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公开(公告)号：CN116262889B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202111523248.2
申请日：2021-12-13
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子刻蚀清洗后中和清洗剂在清洗半导体器件中的应用。该应用的中和清洗剂的原料包括下列质量分数的组分：1％‑5％半胱氨酸、1％‑5％羟胺、0.1％‑0.5％EO‑PO‑EO嵌段共聚物L31、0.1％‑1％表面活性剂B、0.1‑1％螯合剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的中和清洗剂中和力强、对金属和介质层腐蚀速率低、对杂质离子的清除效果好。
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公开(公告)号：CN113186043A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110459918.2
申请日：2021-04-27
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种含氟清洗液组合物及其应用。该含氟清洗液组合物包括下述质量分数的组分：10‑30％氧化剂、0.001‑0.01％还原型谷胱甘肽、0.001‑0.25％半胱氨酸、1‑5％氟化物、1‑5％有机碱、0.01‑2％螯合剂、0.01‑2％缓蚀剂、0.5‑3％羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L81、0.01‑2％9‑蒽甲醛‑1,1‑二苯基腙和水，水补足余量。本发明的含氟清洗液组合物可选择性地除去微电子器件上的硬遮罩，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107815353B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201710548063.4
申请日：2017-07-06
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/14 , C11D1/22 , C11D1/34 , C11D1/66 , C11D3/04 , C11D3/10 , C11D3/20 , C11D3/22 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/43 , C11D3/60 , H01L21/56
摘要： 本发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用。本发明的应用中，所述的去胶剂由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：20％‑70％的溶剂、10％‑50％有机胺、0.01％‑50％还原剂、0.01％‑5％无机碱、0.01％‑10％表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述去胶剂的pH值为7.5‑13.5。本发明的去胶剂可单独去除tape胶或溢料，或者同时去除tape胶和溢料，并减少后续电镀工艺的毛刺的产生；对塑封体和基材无损伤。
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公开(公告)号：CN107805550B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201710548066.8
申请日：2017-07-06
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/14 , C11D1/22 , C11D1/34 , C11D1/66 , C11D3/04 , C11D3/10 , C11D3/20 , C11D3/22 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/43 , C11D3/60 , H01L21/56
摘要： 本发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用。本发明的去胶剂的制备方法，其包括下列步骤：其包括下列步骤：将下述去胶剂的原料混合，即可；所述的原料包括下列质量分数的组分：20％‑70％的溶剂、10％‑50％有机胺、0.01％‑50％还原剂、0.01％‑5％无机碱、0.01％‑10％表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述去胶剂的pH值为7.5‑13.5。本发明的制备方法制得的去胶剂寿命长，可在3个月内循环重复使用；可单独去除tape胶或溢料，或者同时去除tape胶和溢料，并减少后续电镀工艺的锡毛刺的产生；对塑封体和基材无损伤。
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公开(公告)号：CN116262889A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111523248.2
申请日：2021-12-13
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子刻蚀清洗后中和清洗剂在清洗半导体器件中的应用。该应用的中和清洗剂的原料包括下列质量分数的组分：1％‑5％半胱氨酸、1％‑5％羟胺、0.1％‑0.5％EO‑PO‑EO嵌段共聚物L31、0.1％‑1％表面活性剂B、0.1‑1％螯合剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的中和清洗剂中和力强、对金属和介质层腐蚀速率低、对杂质离子的清除效果好。
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公开(公告)号：CN116218612A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111481390.5
申请日：2021-12-06
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种聚酰亚胺清洗液在清洗半导体器件中的应用。该应用中的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：30％‑80％有机溶剂、0.001％‑0.01％还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％半胱氨酸、1％‑5％醇胺、1％‑5％有机碱、0.01％‑2％螯合剂、0.01％‑2％缓蚀剂、0.5％‑3％羧酸铵、0.01‑1％表面活性剂、0.01％‑2％流平剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的清洗液的清洗能力强、腐蚀速率低和避免了等离子刻蚀及灰化等繁琐工艺。
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公开(公告)号：CN113150884B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110461586.1
申请日：2021-04-27
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/72 , C11D3/39 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/04 , C11D3/30 , C11D3/28 , C11D3/20 , C11D3/26 , C11D3/60 , C23F1/26
摘要： 本发明公开了一种含氟清洗液组合物的制备方法。该的制备方法包括如下步骤：将以下质量分数的组分混合，即得到所述的含氟清洗液组合物；10‑30％氧化剂、0.001‑0.01％还原型谷胱甘肽、0.001‑0.25％半胱氨酸、1‑5％氟化物、1‑5％有机碱、0.01‑2％螯合剂、0.01‑2％缓蚀剂、0.5‑3％羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L81、0.01‑2％9‑蒽甲醛‑1,1‑二苯基腙和水。采用该制备方法得到的含氟清洗液组合物可选择性地除去微电子器件上的硬遮罩，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103361681B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201310343305.8
申请日：2013-08-08
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
CPC分类号： C25D3/38 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/76898
摘要： 本发明公开了一种能改变TSV微孔镀铜填充方式的添加剂C及包含其的电镀液，该添加剂C包含按质量百分比计：5%‑10%的分子量在200‑100,000之间的聚乙二醇和聚乙烯醇其中之一或其不同分子量的混合物；0.001%‑0.5%的烷基酚聚氧乙烯醚或脂肪醇聚氧乙烯醚系列表面活性剂的异构体；溶剂为水。包含本发明的添加剂C的电镀液用于TSV微孔镀铜填充，通过合理的配比电镀过程中电镀电流的分布可以实现conformal（等壁生长）和bottom‑up（超等壁填充）生长方式的顺利转换，降低镀层中Seam或void出现的可能性，实现高速电镀填充，减少面铜厚度，从而节约了TSV电镀时间及后制程化学机械抛光（CMP）成本，极大的提高生产效率。
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公开(公告)号：CN103361694A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310343314.7
申请日：2013-08-08
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
CPC分类号： H01L21/76879 , C25D3/38 , C25D5/34 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D7/12 , H01L21/2885 , H01L21/76883 , H01L21/76898
摘要： 本发明公开了一种用于3D铜互连高深宽比硅通孔技术微孔电镀填铜方法，包含步骤1：配制甲基磺酸铜体系电镀液；步骤2：通过电镀预处理对硅通孔技术的微孔进行润湿；步骤3：带电入槽，增加超小电流扩散步骤，使铜离子和添加剂在硅通孔技术的微孔表面和孔内部实现合理分布；步骤4：将硅通孔技术所在晶圆片与电源阴极连接，使晶圆电镀面完全浸泡在电镀溶液中，在阴极旋转或搅拌情况下进行分步电流法电镀，电镀条件为电流密度0.01-10A/dm2，温度15-30℃；步骤5：将晶圆用去离子水完全冲洗干净，甩干或吹干。本发明提供的用于3D铜互连高深宽比硅通孔技术微孔电镀填铜方法，填孔速度快，面铜薄，无空洞和裂缝风险，能实现深宽大于10∶1的高难孔型的完全填充。
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公开(公告)号：CN116218610B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202111481377.X
申请日：2021-12-06
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/722 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/43 , C11D3/60
摘要： 本发明公开了一种聚酰亚胺清洗液的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将清洗液的原料混合，即可，清洗液的原料包括下列质量分数的组分：30％‑80％有机溶剂、0.001％‑0.01％还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％半胱氨酸、1％‑5％醇胺、1％‑5％有机碱、0.01％‑2％螯合剂、0.01％‑2％缓蚀剂、0.5％‑3％羧酸铵、0.01‑1％表面活性剂、0.01％‑2％流平剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明制得的清洗液的清洗能力强、腐蚀速率低和避免了等离子刻蚀及灰化等繁琐工艺。
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