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公开(公告)号：CN112346303A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010736750.0
申请日：2020-07-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：遮罩部件，其配置成包围由旋转保持部保持的基片的周围；收集部件，其配置于遮罩部件与旋转保持部之间的排气路径；和溶剂供给部，其配置在收集部件的上方，构成为能够对收集部件供给溶剂。溶剂供给部包括：内侧贮存室，其构成为当从上方观察时包围基片的周围；外侧贮存室，其构成为当从上方观察时包围内侧贮存室的周围；和分隔壁，其以划分出内侧贮存室和外侧贮存室的方式沿周向延伸。多个连通孔以被导入到外侧贮存室的溶剂能够向内侧贮存室流通的方式贯通分隔壁地形成。多个滴落孔以内侧贮存室内的溶剂能够向收集部件滴落的方式贯通内侧贮存室的底壁地形成。本发明能够有效地除去棉状块。
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公开(公告)号：CN117339808A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310736663.9
申请日：2023-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明涉及液处理装置。抑制由基板的旋转涂布处理时产生的异物导致的排气路径的堵塞。一种液处理装置，其在基板上涂布涂布液，其中，液处理装置具备：基板保持部，其保持基板并使之旋转；涂布液供给部，其向被基板保持部保持的基板涂布涂布液；以及杯，其包围被基板保持部保持的基板，杯具有：外杯部，其配置于基板保持部的外侧；内杯部，其配置于外杯部的内周侧且是基板保持部的下方，具有向下方延伸的壁体；排气路径，其设于外杯部与内杯部之间；以及涂布液收集部，其设有供排气流穿过的多个开口部，在内杯部的壁体的下方，在与壁体的下端之间空开间隙地向下方延伸，液处理装置具备向涂布液收集部供给涂布液的溶剂的溶剂供给部。
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公开(公告)号：CN111524852A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010069376.3
申请日：2020-01-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/027 , G03F7/16
摘要： 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置是使用处理液处理基片的基片处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；处理液供给机构，其至少具有收纳处理液的处理液容器和用于将上述处理液容器的处理液供给到基片的液供给通路；释放部，其对因上述保持旋转部而旋转的基片释放从上述液供给通路供给的处理液；获取上述处理液供给机构中的压力信息的压力信息获取部；和基于由上述压力信息获取部获取的压力信息，控制上述保持旋转部的转速的控制部。本发明能够进行各个基片的膜厚的改变少的良好的涂敷处理。
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公开(公告)号：CN110164793B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201910110985.6
申请日：2019-02-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明能够不降低生产性而除去在旋涂时产生的抗蚀剂液的异物。抗蚀剂涂敷装置(32)包括：保持晶片(W)并使其旋转的旋转吸盘(121)；对由旋转吸盘(121)保持的晶片(W)涂敷涂敷液的涂敷液供给喷嘴(154)；包围被旋转吸盘(121)保持的晶片(W)地配置于旋转吸盘(121)的外侧的罩(125)；设置在旋转吸盘与罩(125)的内周面之间的排气路径(d)；收集部件(181)，其覆盖排气路径(d)地设置在排气路径(d)的上方，具有在上下方向连通的开口部(181a)；供给溶剂的溶剂供给喷嘴(158)；和中继部(180)，其位于收集部件(181)的上方，从罩(125)的内周面向收集部件(181)突出。
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公开(公告)号：CN115298801A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021928.6
申请日：2021-03-15
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/08 , B08B3/02 , H01L21/304
摘要： 一种清洗用治具，该清洗用治具呈圆盘状，用于在向配置于容器内的旋转保持装置所保持的基板上供给处理液并通过所述基板的旋转来在所述基板上形成所述处理液的膜的旋转涂布装置中，在与基板同样地保持在所述旋转保持装置的状态下清洗所述容器内，在所述清洗用治具的周缘部整周地形成有周缘顶部和周缘底部，在所述周缘顶部与周缘底部之间整周地形成有喷出口，在所述周缘底部沿周向隔开间隔地形成有多个通往所述喷出口的孔，所述周缘顶部的下表面朝向外周上方倾斜。
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公开(公告)号：CN111524852B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202010069376.3
申请日：2020-01-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/027 , G03F7/16
摘要： 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置是使用处理液处理基片的基片处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；处理液供给机构，其至少具有收纳处理液的处理液容器和用于将上述处理液容器的处理液供给到基片的液供给通路；释放部，其对因上述保持旋转部而旋转的基片释放从上述液供给通路供给的处理液；获取上述处理液供给机构中的压力信息的压力信息获取部；和基于由上述压力信息获取部获取的压力信息，控制上述保持旋转部的转速的控制部。本发明能够进行各个基片的膜厚的改变少的良好的涂敷处理。
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公开(公告)号：CN114171428A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111024997.0
申请日：2021-09-02
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 喷嘴待机装置、液处理装置以及液处理装置的运转方法。喷嘴在喷嘴收容部待机并在顶端部吸入溶剂而形成液层时，即使喷出的处理液高粘度也能在顶端部形成溶剂的液层。包括：喷嘴收容部，包含以包围喷嘴顶端部的方式形成的内周面并与喷嘴的喷出口相对地形成排出口；溶剂喷出口，在喷嘴收容部内开口，使喷出的溶剂沿喷嘴收容部的内周面引导而自排出口排出，喷嘴收容部在排出口的上方侧在溶剂呈涡流下落的部位具有缩径部，缩径部包括相对于喷嘴收容部的中心线的角度不同的第1内周面和第2内周面，在以包含喷嘴收容部的中心线的方式沿其剖切的剖面中，沿相对的各第1内周面延伸的两直线交点位于比当喷嘴的顶端部配置于缩径部时的喷嘴的喷出口靠上方。
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公开(公告)号：CN109119361A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810650221.1
申请日：2018-06-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 新村聪
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： G03F7/162 , B05C11/08 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/68785 , H01L21/67011
摘要： 本发明提供一种在向晶片供给抗蚀剂液并且使晶片旋转进行处理时，将晶片的气氛排气，将从晶片甩落的处理液排液的液处理装置中，除去附着在液处理装置内的固体成分的技术。在向旋转的晶片(W)供给抗蚀剂液进行处理的抗蚀剂涂敷装置中，在罩体(2)的内部的底面(26)设置有具有凹凸图案的液扩散部(5)，该罩体(2)用于使因晶片(W)的旋转而飞散的抗蚀剂液在底面(26)流动来进行排液。因此，在向液扩散部(5)供给了溶解处理液的固体成分的溶剂时，使溶剂的流域的面积扩大并且延长使溶剂滞留的滞留时间。因此，附着在罩体(2)内的抗蚀剂液的固体成分容易与溶剂接触，因此容易被溶解除去。
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公开(公告)号：CN101996859A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010262548.5
申请日：2010-08-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/4485
摘要： 本发明提供一种药液的气化效率高、且能向基板供给高浓度的疏水化气体、还能抑制药液发生变质的疏水化处理装置、疏水化处理方法以及存储介质。疏水化处理装置包括：气化面形成部，其表面位于气化室内；气化面加热部件，其用于加热该气化面形成部；药液供给口，其用于将疏水化处理用的药液供给到上述气化面形成部的表面上；气体导入口，其用于将载气导入上述气化室内；引出口，其用于引出疏水化气体；处理容器，其用于将自上述引出口供给的疏水化气体供给到基板上。利用该结构能够将高浓度的疏水化气体供给到基板上，且由于在不进行处理时所贮存的药液不会与载气接触，因此能够抑制药液变质。
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公开(公告)号：CN117339809A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310737045.6
申请日：2023-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明涉及液处理装置。抑制由基板的旋转涂布处理时产生的异物导致的排气路径的堵塞。一种在基板上涂布涂布液的液处理装置，其具备：基板保持部，其保持基板并使之旋转；涂布液供给部，其向被保持的基板涂布涂布液；和杯，其包围被保持的基板，杯具有：外杯部，其配置于基板保持部的外侧；内杯部，其配置于外杯部的内周侧且是基板保持部的下方，具有向下延伸的壁体；排气路径，其设于外杯部与内杯部之间；筒状壁部，其设于内杯部之下，具有与排气路径连通的向上开口的排气口；和涂布液收集部，其在内杯部的壁体之下在与壁体的下端之间空开间隙地配置，该装置具备向涂布液收集部供给涂布液的溶剂的溶剂供给部，涂布液收集部固定于筒状壁部。
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