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公开(公告)号：CN108475632A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680076251.5
申请日：2016-11-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L29/78 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。
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公开(公告)号：CN101369537A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810145897.1
申请日：2008-08-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/31122 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及存储介质，能够每次在对基板上形成的有机膜进行蚀刻时得到良好的蚀刻形状。该半导体装置的制造方法包括：利用等离子体对含硅膜进行蚀刻，转印该含硅膜上的图案掩模的图案的工序；除去所述图案掩模使所述含硅膜的表面露出的工序；利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案对所述有机膜的表面进行蚀刻，由此形成凹部的工序；之后溅射所述含硅膜从而在所述凹部的内壁上形成由含硅物构成的保护膜的工序；和利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案沿更深方向对凹部进行蚀刻，从而形成孔或者槽的工序，通过这样，因为能够从氧活性种保护凹部侧壁的同时进行蚀刻，所以能够得到良好的图案形状。
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公开(公告)号：CN101303997A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810001388.1
申请日：2004-04-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
摘要： 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN108475632B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201680076251.5
申请日：2016-11-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。
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公开(公告)号：CN110783188A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910694304.5
申请日：2019-07-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，能够对形成于微细凹部的内表面的SiN或Si均匀地进行蚀刻。蚀刻方法包括以下工序：将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优先地使所述凹部的顶部的蚀刻对象部的表面改性；接着，对蚀刻对象部进行各向同性的干蚀刻。
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公开(公告)号：CN107026080A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710007284.0
申请日：2017-01-05
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。在工艺模块(13)中被实施了COR处理和PHT处理的晶圆(W)在冷藏部(20)的处理室(28)的内部暴露于湿度被调整成所含有的水分量是50g/m3以上的气氛。
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公开(公告)号：CN1540738A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410034165.7
申请日：2004-04-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/6831
摘要： 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN107026080B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710007284.0
申请日：2017-01-05
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。在工艺模块(13)中被实施了COR处理和PHT处理的晶圆(W)在冷藏部(20)的处理室(28)的内部暴露于湿度被调整成所含有的水分量是50g/m3以上的气氛。
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公开(公告)号：CN101369537B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810145897.1
申请日：2008-08-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/31122 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及存储介质，能够每次在对基板上形成的有机膜进行蚀刻时得到良好的蚀刻形状。该半导体装置的制造方法包括：利用等离子体对含硅膜进行蚀刻，转印该含硅膜上的图案掩模的图案的工序；除去所述图案掩模使所述含硅膜的表面露出的工序；利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案对所述有机膜的表面进行蚀刻，由此形成凹部的工序；之后溅射所述含硅膜从而在所述凹部的内壁上形成由含硅物构成的保护膜的工序；和利用等离子体中的氧活性种通过所述含硅膜的图案沿更深方向对凹部进行蚀刻，从而形成孔或者槽的工序，通过这样，因为能够从氧活性种保护凹部侧壁的同时进行蚀刻，所以能够得到良好的图案形状。
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公开(公告)号：CN101303998A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810001389.6
申请日：2004-04-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
摘要： 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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