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公开(公告)号：CN101504927A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910005187.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C4/12 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置。基板放置台具有用于吸附被处理基板的静电吸盘部(8)和保持静电吸盘部(8)的基台部(7)，基台部(7)具有高度较高的凸部(72)和在凸部(72)的周围位于比凸部(72)低规定高度的位置上的外周面(71)，在外周面(71)上通过层叠膜厚与凸部(72)和外周面(71)的高度之差相等的喷涂膜(76)，而以凸部(72)和喷涂膜(76)的面相连的方式形成为平坦面，在绝缘性部件(81)、(83)、(84)之间配设电极(82)而构成静电吸盘部(8)，在基台部(7)上用粘结剂(9)固定静电吸盘部(8)，使得其覆盖凸部(72)的上表面和喷涂膜(76)的面的边界。
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公开(公告)号：CN100494471C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510117628.0
申请日：2005-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4404
Abstract: 本发明提供能够确实地抑制水分的附着和脱离的陶瓷喷镀部件的制造方法、用于执行该方法的程序、存储介质、以及陶瓷喷镀部件。将具有基质材料(210)和由喷镀形成在基质材料(210)表面的喷镀膜(220)的陶瓷喷镀部件(200)，在含有丙酮、乙醇、以及异丙醇中的至少1种的有机溶剂中浸渍规定时间，去除吸附在喷镀膜(220)上的有机物，并在压力为202.65kPa以上、相对湿度为90%以上的环境下，通过在温度为100～300℃左右的炉中加热1～24小时，对喷镀膜(220)的外表面进行水合处理。
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公开(公告)号：CN1772946A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510117628.0
申请日：2005-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C16/4404
Abstract: 本发明提供能够确实地抑制水分的附着和脱离的陶瓷喷镀部件的制造方法、用于执行该方法的程序、存储介质以及陶瓷喷镀部件。将具有基质材料(210)和由喷镀形成在基质材料(210)表面的喷镀膜(220)的陶瓷喷镀部件(200)，在含有丙酮、乙醇、以及异丙醇中的至少1种的有机溶剂中浸渍规定时间，去除吸附在喷镀膜(220)上的有机物，并在压力为202.65kPa以上、相对湿度为90％以上的环境下，通过在温度为100～300℃左右的炉中加热1～24小时，对喷镀膜(220)的外表面进行水合处理。
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公开(公告)号：CN101504927B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200910005187.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C4/12 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置。基板放置台具有用于吸附被处理基板的静电吸盘部(8)和保持静电吸盘部(8)的基台部(7)，基台部(7)具有高度较高的凸部(72)和在凸部(72)的周围位于比凸部(72)低规定高度的位置上的外周面(71)，在外周面(71)上通过层叠膜厚与凸部(72)和外周面(71)的高度之差相等的喷涂膜(76)，而以凸部(72)和喷涂膜(76)的面相连的方式形成为平坦面，在绝缘性部件(81)、(83)、(84)之间配设电极(82)而构成静电吸盘部(8)，在基台部(7)上用粘结剂(9)固定静电吸盘部(8)，使得其覆盖凸部(72)的上表面和喷涂膜(76)的面的边界。
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