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公开(公告)号：CN112513324B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
摘要： 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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公开(公告)号：CN110592558B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910505338.5
申请日：2019-06-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50
摘要： 本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。
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公开(公告)号：CN113169068A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080907.4
申请日：2019-12-04
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/314 , C23C16/26
摘要： 在层叠于被蚀刻膜上的碳硬掩模的一个实施方式中，碳硬掩模中所含的亚甲基CH2和甲基CH3的浓度比满足下述式。CH2/(CH2+CH3)≥0.5。
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公开(公告)号：CN111164739A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880064580.7
申请日：2018-09-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/505 , H01L21/31 , H05H1/46
摘要： 本发明的一实施方式的等离子体处理方法在基片被载置于腔室主体的内部空间之中的支承台上的状态下被执行。在该等离子体处理方法中，对基片实施等离子体处理。接着，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使为了进行等离子体处理而生成的等离子体不消失的情况下使支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大。然后，在停止了高频的供给的状态下，使用排气装置，将腔室主体的内部空间之中的气体和颗粒排出。
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公开(公告)号：CN108165954A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711284172.6
申请日：2017-12-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
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公开(公告)号：CN102326002B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080009031.3
申请日：2010-02-05
申请人： 株式会社岛津制作所 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： F04D19/04
CPC分类号： F04D29/701 , F04D19/042
摘要： 本发明提供一种涡轮分子泵，其包括：转子(30)，其形成有多层旋转叶片(32)且能够进行高速旋转；多个固定叶片(33)，它们在泵轴线方向上与旋转叶片(32)交替配置；泵外壳(34)，其用于容纳旋转叶片(32)及固定叶片(33)且形成有进气口(21a)；圆盘(150)，其设在靠近转子(30)的进气口侧的位置上且以与比转子(30)的旋转叶片根部靠近内径侧的面相面对的方式进行配置；圆筒状的网眼结构体(153a、153b)，其配置在进气口(21a)和转子(30)之间且由细线编织而成，将被转子弹起的颗粒捕捉到网眼结构体(153a、153b)的内部。
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公开(公告)号：CN103153878A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049164.8
申请日：2011-10-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： C02F1/02 , B01J3/006 , B01J19/006 , B01J19/0066 , B01J19/121 , B01J19/1812 , B01J19/2415 , B01J2219/00153 , B01J2219/0877 , C02F1/30 , C02F1/441 , C02F11/086 , C02F2101/30 , C02F2301/066 , C02F2303/08
摘要： 提供一种水处理装置，能够通过分解被处理水中含有的有机物来减轻下游的过滤装置的载荷，而且能够避免配管等的腐蚀。水处理装置12具有：将含有有机物的被处理水15a加压至规定的压力的大口径流路22、小口径流路23及加压泵24；和向加压后的被处理水15a照射激光27而将其加热至规定温度的激光光源25及聚光透镜26，利用聚光透镜26将从激光光源25照射的激光27聚光在加压后的被处理水15a流动的小口径流路23的、与该流路内的流路壁分离的区域29，对该区域29内的被处理水15a加热而生成超临界水或者亚临界水来分解被处理水15a中的有机物。
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公开(公告)号：CN101276739B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810086918.7
申请日：2008-03-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , B08B3/10 , B08B3/12
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要： 本发明提供一种能够完全除去附着在基板背面和周缘部上的异物的基板处理系统，作为基板处理系统(10)具有的基板清洗装置的处理组件(15)包括：收容晶片(W)的腔室(38)；配置在该腔室(38)内的底部上，放置晶片W的载置台(39)；配置在腔室(38)内的顶部，与载置台(39)相对的喷淋头(40)。载置台(39)向着晶片(W)的背面或周缘部喷出呈液相和气相的二相状态的清洗物质(例如纯水)和非活性气体(例如N2气体)混合的清洗剂。喷淋头(40)产生向着晶片(W)的表面的向下流动。
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公开(公告)号：CN101546705B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910009403.1
申请日：2009-02-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , G01N21/66 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32467 , H01J37/32623 , H01J37/32963
摘要： 本发明提供一种能够精确地检测腔室内部件的寿命，并能够防止由交换没有达到寿命的部件而引起的浪费、以及由于继续使用已经过寿命的部件而引起故障的发生的腔室内部件。用于等离子体处理装置的聚焦环(26)等的腔室内部件，使用组装有该腔室内部件的基板处理装置(10)对晶片(W)进行RIE处理，其中，该腔室内部件由与构成材料不同的元素、例如钪(Sc)构成的寿命检测元素层(51、52)，利用等离子体发光分光器(46)对处理气体中的发光光谱进行监视，通过检测由寿命检测元素层(51、52)引起的光谱来检测聚焦环(26)等的腔室内部件的寿命。
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