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公开(公告)号：CN107275184A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710209577.7
申请日：2017-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 供给一种能够提高氧化膜去除的处理效率的基板处理方法和基板处理装置。氧化膜去除处理具有：COR工序，通过对收纳在腔室(25)的内部的晶圆(W)供给氟化氢气体和氨气，来使硅氧化膜(57)变性为反应生成物；以及PHT工序，通过停止向腔室(25)的内部供给氟化氢气体，来使反应生成物升华从而将反应生成物从晶圆(W)去除，其中，通过向腔室(25)的内部供给非活性气体，来使PHT工序中的腔室(25)的内部的压力比COR工序中的腔室(25)的内部的压力高。
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公开(公告)号：CN111164235A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880064563.3
申请日：2018-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/509 , H01L21/31 , H01L21/316 , H05H1/46
Abstract: 在一实施方式的成膜方法在基片载置于支承台上的状态下被执行。该成膜方法包括：从气体供给部向腔室主体的内部空间供给包含前体的前体气体的步骤；从气体供给部向内部空间供给反应性气体的步骤；生成反应性气体的等离子体以增强前体与反应性气体的反应的步骤。在生成反应性气体的等离子体的步骤中，调节供给到下部电极的第2高频的电功率与供给到上部电极的第1高频的电功率之比，并且用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位。
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公开(公告)号：CN111164235B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201880064563.3
申请日：2018-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/509 , H01L21/31 , H01L21/316 , H05H1/46
Abstract: 在一实施方式的成膜方法在基片载置于支承台上的状态下被执行。该成膜方法包括：从气体供给部向腔室主体的内部空间供给包含前体的前体气体的步骤；从气体供给部向内部空间供给反应性气体的步骤；生成反应性气体的等离子体以增强前体与反应性气体的反应的步骤。在生成反应性气体的等离子体的步骤中，调节供给到下部电极的第2高频的电功率与供给到上部电极的第1高频的电功率之比，并且用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位。
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公开(公告)号：CN112513324A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107275184B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201710209577.7
申请日：2017-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 供给一种能够提高氧化膜去除的处理效率的基板处理方法和基板处理装置。氧化膜去除处理具有：COR工序，通过对收纳在腔室(25)的内部的晶圆(W)供给氟化氢气体和氨气，来使硅氧化膜(57)变性为反应生成物；以及PHT工序，通过停止向腔室(25)的内部供给氟化氢气体，来使反应生成物升华从而将反应生成物从晶圆(W)去除，其中，通过向腔室(25)的内部供给非活性气体，来使PHT工序中的腔室(25)的内部的压力比COR工序中的腔室(25)的内部的压力高。
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公开(公告)号：CN110592558A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910505338.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。
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公开(公告)号：CN112513324B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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公开(公告)号：CN110592558B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910505338.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。
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公开(公告)号：CN111164739A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880064580.7
申请日：2018-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/505 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 本发明的一实施方式的等离子体处理方法在基片被载置于腔室主体的内部空间之中的支承台上的状态下被执行。在该等离子体处理方法中，对基片实施等离子体处理。接着，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使为了进行等离子体处理而生成的等离子体不消失的情况下使支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大。然后，在停止了高频的供给的状态下，使用排气装置，将腔室主体的内部空间之中的气体和颗粒排出。
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