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公开(公告)号：CN108475632B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201680076251.5
申请日：2016-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。
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公开(公告)号：CN108475632A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680076251.5
申请日：2016-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L29/78 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764269A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110619973.3
申请日：2021-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 宇田秀一郎
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种抑制蚀刻不良的基板处理方法。一种基板处理方法，其为将具有被蚀刻膜和覆盖上述被蚀刻膜的掩模膜的基板进行蚀刻的基板处理方法，上述掩模膜具有将上述被蚀刻膜的一部分露出的开口，所述基板处理方法包括下述工序：A)通过上述开口向上述被蚀刻膜供给包含电子受体的第1气体的工序，B)向上述被蚀刻膜供给包含氧的第2气体的等离子体的工序，以及C)将上述被蚀刻膜进行等离子体蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN110809817A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880042529.6
申请日：2018-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 选择性地蚀刻氮化硅膜的方法具有以下的工序：第一工序，将具有氮化硅膜的被处理基板配置在处理空间中；第二工序，向处理空间导入包含H和F的气体；以及第三工序，选择性地向处理空间导入非活性气体的自由基。
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公开(公告)号：CN110809817B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201880042529.6
申请日：2018-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 选择性地蚀刻氮化硅膜的方法具有以下的工序：第一工序，将具有氮化硅膜的被处理基板配置在处理空间中；第二工序，向处理空间导入包含H和F的气体；以及第三工序，选择性地向处理空间导入非活性气体的自由基。
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公开(公告)号：CN101521158B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910118358.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3086
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法以及等离子体蚀刻装置，能够抑制底切现象的发生并且与现有技术相比能够高速地对单晶硅进行蚀刻。该等离子体蚀刻方法利用处理气体的等离子体，通过形成于单晶硅层(101)的上部的、被图案化为规定图案的光致抗蚀剂层(102)，对该单晶硅层(101)进行蚀刻，在进行单晶硅层(101)的蚀刻的等离子体蚀刻工序之前，使用含有碳的气体例如CF类气体的等离子体，进行在光致抗蚀剂层(102)的侧壁部形成保护膜(103)的保护膜形成工序。
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公开(公告)号：CN101521158A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910118358.3
申请日：2009-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3086
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法以及等离子体蚀刻装置，能够抑制底切现象的发生并且与现有技术相比能够高速地对单晶硅进行蚀刻。该等离子体蚀刻方法利用处理气体的等离子体，通过形成于单晶硅层(101)的上部的、被图案化为规定图案的光致抗蚀剂层(102)，对该单晶硅层(101)进行蚀刻，在进行单晶硅层(101)的蚀刻的等离子体蚀刻工序之前，使用含有碳的气体例如CF类气体的等离子体，进行在光致抗蚀剂层(102)的侧壁部形成保护膜(103)的保护膜形成工序。
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