公开(公告)号：CN107710391B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201680038175.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保卓也 ,  康松润 ,  森本保

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

Abstract: 在包含由金属磁性材料形成的层的多层膜的蚀刻中抑制多层膜的剥离和/或开裂。在一个实施方式中，在将等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为比较高的压力即第1压力的状态下，对包含由金属磁性材料形成的层的多层膜进行蚀刻。接着，在将处理容器内部的压力设定为比第1压力低的第2压力的状态下，对多层膜进一步进行蚀刻。

公开(公告)号：CN108475632A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680076251.5

申请日：2016-11-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长仓幸一 ,  森本保 ,  宇田秀一郎 ,  齐藤刚

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L29/78 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。

公开(公告)号：CN1531012A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410008444.6

申请日：2004-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森本保 ,  村上贵宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C23C14/40 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32082

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，包括施加第一高频电力的上部电极(12)、施加第二高频电力的下部电极(13)和调节该两电极(12、13)的间隔的升降机构(14)，在使用在上部电极(12)上施加第一高频电力进行等离子体点火的等离子体处理装置对下部电极(13)上的晶片(W)实施等离子体处理之际，至少在等离子体熄灭时，使上下两电极(12、13)的间隔设定得比等离子体处理时宽。

公开(公告)号：CN1531012B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200410008444.6

申请日：2004-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森本保 ,  村上贵宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C23C14/40 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32082

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，包括施加第一高频电力的上部电极(12)、施加第二高频电力的下部电极(13)和调节该两电极(12、13)的间隔的升降机构(14)，在使用在上部电极(12)上施加第一高频电力进行等离子体点火的等离子体处理装置对下部电极(13)上的晶片(W)实施等离子体处理之际，至少在等离子体熄灭时，使上下两电极(12、13)的间隔设定得比等离子体处理时宽。

公开(公告)号：CN107710391A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680038175.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保卓也 ,  康松润 ,  森本保

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/32136 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 在包含由金属磁性材料形成的层的多层膜的蚀刻中抑制多层膜的剥离和/或开裂。在一个实施方式中，在将等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为比较高的压力即第1压力的状态下，对包含由金属磁性材料形成的层的多层膜进行蚀刻。接着，在将处理容器内部的压力设定为比第1压力低的第2压力的状态下，对多层膜进一步进行蚀刻。

公开(公告)号：CN108475632B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201680076251.5

申请日：2016-11-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长仓幸一 ,  森本保 ,  宇田秀一郎 ,  齐藤刚

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成有硅或者金属的氧化膜的基板进行等离子体处理；以及加热处理工序，接着，在暴露在所述等离子体中的所述氧化膜露出的状态下，在非活性气体气氛或者真空气氛中将所述基板加热至450℃以上。由此，使因等离子体处理而劣化的所述氧化膜的特性恢复。