公开(公告)号：CN116403913A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310306792.4

申请日：2023-03-27

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 汤加苗 ,  颜国秋 ,  刘青林 ,  杨威 ,  王建彬 ,  付海涛

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

摘要： 本发明提供一种FCBGA封装芯板、封装基板及其制备方法，所述封装芯板制备方法包括：提供玻璃基板，玻璃基板为无碱玻璃、碱性玻璃、三氧化二铝玻璃、高硼硅玻璃以及石英玻璃中的一种，其热膨胀系数介于1ppm/℃～10ppm/℃之间，导热系数介于1W/m·K～5W/m·K之间，且对玻璃基板进行热处理；形成贯穿玻璃基板的互联孔；形成覆盖玻璃基板相对两面及互联孔表面的金属种子层；形成覆盖金属种子层的金属互联层，且金属互联层填充满互联孔；图形化金属互联层及金属种子层，至显露出玻璃基板表面。本发明的FCBGA封装芯板具有尺寸稳定性好、翘曲变形小、导热性好、强度高、布线密度高、可靠性高、流程短，生产周期短、制作成本低的优点，适用于高端芯片的封装以及异构集成封装等领域。

公开(公告)号：CN116313827A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310306794.3

申请日：2023-03-27

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 汤加苗 ,  颜国秋 ,  刘青林 ,  杨威 ,  王建彬 ,  付海涛

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

摘要： 本发明提供一种FCBGA玻璃芯板、封装基板及其制备方法，玻璃芯板的制备方法包括：提供玻璃基板，玻璃基板为无碱玻璃、碱性玻璃、三氧化二铝玻璃、高硼硅玻璃及石英玻璃中的一种，热膨胀系数介于1ppm/℃～10ppm/℃之间，导热系数介于1W/m·K～5W/m·K之间，对玻璃基板进行热处理；形成贯穿玻璃基板的互联孔；图形化玻璃基板，以于玻璃基板的相对两面形成与金属互联导电层对应的凹槽；形成填充满凹槽及互联孔的金属互联导电层。采用本发明的FCBGA玻璃芯板的制备方法制备的封装基板具有尺寸稳定性好、翘曲变形小、可靠性高、导热性好、强度高、提高基板的共面性、提升产品良率、为后续元器件或者芯片的贴装提供良好环境、降低产品对材料选择和图形设计难度、降低生产成本的优点。

公开(公告)号：CN118057915A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202211448611.3

申请日：2022-11-18

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 田鸿洲 ,  宋景勇 ,  许托 ,  冯后乐 ,  秦丽赟 ,  杨威 ,  刘青林

IPC分类号： H05K3/18 ,  H05K3/46

摘要： 本发明提供一种FCBGA封装基板用电镀导轨装置，包括：主、副导轨、挂架单元、被镀单元、电镀池和驱动单元，副导轨与主导轨平行设置；多个挂架单元依次挂接于主导轨上，每个挂架单元均包括挂架主体和滑动件，挂架主体挂接于主导轨上，且挂架主体上安装有微型注射器，微型注射器中装设有润滑油；滑动件一端固定于挂架主体下方，另一端与副导轨滑动连接；被镀单元包括框架、夹具和被镀件，框架呈竖向固定于挂架主体下方，夹具设置于框架上；电镀池中装设有电镀液；驱动单元驱动挂架主体同时沿主导轨、副导轨移动。本发明中的电镀装置为被镀件提供持续稳定的电流回路，提高电镀均匀性的控制，且避免金属粉末造成的污染。

公开(公告)号：CN118824864A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310438215.0

申请日：2023-04-21

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 刘青林 ,  汤加苗 ,  颜国秋 ,  付海涛

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00

摘要： 本发明提供一种FCBGA陶瓷基板结构及其制作方法，包括：提供一载体；形成陶瓷芯层于载体上，陶瓷芯层包括芯层金属层及采用陶瓷3D打印方法形成的陶瓷层，陶瓷层设有多个通孔，芯层金属层包括多个由通孔导电柱、第一芯层金属导电图形、第二芯层金属导电图形构成的芯层金属单元；形成增层复合层于陶瓷芯层的至少一面，增层复合层包括增层及增层金属层，增层设有多个盲孔，增层金属层包括多个盲孔导电柱及多个增层金属导电图形。本发明的制作方法采用陶瓷3D打印方法能够制作得到高密度互连的封装基板芯层，用于实现低翘曲、低损耗的大尺寸封装基板产品，并且在制作过程中易于控制封装基板的厚度、形状及重量等，有效扩展封装基板的应用场景。

公开(公告)号：CN118824863A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310438208.0

申请日：2023-04-21

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 刘青林 ,  汤加苗 ,  颜国秋 ,  付海涛

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00

摘要： 本发明提供一种3D打印陶瓷基板结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一载体；形成陶瓷芯层于载体上，陶瓷芯层包括芯层金属层及采用陶瓷3D打印方法形成的陶瓷层，陶瓷层中设有多个在水平方向上间隔排列的通孔，芯层金属层包括多个在水平方向上间隔排列的芯层金属单元，芯层金属单元包括填充于通孔内的通孔导电柱、位于通孔导电柱上表面的第一芯层金属导电图形及位于通孔导电柱下表面的第二芯层金属导电图形；移除所述载体。本发明的制作方法采用陶瓷3D打印方法能够制作得到高密度互连的封装基板芯层，用于实现低翘曲、低损耗的大尺寸封装基板产品，并且在制作过程中易于控制封装基板的厚度、形状及重量等，有效扩展封装基板的应用场景。

公开(公告)号：CN118824862A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310428476.4

申请日：2023-04-20

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 刘青林 ,  查晓刚 ,  付海涛

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/538

摘要： 本发明提供一种基于FCBGA封装基板的硅基中间层及制作方法，该方法包括：提供封装基板，封装基板包括芯板层和上增层，上增层位于芯板层上方与芯板层电连接，封装基板中形成有多个芯片凹槽，芯片凹槽中设有集成芯片，其中，集成芯片包括第一芯片和第二芯片，第一芯片与封装基板电连接；提供硅基中间层，硅基中间层设置于封装基板的上方，硅基中间层的一端与第一芯片电连接，硅基中间层的另一端与第二芯片电连接。本发明中硅基中间层作为集成芯片与集成芯片之间高速信号传输通道，能够实现FCBGA封装基板高速信号的传输，且能够在封装基板的表层布置更多的芯片，提高封装基板利用率，使得基于封装基板的硅基中间层的产品具有更强大的能力。

公开(公告)号：CN116721934A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310666044.7

申请日：2023-06-06

申请人： 上海美维科技有限公司

发明人： 杜玲玲 ,  李君红 ,  沈阳 ,  刘青林 ,  王建彬 ,  张军 ,  彭增

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/544

摘要： 本发明提供一种封装基板导电图形制作能力的评估方法，简单易操作，可通过设计不同深度的盲槽和/或不同尺寸的凸起来模拟金属蚀刻前工序如电镀所引起的凹坑和/或凸起等情形，以评估封装基板进行导电图形的制作能力，从而避免因不良导电图形的制作所引起的产能损失及成本浪费；通过设计回形金属测试线路，能够简便地进行电性测试，从而可快速、全面得对封装基板导电图形的制作能力进行评估。

公开(公告)号：CN116288611A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310132345.1

申请日：2023-02-17

申请人： 厦门安捷利美维科技有限公司 ,  上海美维科技有限公司

发明人： 宋景勇 ,  田鸿洲 ,  许托 ,  冯后乐 ,  秦丽赟 ,  王安 ,  刘青林

IPC分类号： C25D17/00 ,  C25D21/12 ,  C25D7/12 ,  G01N27/00 ,  G01R19/165

摘要： 本发明提供一种封装基板电镀均匀性检测装置、电镀装置及使用方法，包括：电镀槽、导轨、挂架、n个阳极网、整流器及分流器；n为大于1的自然数；电镀槽划分为n个电镀单元，各电镀单元均设置有一个阳极网；导轨绝缘设置在电镀槽的上方；导轨分为互相绝缘的第一段和第二段；导轨的第二段位于第m个电镀单元的上方，m为大于等于2的自然数；挂架夹持封装基板挂设于导轨；整流器的负极连接导轨的第一段，正极分别连接各电镀单元内对应的阳极网；分流器的第一端与导轨的第一段靠近第二段的一端电连接，第二端与导轨的第二段靠近第一段的一端电连接。本发明能检测封装基板的电流及电镀性能，实现电镀异常的封装基板的检测。