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公开(公告)号：CN103959447B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280059884.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C4/04 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103959447A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280059884.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C4/04 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32477 , H01J37/32495
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(10)，其特征在于，包括：能够减压的处理容器(12)；兼作在处理容器内载置晶片(W)的载置台(20)的下部电极；以与下部电极相对的方式配置的上部电极或天线电极；向处理容器内导入包含含卤气体和氧气的气体的气体供给源(32)；对上部电极、天线电极和下部电极中的至少任一个电极施加等离子体生成用的高频电力的高频电力源(18)；和利用等离子体生成用的高频电力使上述气体等离子体化，利用等离子体的作用对载置台上的晶片进行等离子体处理的单元，处理容器内的暴露于等离子体的面中，至少位于比晶片的载置位置更靠上部电极侧、天线电极侧或下部电极侧的高度的面的一部分或全部由氟化化合物覆盖。
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公开(公告)号：CN101074473B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
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公开(公告)号：CN101074473A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
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公开(公告)号：CN1772946A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510117628.0
申请日：2005-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C16/4404
Abstract: 本发明提供能够确实地抑制水分的附着和脱离的陶瓷喷镀部件的制造方法、用于执行该方法的程序、存储介质以及陶瓷喷镀部件。将具有基质材料(210)和由喷镀形成在基质材料(210)表面的喷镀膜(220)的陶瓷喷镀部件(200)，在含有丙酮、乙醇、以及异丙醇中的至少1种的有机溶剂中浸渍规定时间，去除吸附在喷镀膜(220)上的有机物，并在压力为202.65kPa以上、相对湿度为90％以上的环境下，通过在温度为100～300℃左右的炉中加热1～24小时，对喷镀膜(220)的外表面进行水合处理。
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公开(公告)号：CN100494471C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510117628.0
申请日：2005-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4404
Abstract: 本发明提供能够确实地抑制水分的附着和脱离的陶瓷喷镀部件的制造方法、用于执行该方法的程序、存储介质、以及陶瓷喷镀部件。将具有基质材料(210)和由喷镀形成在基质材料(210)表面的喷镀膜(220)的陶瓷喷镀部件(200)，在含有丙酮、乙醇、以及异丙醇中的至少1种的有机溶剂中浸渍规定时间，去除吸附在喷镀膜(220)上的有机物，并在压力为202.65kPa以上、相对湿度为90%以上的环境下，通过在温度为100～300℃左右的炉中加热1～24小时，对喷镀膜(220)的外表面进行水合处理。
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