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公开(公告)号：CN112614768A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011010375.8
申请日：2020-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供基板支承台和等离子体处理装置。提供用于响应性良好地控制载置于基板支承台的基板的温度的技术。在一个例示性的实施方式中提供一种基板支承台。基板支承台包括第1构件、第2构件、基板支承部以及一个以上的热电元件。第1构件在上部具有凹部，并为金属制。第2构件设于第1构件上，用于密封凹部，并为金属制。基板支承部设于第2构件上。热电元件配置于凹部。凹部由传热介质填满。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101165207B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200710181202.0
申请日：2007-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及半导体处理装置及其使用方法，该半导体处理装置的使用方法包括：将氧化性气体和还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理装置的处理容器内的工序；在所述处理容器内，在所述氧化性气体和所述还原性气体活化的第一环境下，使所述氧化性气体及所述还原性气体反应，产生活性种的工序；和使用所述活性种，从所述处理容器的所述内面除去污染物质的工序。
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公开(公告)号：CN119631167A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380056590.7
申请日：2023-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/42
Abstract: 等离子体处理装置用的部件的制造方法包括以下工序：工序(A)，准备芯材，所述芯材的形状与所述电极的最终形状相似且比所述最终形状小；工序(B)，通过成膜装置在所述芯材形成SiC层叠部；以及工序(C)，通过至少去除所述SiC层叠部的一部分来形成SiC层并加工成所述最终形状。由此，能够高精度地制造具有SiC的等离子体处理装置用的部件。
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公开(公告)号：CN101165207A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181202.0
申请日：2007-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及半导体处理装置及其使用方法，该半导体处理装置的使用方法包括：将氧化性气体和还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理装置的处理容器内的工序；在所述处理容器内，在所述氧化性气体和所述还原性气体活化的第一环境下，使所述氧化性气体及所述还原性气体反应，产生活性种的工序；和使用所述活性种，从所述处理容器的所述内面除去污染物质的工序。
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公开(公告)号：CN101311336B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810096452.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包括：将上述成膜装置的反应室设定为没有容纳产品用的被处理基板的空载状态的工序；和进行除去存在于上述反应室的内面中的污染物质的吹扫处理的工序，其中，将通过使包含氧和氢作为元素的吹扫处理气体活性化而得到的自由基作用上述反应室的内面。
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公开(公告)号：CN101311336A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810096452.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包括：将上述成膜装置的反应室设定为没有容纳产品用的被处理基板的空载状态的工序；和进行除去存在于上述反应室的内面中的污染物质的吹扫处理的工序，其中，将通过使包含氧和氢作为元素的吹扫处理气体活性化而得到的自由基作用上述反应室的内面。
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