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公开(公告)号:CN100418187C
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200410031210.3
申请日:2004-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , H01L21/3065 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、环形部件以及等离子体处理方法,利用等离子体进行处理,当执行相互不同的多个处理时实现装置公用化,在多个装置中执行相同处理时易统一装置之间的等离子体状态,利用由绝缘材料构成的环形部件环绕处理容器内的被处理基板,在此环形部件内设置用于调整等离子体源区的电极,构成为例如在对被处理基板执行第一处理时对该电极施加第一直流电压、在执行第二处理时对该电极施加第二直流电压,此时,由于对应于执行每一处理或相同处理的各装置通过施加合适的直流电压就可统一等离子体的状态,所以可实现装置公用化,并易对等离子体状态进行调整。
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公开(公告)号:CN1516535A
公开(公告)日:2004-07-28
申请号:CN200310115779.3
申请日:2003-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00 , B01J19/02 , C23C4/10 , C23F4/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/24 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , Y10T428/249969 , Y10T428/24997 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供一种可抑制形成为掺杂涂层的喷镀膜剥离的等离子体处理容器内部件。它是在基材(71)与喷镀膜(72)之间,由对含卤素处理气体的耐腐蚀性好的材料形成屏蔽生涂层(73),通过树脂或溶胶凝胶法对该屏蔽性涂层(73)进行封孔处理。
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公开(公告)号:CN109037126B
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN201810582590.1
申请日:2018-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 长池宏史
IPC: H01L21/677 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明的目的在于提供一种检测基板收纳容器的内部的污染状态的基板收纳容器、控制装置和异常探测方法。所述基板收纳容器用于收纳基板,在所述基板收纳容器的内部具有能够检测污染状态的监测器,来检测所述基板收纳容器的内部的污染状态。
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公开(公告)号:CN109037126A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810582590.1
申请日:2018-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 长池宏史
IPC: H01L21/677 , H01L21/66 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67253 , H01L21/67383 , H01L21/67389 , H01L21/67393 , H01L21/67769 , H01L21/67772 , H01L22/10
Abstract: 本发明的目的在于提供一种检测基板收纳容器的内部的污染状态的基板收纳容器、控制装置和异常探测方法。所述基板收纳容器用于收纳基板,在所述基板收纳容器的内部具有能够检测污染状态的监测器,来检测所述基板收纳容器的内部的污染状态。
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公开(公告)号:CN101582378B
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200910145487.1
申请日:2005-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , G05B19/04
Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序:在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时,在打开所述闸阀之前,向所述真空准备室内导入惰性气体;在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时,停止导入所述惰性气体,开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气,然后,通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放;在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。
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公开(公告)号:CN1604270B
公开(公告)日:2010-05-05
申请号:CN200410064270.5
申请日:2004-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32431 , C23C16/4401 , H01J2237/022
Abstract: 本发明提供了一种可高效率地除去用等离子体处理产生的腔内的颗粒的、实用性高的颗粒除去技术。该颗粒除去装置具有包含带电用电极(72)、和控制带电用电极(72)的电位和电压施加定时的带电控制部分(74)的颗粒带电控制装置。该带电用电极(72)通过绝缘体(70)安装在等离子体蚀刻装置的腔(10)的内壁或喷头(38)的内壁面上。利用由该颗粒带电控制装置形成的离子层区域中的正离子,使颗粒带正电,将带正电的颗粒,移送至等离子体处理装置的排气口(24)侧,并排出至腔(10)的外面(排气装置(28)侧)。
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公开(公告)号:CN100485859C
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200410057032.1
申请日:2004-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67028 , B08B3/12 , H01J37/32862 , H01L21/6831
Abstract: 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散,清洁部件,采用将电压加在部件上,利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法;使微颗粒带电,利用库仑力飞散的方法,将气体导入减压处理室中,使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件,使微颗粒飞散的方法;使部件温度上升,利用热应力和热泳动力,使微颗粒飞散的方法;或将机械振动给与部件,使微颗粒飞散的方法。另外,使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。
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公开(公告)号:CN1249789C
公开(公告)日:2006-04-05
申请号:CN200310115779.3
申请日:2003-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C4/10
CPC classification number: H05H1/24 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , Y10T428/249969 , Y10T428/24997 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理容器内部件,可抑制作为掺杂涂层而形成的喷镀膜的剥离。它是在基材(71)与喷镀膜(72)之间,由对含卤素处理气体的耐腐蚀性好的材料形成屏蔽性涂层(73),通过树脂或溶胶凝胶法对该屏蔽性涂层(73)进行封孔处理。
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公开(公告)号:CN1604270A
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:CN200410064270.5
申请日:2004-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32431 , C23C16/4401 , H01J2237/022
Abstract: 本发明提供了一种可高效率地除去用等离子体处理产生的腔内的颗粒的、实用性高的颗粒除去技术。该颗粒除去装置具有包含带电用电极(72)、和控制带电用电极(72)的电位和电压施加定时的带电控制部分(74)的颗粒带电控制装置。该带电用电极(72)通过绝缘体(70)安装在等离子体蚀刻装置的腔(10)的内壁或喷头(38)的内壁面上。利用由该颗粒带电控制装置形成的离子层区域中的正离子,使颗粒带正电,将带正电的颗粒,移送至等离子体处理装置的排气口(24)侧,并排出至腔(10)的外面(排气装置(28)侧)。
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公开(公告)号:CN102192870B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201110050811.9
申请日:2011-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 长池宏史
IPC: G01N15/10
CPC classification number: G01N21/00
Abstract: 本发明提供一种能够准确地测量因特定的原因产生的微粒的数量的微粒数测量方法。通过玻璃窗(24)向主排气管(16)内照射激光(25),利用光检测器(21)接收从与该激光(25)交叉的微粒(P1、P2)产生的散射光(L1、L2),根据所接收的该散射光来测量微粒数时,将不移动的微粒(P2)视为附着于玻璃窗(24)的污垢,从在主排气管(16)内测量得到的微粒数中排除不移动的微粒(P2)的数量。
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