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公开(公告)号：CN108352309B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201680064463.1
申请日：2016-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种能够获得平坦的被处理膜的基板处理方法。使HF气体的分子吸附于被实施了氧化膜去除处理的晶圆(W)的槽的角部残留的角部SiO2层(49)，排出多余的HF气体，朝向吸附有HF气体的分子的角部SiO2层(49)供给NH3气体，使角部SiO2层(49)、HF气体以及NH3气体发生反应来生成AFS(48)，使AFS(48)升华来去除该AFS(48)。
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公开(公告)号：CN107275184A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710209577.7
申请日：2017-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 供给一种能够提高氧化膜去除的处理效率的基板处理方法和基板处理装置。氧化膜去除处理具有：COR工序，通过对收纳在腔室(25)的内部的晶圆(W)供给氟化氢气体和氨气，来使硅氧化膜(57)变性为反应生成物；以及PHT工序，通过停止向腔室(25)的内部供给氟化氢气体，来使反应生成物升华从而将反应生成物从晶圆(W)去除，其中，通过向腔室(25)的内部供给非活性气体，来使PHT工序中的腔室(25)的内部的压力比COR工序中的腔室(25)的内部的压力高。
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公开(公告)号：CN101165207B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200710181202.0
申请日：2007-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及半导体处理装置及其使用方法，该半导体处理装置的使用方法包括：将氧化性气体和还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理装置的处理容器内的工序；在所述处理容器内，在所述氧化性气体和所述还原性气体活化的第一环境下，使所述氧化性气体及所述还原性气体反应，产生活性种的工序；和使用所述活性种，从所述处理容器的所述内面除去污染物质的工序。
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公开(公告)号：CN107275184B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201710209577.7
申请日：2017-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 供给一种能够提高氧化膜去除的处理效率的基板处理方法和基板处理装置。氧化膜去除处理具有：COR工序，通过对收纳在腔室(25)的内部的晶圆(W)供给氟化氢气体和氨气，来使硅氧化膜(57)变性为反应生成物；以及PHT工序，通过停止向腔室(25)的内部供给氟化氢气体，来使反应生成物升华从而将反应生成物从晶圆(W)去除，其中，通过向腔室(25)的内部供给非活性气体，来使PHT工序中的腔室(25)的内部的压力比COR工序中的腔室(25)的内部的压力高。
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公开(公告)号：CN108352309A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680064463.1
申请日：2016-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种能够获得平坦的被处理膜的基板处理方法。使HF气体的分子吸附于被实施了氧化膜去除处理的晶圆(W)的槽的角部残留的角部SiO2层(49)，排出多余的HF气体，朝向吸附有HF气体的分子的角部SiO2层(49)供给NH3气体，使角部SiO2层(49)、HF气体以及NH3气体发生反应来生成AFS(48)，使AFS(48)升华来去除该AFS(48)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101165207A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181202.0
申请日：2007-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及半导体处理装置及其使用方法，该半导体处理装置的使用方法包括：将氧化性气体和还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理装置的处理容器内的工序；在所述处理容器内，在所述氧化性气体和所述还原性气体活化的第一环境下，使所述氧化性气体及所述还原性气体反应，产生活性种的工序；和使用所述活性种，从所述处理容器的所述内面除去污染物质的工序。
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公开(公告)号：CN1790629A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510134334.9
申请日：2005-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/30 , C23C16/44 , G05B19/04
CPC classification number: H01L21/0214 , H01L21/02332 , H01L21/3144
Abstract: 本发明提供一种在反应室内、在被处理基板上形成氧氮化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其包含：在不装载被处理基板的状态下，对反应室内的部件实施预处理的工序；接着，在反应室内，在被处理基板上形成氧氮化硅膜的工序。预处理将含有氮化气体或氧氮化气体的预处理气体供给到反应室内，同时，将反应室内设定为第一温度和第一压力。
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公开(公告)号：CN105895503B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610077062.1
申请日：2016-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提高氧化膜去除处理的生产率而提升生产性的基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中，将在表面形成有氧化硅膜(202)的晶圆(W)收纳在腔室(40)内并多次重复执行COR工序和PHT工序，在该COR工序中，向腔室(40)内供给氟化氢气体和氨气而使氧化硅膜(202)变质为反应生成物(AFS)，在该PHT工序中，停止向腔室(40)内供给氟化氢气体，并向腔室(40)内供给氮气，从而使在COR工序中生成的反应生成物升华而自晶圆(W)去除该反应生成物。
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公开(公告)号：CN105895503A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610077062.1
申请日：2016-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02337 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种能够提高氧化膜去除处理的生产率而提升生产性的基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中，将在表面形成有氧化硅膜(202)的晶圆(W)收纳在腔室(40)内并多次重复执行COR工序和PHT工序，在该COR工序中，向腔室(40)内供给氟化氢气体和氨气而使氧化硅膜(202)变质为反应生成物(AFS)，在该PHT工序中，停止向腔室(40)内供给氟化氢气体，并向腔室(40)内供给氮气，从而使在COR工序中生成的反应生成物升华而自晶圆(W)去除该反应生成物。
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公开(公告)号：CN101311336B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810096452.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包括：将上述成膜装置的反应室设定为没有容纳产品用的被处理基板的空载状态的工序；和进行除去存在于上述反应室的内面中的污染物质的吹扫处理的工序，其中，将通过使包含氧和氢作为元素的吹扫处理气体活性化而得到的自由基作用上述反应室的内面。
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