公开(公告)号：CN101740297B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200910207897.4

申请日：2009-11-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北岛次雄 ,  小林义之

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: C30B35/00 ,  B23P15/00 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32642 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明涉及环状部件及其制造方法，根据本发明的环状部件，能够抑制等离子体导致的消耗和生产率的恶化。在对晶片W实施等离子体蚀刻处理的基板处理装置(10)中，该环状部件是收纳于在内部产生等离子体的反应室(17)的聚焦环(24)，由在圆周方向上配设的4个单晶硅的圆弧状部件24a～24d构成，在各圆弧状部件24a～24d的上表面24a1～24d1、外侧面24a2～24d2，不出现易消耗的单晶硅的结晶面，例如密勒指数为{100}的结晶面。

公开(公告)号：CN102194634A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110050935.7

申请日：2011-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北岛次雄 ,  小林义之 ,  渡边淳 ,  冈田拓也

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/02 ,  H01J37/32 ,  C23F4/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明提供一种具有适合等离子体处理的膜厚的导热片的聚焦环。在等离子体处理装置(10)中，聚焦环(25)包围在具有制冷剂室(26)的基座(12)上载置的晶片W的外周，并具备与基座(12)接触的基座接触面(40)、和形成在该基座接触面(40)上的导热片(38)；导热片(38)的热传导率在0.5～5.0W/m·K的范围内，导热片(38)包含成分中含有硅的耐热性的粘合剂和橡胶，在该粘合剂和橡胶中以25～60容积％含有混入该粘合剂和橡胶的氧化物、氮化物或碳化物的陶瓷填充剂，导热片(38)的膜厚是40μm以上且不足100μm。

公开(公告)号：CN101740297A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910207897.4

申请日：2009-11-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北岛次雄 ,  小林义之

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: C30B35/00 ,  B23P15/00 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32642 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明涉及环状部件及其制造方法，根据本发明的环状部件，能够抑制等离子体导致的消耗和生产率的恶化。在对晶片W实施等离子体蚀刻处理的基板处理装置(10)中，该环状部件是收纳于在内部产生等离子体的反应室(17)的聚焦环(24)，由在圆周方向上配设的4个单晶硅的圆弧状部件24a～24d构成，在各圆弧状部件24a～24d的上表面24a1～24d1、外侧面24a2～24d2，不出现易消耗的单晶硅的结晶面，例如密勒指数为{100}的结晶面。