公开(公告)号：CN112103355A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010898530.8

申请日：2020-08-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  陈日志 ,  李柝时 ,  温丹丹 ,  顾峰 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种提供CdZnTe/CdTe/AlN复合结构、日盲区紫外探测器和其制备方法，其外延层包括由下至上依次设置的p型AlN衬底、CdTe过渡层和n型CdZnTe膜，所述p型AlN衬底上引出p型欧姆电极，所述n型CdZnTe膜上引出n型欧姆电极。本发明提供的CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、CdTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在CdTe/AlN衬底上快速生长大面积、低缺陷浓度的CdZnTe薄膜，CdTe/AlN衬底能保证CdZnTe/CdTe/AlN基日盲区紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的CdZnTe/CdTe/AlN垂直电导结构有着较低的漏电流，对日盲区紫外光也有着较强的光响应。

公开(公告)号：CN113471303A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110658831.8

申请日：2021-06-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈悦 ,  李柝时 ,  温丹丹 ,  陈日志 ,  顾峰 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/115 ,  H01L31/117 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种高探测效率自支撑CdZnTe厚膜结构、探测器件及其制备方法和应用。本发明提供的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器制备方法包括衬底预处理、CdZnTe膜的生长过程、CdZnTe膜的剥离过程、自支撑CdZnTe厚膜伽马射线探测器的电极制作四个主要步骤。本发明方法通过在一种高热导率的单晶膜基底上生长CdZnTe厚膜，基底的高热导率能促进CZT晶粒的形核，进而获得大面积、低缺陷浓度的CdZnTe厚膜，所制得的高探测效率自支撑CdZnTe厚膜伽玛射线探测器具备十分优异的高能辐射探测特性，在室温条件下体漏电流和噪声都较低，对伽玛射线的截止能力和探测量子效率较高，成为目前室温半导体辐射探测领域的热点。