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公开(公告)号：CN112185965B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202011261858.5
申请日：2020-11-12
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 本发明公开了一种掩膜只读存储器，包括：栅极区，包括若干串联晶体管构成的栅极，用于存储信息并在栅极电压的控制下控制所述掩膜只读存储器的信息读出，各晶体管共用源极和漏极；漏极区，用于形成所述掩膜只读存储器的漏极；源极区，用于形成所述掩膜只读存储器的源极，节省版图面积的目的，通过本发明，可以节省芯片的占用面积。
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公开(公告)号：CN111489779A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010300323.8
申请日：2020-04-16
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 本发明提供一种双分离栅闪存电路、存储装置及读取方法。所述双分离栅闪存电路包括存储单元和用来获取存储单元的读出电信号控制模块，存储单元包括与源电极连接的第一位线和与漏电极连接的第二位线，在执行读操作时，将第二位线预充到电源电压，并使控制模块电连接至第一位线的输出端来获取读出信号。所述双分离栅闪存电路在电源电压较小的场合也可以较方便地在存储单元源漏电极间形成满足读操作需要的电势差，进而对选中存储单元进行读操作。控制模块不需要专门设置NZ管来减少电压损耗，可以省掉一层光罩，节约闪存制作成本。本发明还提供一种包括上述双分离栅闪存电路的存储装置和一种利用上述双分离栅闪存电路的读取方法。
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公开(公告)号：CN107634647B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201710885052.5
申请日：2017-09-26
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 胡剑
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开了一种电压倍增电路，包括：充电控制电路，用于在输入信号A的高电平控制下开启充电电路；充电电路，用于在所述充电控制电路的输出的控制下将所述充电电路的MOS电容充电至电源电压；电压提升电路，用于在所述输入信号A为低电平时输出高电平从而将所述充电电路的MOS电容的另一端的电压即节点VDDx21的电压提升1倍；倍增电压传输电路，用于在所述输入信号A为低电平时将所述充电电路的MOS电容的另一端的电压输出，所述充电控制电路与所述倍增电压传输电路中采用的MOS管均为低压MOS管，通过奔本发明，可避免使用面积大的高压MOS管，节省电路面积。
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公开(公告)号：CN109473140A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811198901.0
申请日：2018-10-15
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 本发明公开了一种消除闪存编程干扰的电路，包括：窄脉冲产生电路，用于产生一宽度为τ的正向窄脉冲；窄脉冲输出电路，用于根据所述窄脉冲产生电路的输出产生宽度为τ的正向窄脉冲和负向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P和编程许可窄脉冲PROGEN_P；位线充电电路，用于在所述编程预充电窄脉冲PROGDR_P的宽度为τ的正向窄脉冲的控制下打开NMOS管以将对应的位线快速预充电至Vdd-Vt，通过本发明，可消除NORD cell的编程干扰。
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公开(公告)号：CN107342107A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710543973.3
申请日：2017-07-05
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 本发明提供了一种存储器件及其操作方法，所述存储器件包括若干个存储单元，其中，每个存储单元包括多行多列闪存结构，所述存储器件还包括高压译码器、低压译码器和隔离模块，所述隔离模块包括多个隔离单元，其中：多个所述隔离单元连接在所述高压译码器和所述低压译码器之间，每个所述闪存结构均连接于高压译码器与一个隔离单元的连接处，两个闪存结构共用同一控制栅，所述高压译码器为与之连接的所述闪存结构提供操作电压；对某个所述闪存结构进行编程时，与该闪存结构连接的隔离单元关断，与该闪存结构共用同一控制栅的闪存结构所连接的隔离单元关断，剩余隔离单元导通。
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公开(公告)号：CN103078614B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201210564124.3
申请日：2012-12-21
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H03K17/08
摘要： 一种电压钳位电路，包括：晶体管组、第一晶体管和第二晶体管；还包括：第三晶体管，所述第三晶体管的类型与所述第二晶体管的类型相同，所述第三晶体管的控制端与所述第二晶体管的控制端连接，第一端接入输入电压，第二端接入第二电压，所述第三晶体管的尺寸大于所述晶体管组中的串联晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管的尺寸。本发明技术方案提供的电压钳位电路，只需使用一个大尺寸的晶体管，有效地节省了电路面积，并增强了电压钳位电路的放电能力。
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公开(公告)号：CN102855931B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201210352896.0
申请日：2012-09-19
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 一种存储器及其读取电路，所述读取电路包括：电流镜单元，包括栅极相连的第一PMOS管和第二PMOS管；基准电压产生单元，用于输出基准电压，包括第三PMOS管和参考电流源，所述第三PMOS管的栅极与漏极连接并接地，源极为基准电压输出端，所述参考电流源一端与电源电压连接，另一端与所述第三PMOS管的源极连接；运放单元，包括第一输入端、第二输入端和比较输出端，所述第一输入端与所述基准电压输出端连接，所述第二输入端与所述位线节点连接，所述比较输出端与所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极连接；传输门译码单元，包括NMOS管组和PMOS管组。本发明读取电路提高了存储器在低电源电压下的读取速度和精度。
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公开(公告)号：CN106782638A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710011838.4
申请日：2017-01-06
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 胡剑
摘要： 一种字线译码电路和存储器，字线译码电路包括：电压检测电路，适于比较擦除电压与阈值以输出检测电压；译码偏置电压产生电路，适于根据检测电压产生译码偏置电压；字线偏置电压产生电路，适于根据检测电压产生字线偏置电压；当擦除电压大于等于阈值时，译码偏置电压和字线偏置电压均被上拉至第一电源电压，当擦除电压小于阈值时，译码偏置电压和字线偏置电压被下拉至地线电压，第一电源电压大于地线电压；译码电路，适于接收擦除电压和译码偏置电压，对数据信号进行译码以输出译码结果；选择电路，适于根据译码结果，在擦除电压和字线偏置电压中选择其中一个作为字线信号。本发明方案在保证译码准确性的同时节约了功耗。
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公开(公告)号：CN103780256B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410005971.5
申请日：2014-01-07
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 一种电荷泵系统及存储器，所述电荷泵系统包括：时钟振荡单元，适于在接收到振荡使能信号时产生时钟信号；至少一个电荷泵单元，所述电荷泵单元适于在接收到电荷泵使能信号和所述时钟信号时输出升压电压，根据所述升压电压获得并发送升压使能信号；第一使能控制单元，适于在接收到所述电荷泵系统的启动信号和所述升压使能信号时，对所述启动信号进行延时处理以获得并发送所述振荡使能信号；第二使能控制单元，适于在接收到所述振荡使能信号和所述升压使能信号时，对所述振荡使能信号进行延时处理以获得并发送所述电荷泵使能信号。本发明技术方案提供的电荷泵系统在启动过程中功耗减小。
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公开(公告)号：CN103345934B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310217964.7
申请日：2013-06-03
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 本发明公开一种控制栅极电压译码电路，至少包括：地址译码器，用于将n比特的地址信号译码后产生2n比特的控制栅极选择信号及其反相信号；多路选择器，在擦写许可信号控制下对地址译码器输入的控制栅极选择信号进行选择产生所需控制栅极信号输出；电平位移器对该多路选择器产生的输出进行电平位移产生正电压的控制栅极选择信号及其反相信号；锁存器用于对该电平位移器的输出进行锁存，产生高电压为控制栅偏置电压，低电压为擦除电压的控制栅极选择信号；以及缓冲器用于将锁存后的控制栅极选择信号缓冲后产生所需电压极性的控制栅极选择信号，本发明不仅可以同时适合于正电压和负电压偏置，而且所有使用的MOS管电压差低于7V，节约芯片面积。
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