反射层，从而回避了现有技术中刻蚀氮化钛薄膜作为抗反射层时的难以刻蚀问题，又解决了使用氮氧化硅薄膜作为单铝层铝衬垫的抗反射层时造成的钝化层刻蚀中的铝表面损伤问题，避免了在集成电路的后续酸洗工艺中铝衬垫会被酸腐蚀而在表面形成腐蚀坑的现象发生，提高集成电路芯片可靠性。
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公开(公告)号：CN105097635A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510626723.7
申请日：2015-09-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种静电吸盘、对晶圆进行吸附的方法，本发明在静电吸盘顶部的绝缘层中设置了多对正电极和负电极，通过设置探测部件来探测晶圆的弯曲位置和弯曲程度，并将探测结果发送给控制部件，控制部件根据该探测结果来控制每一对正电极和负电极之间的电压分布，从而使得静电吸盘产生与晶圆的弯曲位置和弯曲程度相匹配的静电吸力分布，使得整个晶圆与绝缘材料接触均匀，减小晶圆背面和静电吸盘表面材料摩擦，避免晶圆发生跳片问题，提高晶圆产品质量和静电吸盘的寿命。
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公开(公告)号：CN105088192A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510494546.1
申请日：2015-08-12
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种多管路液体气化反应成膜设备气流控制方法，该多管路液体气化反应成膜设备包括多条进气管路、抽气泵和反应腔室，多条进气管路共同通入反应腔室，所述抽气泵与反应腔室以及位于进气管路的支流阀连接，在进气管路中通入载气和反应气，使滞留气体、杂质通过支流阀被抽气泵吸走；接着，调节支流阀使载气和反应气进入到反应腔室进行化学反应，反应完成后，由抽气泵抽走所述反应腔室中的剩余废气。本发明通过优化化学反应开始前流经进气管路的载气和反应气的流向，取代传统制程程式中直接使气体流入反应腔室的方法，减少因为上一次制程后被滞留在进气管路中的残留气体和杂质直接进入反应腔室，有效改善了成膜后的颗粒表现。
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公开(公告)号：CN103602952A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310565737.3
申请日：2013-11-13
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种真空溅射设备，通过在所述背板边缘设置硬度比所述陶瓷环低的缓冲件，所述缓冲件的下端固定设置在所述溅射腔安装板上，上端设置在所述陶瓷环上表面和背板下表面之间，使得背板下表面在磨损陶瓷环上表面之前先接触缓冲件顶面，从而保护了陶瓷环，保证了设备密封型，同时节省了现有技术中特氟龙螺钉设置在背板上时对每一块靶材进行额外加工的成本，又避免了现有技术中在背板和陶瓷环之间放置特氟龙垫圈时对垫圈加工精度的要求。
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公开(公告)号：CN103337452A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310258323.6
申请日：2013-06-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/665 , H01L21/28518 , H01L29/41783 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要： 本发明提供了一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，包括：形成有栅极以及硅锗源/漏级的半导体衬底，在硅锗层上外延一层硅，对外延硅层进行非晶化处理，在外延硅层上沉积镍铂层，第一次快速退火，湿法去除未反应的镍之后进行第二次快速退火。通过在硅锗层上形成一层外延硅层，用外延硅层代替硅锗层与镍铂反应生成镍自对准硅化物，降低工艺的退火温度，提高薄膜的膜质均匀性，同时所成薄膜电阻降低减小了器件的功耗。
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公开(公告)号：CN102435155A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110379525.7
申请日：2011-11-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G01B15/02
摘要： 本发明提出一种薄膜厚度量测方法，应用于半导体制造领域，包括下列步骤：提供设定波长的X射线；将所述X射线以设定角度入射所述薄膜；对所述薄膜进行连续角度扫描，产生衍射峰，并得到薄膜衍射图谱；根据布拉格衍射公式计算所述薄膜厚度。本发明提出的薄膜厚度的量测方法，采用小角度X射线衍射，能够通过简单的计算公式得出薄膜厚度。
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公开(公告)号：CN114005765A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111273134.7
申请日：2021-10-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/68 , H01L21/027
摘要： 本发明提供一种先进图形薄膜制程工艺中遮挡环安装位置的监测方法，包括：通过量测先进图形薄膜在晶圆的对准标记区域沉积的厚度判断先进图形薄膜制程工艺的遮挡环在圆周方向的安装位置是否准确；通过量测先进图形薄膜在晶圆的对准标记区域之外的边缘区域的厚度是否一致判断遮挡环的在轴向方向的安装位置是否准确。本发明能够在圆周方向和轴向方向上完整地监测遮挡环的安装位置是否准确，具有监测的实时性、快速性、完整性和准确性。
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公开(公告)号：CN105590940B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201610107865.7
申请日：2016-02-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种降低CMOS图像传感器的无金属硅化物区域接触电阻的方法，包括：第一步骤：进行硅片预热；第二步骤：在无金属硅化物区域执行氮化钛沉积以便在硅片表面形成氮化钛薄膜；第三步骤：在第一工艺条件下利用等离子体轰击氮化钛薄膜；第四步骤：在第二工艺条件下利用等离子体轰击氮化钛薄膜；第五步骤：执行废气排除。在第二步骤中，利用金属有机化学气相淀积执行氮化钛沉积。在第四步骤中，第二工艺条件包括：介于400∽500℃之间的工艺温度以及介于30∽60s之间的处理时间。
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