公开(公告)号：CN107275184B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201710209577.7

申请日：2017-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荻原智明 ,  高桥宏幸 ,  阿部拓也 ,  富田正彦 ,  岩下伸也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 供给一种能够提高氧化膜去除的处理效率的基板处理方法和基板处理装置。氧化膜去除处理具有：COR工序，通过对收纳在腔室(25)的内部的晶圆(W)供给氟化氢气体和氨气，来使硅氧化膜(57)变性为反应生成物；以及PHT工序，通过停止向腔室(25)的内部供给氟化氢气体，来使反应生成物升华从而将反应生成物从晶圆(W)去除，其中，通过向腔室(25)的内部供给非活性气体，来使PHT工序中的腔室(25)的内部的压力比COR工序中的腔室(25)的内部的压力高。

公开(公告)号：CN110783188B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201910694304.5

申请日：2019-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 阿部拓也 ,  三好秀典 ,  清水昭贵 ,  长仓幸一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，能够对形成于微细凹部的内表面的SiN或Si均匀地进行蚀刻。蚀刻方法包括以下工序：将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优先地使所述凹部的顶部的蚀刻对象部的表面改性；接着，对蚀刻对象部进行各向同性的干蚀刻。

公开(公告)号：CN105895503B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201610077062.1

申请日：2016-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥宏幸 ,  荻原智明 ,  阿部拓也 ,  富田正彦 ,  胜木二郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够提高氧化膜去除处理的生产率而提升生产性的基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中，将在表面形成有氧化硅膜(202)的晶圆(W)收纳在腔室(40)内并多次重复执行COR工序和PHT工序，在该COR工序中，向腔室(40)内供给氟化氢气体和氨气而使氧化硅膜(202)变质为反应生成物(AFS)，在该PHT工序中，停止向腔室(40)内供给氟化氢气体，并向腔室(40)内供给氮气，从而使在COR工序中生成的反应生成物升华而自晶圆(W)去除该反应生成物。

公开(公告)号：CN105895503A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610077062.1

申请日：2016-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥宏幸 ,  荻原智明 ,  阿部拓也 ,  富田正彦 ,  胜木二郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02337 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种能够提高氧化膜去除处理的生产率而提升生产性的基板处理方法和基板处理装置。在该基板处理方法中，将在表面形成有氧化硅膜(202)的晶圆(W)收纳在腔室(40)内并多次重复执行COR工序和PHT工序，在该COR工序中，向腔室(40)内供给氟化氢气体和氨气而使氧化硅膜(202)变质为反应生成物(AFS)，在该PHT工序中，停止向腔室(40)内供给氟化氢气体，并向腔室(40)内供给氮气，从而使在COR工序中生成的反应生成物升华而自晶圆(W)去除该反应生成物。

公开(公告)号：CN110783188A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910694304.5

申请日：2019-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 阿部拓也 ,  三好秀典 ,  清水昭贵 ,  长仓幸一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，能够对形成于微细凹部的内表面的SiN或Si均匀地进行蚀刻。蚀刻方法包括以下工序：将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优先地使所述凹部的顶部的蚀刻对象部的表面改性；接着，对蚀刻对象部进行各向同性的干蚀刻。

公开(公告)号：CN107275184A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710209577.7

申请日：2017-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荻原智明 ,  高桥宏幸 ,  阿部拓也 ,  富田正彦 ,  岩下伸也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 供给一种能够提高氧化膜去除的处理效率的基板处理方法和基板处理装置。氧化膜去除处理具有：COR工序，通过对收纳在腔室(25)的内部的晶圆(W)供给氟化氢气体和氨气，来使硅氧化膜(57)变性为反应生成物；以及PHT工序，通过停止向腔室(25)的内部供给氟化氢气体，来使反应生成物升华从而将反应生成物从晶圆(W)去除，其中，通过向腔室(25)的内部供给非活性气体，来使PHT工序中的腔室(25)的内部的压力比COR工序中的腔室(25)的内部的压力高。