公开(公告)号：CN108475632A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680076251.5

申请日：2016-11-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长仓幸一 ,  森本保 ,  宇田秀一郎 ,  齐藤刚

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L29/78 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。

公开(公告)号：CN108475632B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201680076251.5

申请日：2016-11-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长仓幸一 ,  森本保 ,  宇田秀一郎 ,  齐藤刚

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。