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公开(公告)号：CN111813705B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010594516.9
申请日：2020-06-28
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明公开了一种串行闪存，包括：存储阵列，行译码器、列译码器、控制模块和SPI接口。控制模块还包括行使能信号。当读取到SPI地址信号中的SPI行地址的最后一位时，控制模块使行使能信号使能，行使能信号使串行闪存的内部地址的内部行地址有效并使行译码器译码并选定内部行地址。本发明还提供一种串行闪存的地址控制方法。本发明能放松对行地址的时序要求，能减少行译码器的面积，还能减少行驱动电路的面积。
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公开(公告)号：CN117636924A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311369318.2
申请日：2023-10-20
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
摘要： 本发明公开了一种闪存的上电校验方法，包括：步骤一、形成上电复位信号。步骤二、电荷泵字线读取电压以及控制栅线读取电压。步骤三、采用验证码进行验证。验证码的数据‘1’采用一个存储单元存储且存储单元设置为：和控制栅线读取电压连接的控制栅对应的浮栅存储‘0’，接地的控制栅对应的浮栅存储‘1’。步骤四、对验证结果进行判断，如果验证成功，则进行后续步骤五；如果验证失败，则重复进行步骤三。步骤五、加载闪存的修调信息；修调信息的数据‘1’采用一个存储单元存储且存储单元设置为：各浮栅都存储‘1’。本发明还公开了一种闪存的上电校验装置。本发明能防止上电时闪存内部电压不稳定造成的数据加载错误，保证上电的可靠性。
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公开(公告)号：CN117373520A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311387390.8
申请日：2023-10-25
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
摘要： 本发明公开了一种闪存的参考阵列电压控制电路，存储单元和参考单元的结构相同且都采用分离栅浮栅器件。读取时，电荷泵提供控制栅线读取电压到选定存储单元的非选定存储位对应的控制栅所连接的控制栅线上。参考阵列电压控制电路包括电压转换电路，电压转换电路包括第一二极管和第一电流源。第一二极管的阳极连接控制栅线读取电压，第一二极管的阴极连接第一电流源的第一端并输出第二控制栅线读取电压，第一电流源的第二端接地。第二控制栅线读取电压连接到参考单元的编程位对应的控制栅所连接的参考控制栅线上。本发明能使第二控制栅线读取电压和控制栅线读取电压的波动相同，同时减少参考电流的温度系数和减少串扰，还能增加读写窗口。
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公开(公告)号：CN117275560A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311395265.1
申请日：2023-10-25
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
摘要： 本发明公开了一种闪存读操作的电压控制装置，存储单元都采用分离栅浮栅器件。各第一栅极结构的控制栅连接到控制栅线。在读操作时，电压控制装置用于对未选定存储位的控制栅电压进行控制，包括：设置第一时间段，控制栅电压设置为第一高电压。第一时间段之间的间隔区域设置为第二时间段，当第二时间段小于等于读退出时间时，控制栅电压设置为第一中电压。当第二时间段大于所述读退出时间时，小于等于读退出时间的区域控制栅电压设置为第一中电压，大于控制栅电压设置为低电压。本发明还提供一种闪存读操作的电压控制装置。本发明能在对读速度和功耗产生的影响最小的条件下，减少读串扰。
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公开(公告)号：CN117153221A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311090968.3
申请日：2023-08-28
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
摘要： 本发明公开了一种闪存的编程信号控制电路，在一次编程中，数据输入信号中的m+1位数据同时实现写入m+1位的存储单元中，数据输入信号中的0数据位对应的存储单元的源极所连接的位线为选定位线。源编程电压在第一编程信号的控制下连接到各选定位线，各选定位线分别具有第一寄生电容，源编程电压会对各选定位线的第一寄生电容进行充电使各选定位线的电位上升，初始阶段中具有由数据输入信号确定的第一延时；编程信号控制电路使第一编程信号的有效电平切换沿相对于初始编程信号的有效电平切换沿产生第二延时，第二延时的大小由数据输入信号控制并用于对第一延时进行补偿，使数据输入信号在各种数据图案下对应的各选定位线上的有效时间差异减小或相等。
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公开(公告)号：CN117037864A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310655289.X
申请日：2023-06-05
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
摘要： 本发明公开了一种灵敏放大器电路，位线调整单元包括第一NMOS管；第一NMOS管连接在数据线节点和位线节点之间，栅源极之间具有反馈电路，包括：第一反相器，输入端和输出端分别连接位线节点和反馈节点，第一NMOS管的栅极为反馈节点。在第一反相器的电源端和电源电压之间连接有第一开关。在电源电压和反馈节点之间还串接有第一电流源和第二开关。读取过程中包括前后相接的第一阶段和第二阶段。在第一阶段中，第一开关导通和第二开关断开，采用第一反相器实现位线节点和所述反馈节点之间的强反馈，以保证速度。在第二阶段中，第一开关断开和第二开关导通，第一电流源实现位线节点和反馈节点之间的固定电流反馈，以消除电源电压的波动对读取结果的影响。
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公开(公告)号：CN117012243A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310634521.1
申请日：2023-05-31
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
IPC分类号： G11C11/40 , H01L27/118 , G11C11/4074 , G11C11/4063 , G11C5/14
摘要： 本发明公开了一种负压放电电路包括：分步放电模块和钳位放电路径。在放电过程中，分步放电模块分步控制放电电流使第一信号线的电压从初始负压开始逐渐升高到小于目标电压的第一电压。钳位放电路径包括第一和第二开关以及第一NMOS管。第一和第二开关连接形成放电路径，第一开关的控制端连接第一控制信号，第一控制信号在第一信号线上升到第一电压之后使钳位放电路径开启。第一NMOS管的栅漏极都连接到第一开关的第二端，源极连接所述第二信号线；在钳位放电路径开启后，第一NMOS管防止第一信号线的电压产生过冲；第一电压设置为小于第一NMOS管的漏区和P型衬底之间的PN结的正偏开启电压，以防止PN结正偏导通并从而防止所述第一NMOS管产生闩锁效应。
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公开(公告)号：CN116995894A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310890847.0
申请日：2023-07-19
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
IPC分类号： H02M1/00 , H02M3/07 , G01R19/165
摘要： 本发明公开了一种电荷泵检测电路包括差分放大器和输出级电路。差分放大器的两输入端分别连接检测电压和参考电压，输出端输出第一放大信号。输出级电路包括第一电流路径和施密特触发器；第一电流路径包括第一PMOS管和第一电流源。第一PMOS管的源极连接电源电压，栅极连接第一放大信号，漏极输出第一输出信号，第一电流源连接在第一PMOS管的漏极和地之间；电源噪声会使第一输出信号产生电源干扰。施密特触发器的输入第一输出信号并输出第二输出信号，施密特触发器使第二输出信号中无电源干扰。反馈信号由第二输出信号得到。本发明能消除电源噪声对反馈信号的干扰并从而能防止电荷泵产生误翻转，并从而降低功耗。
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公开(公告)号：CN116798488A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310786963.8
申请日：2023-06-29
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
摘要： 本发明公开了一种参考电路，包括多个参考列。存储器的存储阵列分成多个存储子阵列，各存储子阵列都设置有一个所述参考列。在对选定存储单元进行读取时，采用选定存储单元所在的存储子阵列对应的参考列中同一行的参考单元作为选定参考单元。在存储子阵列每进行一次擦除时，所对应的参考列都进行一次编程，使选定存储单元和选定参考单元的擦除时间相同，选定参考单元的参考电流随擦除时间变化会跟随选定存储单元的单元电流随擦除时间的变化，从而提高选定存储单元的编程窗口。本发明还公开了一种参考电路的参考电流的产生方法。本发明能实现参考电流跟随单元电流随擦除时间的变化进行变化，从而能增加存储单元的编程窗口。
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公开(公告)号：CN116543812A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310416985.5
申请日：2023-04-18
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
摘要： 本发明公开了一种EEPROM，由多个存储单元组成阵列单元，由多个阵列单元排列形成EEPROM的阵列结构。各存储单元都采用分离栅浮栅器件。阵列结构中，同一行的各阵列单元共用同一行控制栅线，本地字线独立设置。擦除过程设置为初始阶段、字线上电阶段和擦除阶段。在初始阶段中，未选定单元的本地字线也在一个脉冲时间连接到主字线的地电位；在字线上电阶段未选定单元的本地字线在地电位的基础上浮置，在擦除阶段中，控制栅线的负擦除电压的耦合作用下使未选定单元的本地字线的浮置电位位于地电位以下，从而降低未选定单元的各所述存储单元被擦除风险。本发明还公开了一种EEPROM的操作方法。本发明能在擦除过程中降低同一行的未选定的阵列单元的擦除风险。
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