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公开(公告)号:CN116527028A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202310475620.X
申请日:2023-04-28
Applicant: 上海电力大学
IPC: H03K17/04 , H03K17/687 , H02M1/08
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET的有源栅极驱动电路及方法,用于改善SiC MOSFET开关性能,属于电力电子领域。在传统栅极驱动CGD的基础上,AGD在特定瞬态开关阶段向栅极提供额外的驱动电流,加速SiC MOSFET的特定瞬态开关阶段,以致SiC MOSFET获得更高的开关速度和整个开关期间更低的开关损耗;在振荡阶段接入较大的栅极驱动电阻来减小振荡幅度从而减小EMI。与传统的固定驱动电压的栅极驱动器CGD相比,本发明AGD可以更有选择性地调节SiC MOSFET的开关轨迹,灵活度更高,并具有抑制过冲、振荡和降低损耗的能力,同时不影响EMI。
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公开(公告)号:CN114396359A
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN202111292779.5
申请日:2022-03-21
Applicant: 上海电力大学
Abstract: 本发明涉及一种双馈风机变流器IGBT热管理方法、系统和存储介质,方法包括以下步骤:获取实时风速,计算第一功率;根据不同风速下对应结温数据,建立风速‑结温拟合曲线,并根据结温阈值范围,利用风速‑结温拟合曲线获取第一风速范围;利用小波包算法对实时风速进行分解重构,将第二风速重复进行分解重构,当第二风速处于第一风速范围内时,使用当前第二风速计算得到第二功率;比较第一功率和第二功率的大小,若第二功率较小,则将第四功率设置为第二功率的大小;若第一功率较小,判断风机是否失速并根据结果设定第四功率,最后,将第三功率输出至双馈风机变流器IGBT模块。与现有技术相比,本发明具有准确性高等优点。
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公开(公告)号:CN113343449A
公开(公告)日:2021-09-03
申请号:CN202110576141.8
申请日:2021-05-26
Applicant: 上海电力大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种风电变流器IGBT模块焊料空洞识别方法、系统和介质,方法包括以下步骤:获取待测IGBT模块的电参数和温度参数,计算待测IGBT模块的功率损耗;建立热网模型,进行拉普拉斯变换和双线性变换,结合RLS计算得到待测IGBT模块的动态可识别热阻Rc,得到待测IGBT模块的自热阻更新值和耦合热阻更新值;对比相同工况下健康IGBT模块的动态可识别热阻Rc(ref),得到动态焊料空洞等效热阻。与现有技术相比,本发明利用壳温与环境温度的差值以及功率损耗拟合得到待测IGBT模块的动态可识别热阻,与相同工况下健康IGBT模块的动态可识别热阻进行比较,从而识别焊料空洞,分析空洞损伤程度,还分离出自热阻更新值和耦合热阻更新值,为进一步分析空洞损耗原因奠定了基础。
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