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公开(公告)号：CN103413808A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310217963.2
申请日：2013-06-03
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L27/115
摘要： 本发明公开一种电可擦可编程只读存储器，至少包括：半导体衬底；于该半导体衬底上设置N阱，该N阱上具有间隔设置的源极区域和漏极区域及沟道区，该沟道区位于该源极区域与该漏极区域之间；第一浮栅，设置于该沟道区和该源极区域上方，第二浮栅，设置于该沟道区和该漏极区域上方，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；以及字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间，通过本发明，不仅可以减少芯片面积，而且降低了编程时的功耗，同时在读操作时避免了位线耦合问题。
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公开(公告)号：CN103412601A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310371154.7
申请日：2013-08-22
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种参考电压提供电路，包括：电源控制电路、带隙基准电路、输出控制电路和输出保持电路，所述电源控制电路适于在第一控制信号的控制下提供电源电压至带隙基准电路；带隙基准电路由所述电源电压供电，适于产生与温度无关的基准电压；输出控制电路，适于在第二控制信号的控制下将带隙基准电路产生的基准电压传输至输出保持电路，所述第二控制信号的有效脉冲的起始时间晚于所述第一控制信号的有效脉冲的起始时间，所述第二控制信号的有效脉冲的结束时间早于所述第一控制信号的有效脉冲的结束时间；输出保持电路适于持续输出参考电压，所述参考电压的电压值与所述基准电压的电压值相关。本发明技术方案可以有效地降低功耗且启动速度快、占用面积小。
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公开(公告)号：CN103346156A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310270867.4
申请日：2013-06-28
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L27/115
摘要： 本发明公开一种电可擦可编程只读存储器，至少包括：半导体衬底；于该半导体衬底上间隔设置N型重掺杂的源极区域和漏极区域及沟道区该沟道区位于该源极区域和该漏极区域之间；第一位线和第二位线，分别连接于该源极区域和该漏极区域；第一浮栅，设置于该沟道区和该源极区域上方，第二浮栅，设置于该沟道区和该漏极区域上方，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；以及字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间，通过本发明，避免了大量使用字线电压选择开关，减少了芯片的面积。
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公开(公告)号：CN103236789A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310145484.4
申请日：2013-04-24
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
摘要： 一种电荷泵输出电压的调节电路及存储器。所述电路包括：升压电路、斜率控制电路和输出晶体管，所述升压电路的输入端连接电荷泵的输出端，适于将电荷泵的输出电压升压至第一电压，所述第一电压与电荷泵的输出电压之间的电压差大于输出晶体管的阈值电压；斜率控制电路的输入端连接升压电路的输出端，斜率控制电路的输出端连接输出晶体管的栅极，斜率控制电路的输出电压随斜率控制电路的输入电压变化至所述第一电压，所述斜率控制电路的输出电压的电压变化速度小于斜率控制电路的输入电压的电压变化速度；输出晶体管的漏极和源极分别连接电荷泵的输出端和调节电路的输出端。本发明调节电路的输出电压稳定，减少了后续存储单元擦除操作时的误操作。
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公开(公告)号：CN102034550B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910196868.2
申请日：2009-09-27
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
IPC分类号： G11C17/18
摘要： 本发明提供一种电熔丝烧操作的方法和烧录装置。所述方法包括以下步骤：在CLK低电位时将编程数据移位；判断是否需要对当前电熔丝进行烧操作，以写入所述编程数据，如果是，则在CLK高电位时对所述电熔丝进行烧操作；验证烧操作之后的电熔丝是否需要进行重烧，如果是，则再次对所述电熔丝进行烧操作。利用上述电熔丝烧操作的方法和烧录装置能够避免电熔丝烧操作的占据较多的时间，以提高编程效率。
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公开(公告)号：CN102013267B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910195610.0
申请日：2009-09-07
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
摘要： 一种存储器和灵敏放大器，所述灵敏放大器包括：预充电单元、位线调整单元、电流镜单元、比较单元、反灌单元、偏置单元和输出单元，所述反灌单元连接在所述电流镜单元的输入端和输出端之间，耦合所述数据线节点的电压和数据节点的电压；所述偏置单元，在位线预充电时，将所述数据节点的电压偏置到预设电压值。所述存储器和灵敏放大器解决了在位线预充电结束时，因数据电压升高而引起输出数据错误的问题。
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公开(公告)号：CN103177749A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310041887.4
申请日：2013-02-01
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
IPC分类号： G11C7/14
摘要： 本发明公开一种读电压产生电路，包括：第一电荷泵，产生一读电压；取样电路，连接于该读电压，以对该读电压取样后送至比较器之一输入端，该读电压与取样电压的比例至少大于2；比较器，其另一输入端接基准产生电路，以获得具有温度补偿的基准电压，输出端输出反馈信号至该第一电荷泵以控制该第一电荷泵工作；以及基准产生电路，以产生带温度补偿的基准电压至该比较器，通过本发明产生的读电压比例高且跟随温度变化，利于扩展读电压。
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公开(公告)号：CN103107695A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310029800.1
申请日：2013-01-25
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
发明人： 杨光军
CPC分类号： G11C5/145
摘要： 一种电荷泵电路及存储器，所述电荷泵电路包括时钟驱动单元、升压单元、上升摆幅控制单元、第一NMOS管、第一电流镜单元、第二NMOS管以及第二电流镜单元，其中，时钟驱动单元基于第二镜像电流形成时钟驱动信号并输出至升压单元，升压单元基于所述时钟驱动信号输出升压电压至上升摆幅控制单元和第一电流镜单元，上升摆幅控制单元基于所述升压电压输出上升摆幅控制信号至第一NMOS管的栅极，第一电流镜单元输出第一镜像电流，第二电流镜单元对所述第一镜像电流进行镜像，输出所述第二镜像电流。本发明技术方案提供的电荷泵电路使时钟驱动信号的频率自动跟随漏电流负载的大小进行变化，减小了电荷泵电路的面积、降低了功率损耗。
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公开(公告)号：CN102855930A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210352887.1
申请日：2012-09-19
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
摘要： 一种存储器、存储阵列的编程控制方法及装置，所述存储阵列中，同一列的存储单元共用一条位线，同一行的存储单元共用一条字线，每两行存储单元共用一条源线；所述编程控制方法包括：施加字线编程电压至与目标存储单元连接的字线，施加0V电压至与所述目标存储单元共用源线的存储单元连接的字线，施加字线偏置电压至剩余字线；施加源线编程电压至与目标存储单元连接的源线，施加源线偏置电压至剩余源线；施加编程电流以在与目标存储单元连接的位线上产生位线编程电压，施加位线预编程电压至剩余位线。本发明技术方案提供了一种存储器、存储阵列的编程控制方法及装置，减小了存储阵列的功率损耗。
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公开(公告)号：CN101807433B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201010121436.8
申请日：2010-03-10
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
摘要： 本发明公开了一种存储器的编程方法。其中，存储器包含存储单元及与存储单元相连接的位线。该编程方法具体包含步骤：选择相连接的第一存储单元及第二存储单元，第一存储单元及第二存储单元共漏极，分别与第一存储单元及第二存储单元的源极相连接的位线为第一源极位线及第二源极位线，与上述漏极相连的位线为漏极位线；分别从第一源极位线及第二源极位线输入编程电流到第一存储单元及第二存储单元，并从漏极位线输入编程电压，从而对第一存储单元及第二存储单元进行编程。
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