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公开(公告)号：CN102376546B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110225012.0
申请日：2011-08-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： C23C16/52 , G03F7/16 , G03F7/162 , H01L21/67253
摘要： 本发明提供一种能够简便地对使液体的药剂汽化而获得的处理气体是否被供给到基板进行检测的汽化装置、基板处理装置、涂覆显影装置和基板处理方法。该基板处理装置具有该汽化装置，该涂覆显影装置具有该基板处理装置，公开的汽化装置包括：气体供给部，其将用于对被加热板汽化的药剂进行输送的载气向容器内供给；加热板，其配置在容器内，用于加热液体的药剂而使液体的药剂汽化；第1检测部，其对向容器内的载气的供给进行检测；第2检测部，其对利用加热板的液体的药剂的汽化进行检测。
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公开(公告)号：CN100580871C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710160027.7
申请日：2007-12-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种基板清洗装置，其不需要进行基板的反转，并且能够以不给基板的周边部造成损伤的方式对基板的背面进行清洗。基板保持装置(1)具备从背面支撑保持背面朝下状态的基板的2个基板保持单元(吸附垫(2)、旋转卡盘(3))，支撑的区域不重叠，同时在这些的基板保持单元之间进行基板交接。清洗部件(刷子(5))对由基板保持单元支撑的区域以外的基板的背面进行清洗，利用在2个基板保持单元之间交接基板，对基板的整个背面进行清洗。
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公开(公告)号：CN1323057A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01122126.7
申请日：2001-05-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/26
CPC分类号： H01L21/67253 , G03F7/168 , H01L21/67028 , Y10S414/135
摘要： 在对基片进行涂敷和显影处理的过程中,本发明包含步骤:给基片供应保护溶液而在基片上形成涂层;在基片经过不包含在该系统内的光刻器曝光处理之后在处理区对基片进行显影处理;在形成涂层的步骤之后和在曝光处理之前将基片送入所述腔室,此后减小该气密密封的腔室内的压力到预定的压力并持续预定时间,以便从腔室内的基片上去除附着在基片上的杂质,其中预定压力和预定时间根据测量到的处理区内的杂质密度进行调整。根据本发明,可以在曝光处理之前去除附着在基片的涂层上的分子级杂质比如水分、水蒸气、氧气、臭氧有机物等,和比如细小颗粒的杂质,所以曝光处理可以在更好的条件下进行而不被这些杂质所影响。因为用于减小压力的预定压力和预定时间,或者用于减小压力的速度根据在预定位置测量的杂质密度进行调节,所以附着在基片上的杂质比如水分、氧气等可以在根据附着杂质量的更合适的最小需求条件下去除。
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公开(公告)号：CN104812503B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380016312.5
申请日：2013-11-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/0271 , H01L21/02118 , H01L21/02337 , H01L21/31138 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68742
摘要： 在本发明中，在基板上形成图案时，在基板上形成至少包括两种聚合物的嵌段共聚物的膜，在溶剂蒸气氛围下对该嵌段共聚物的膜进行加热，使得嵌段共聚物相分离，除去被相分离的嵌段共聚物的膜中的一种聚合物，因此，能够促进嵌段共聚物的聚合物的流动化，能够促进相分离。
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公开(公告)号：CN102593422A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210011633.3
申请日：2012-01-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： Y02E60/13
摘要： 本发明提供电极制造装置和电极制造方法。在制造电极时，在带状的基材的表面适当且有效地形成活性物质层。电极制造装置包括：放出辊，放出带状的金属箔；涂敷部，在金属箔的两面涂敷活性物质合剂；干燥部，使金属箔上的活性物质合剂干燥而形成活性物质层；卷取辊，卷取金属箔。干燥部具有在金属箔的长度方向上排列配置的多个杆式加热器，在多个杆式加热器的表面形成有熔敷膜，用于照射红外线。干燥部被分割成多个区域。各个区域中的熔敷膜与在该各个区域中的活性物质合剂中的水的膜厚相对应地被设定成活性物质合剂不沸腾的范围内的熔敷膜，并被设定成如下这样的熔敷膜：辐射率在与水对红外线的最大吸收率相对应的辐射率中具有最大的辐射率。
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公开(公告)号：CN102376546A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110225012.0
申请日：2011-08-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： C23C16/52 , G03F7/16 , G03F7/162 , H01L21/67253
摘要： 本发明提供一种能够简便地对使液体的药剂气化而获得的处理气体是否被供给到基板进行检测的气化装置、基板处理装置、涂覆显影装置和基板处理方法。该基板处理装置具有该气化装置，该涂覆显影装置具有该基板处理装置，公开的气化装置包括：气体供给部，其将用于对被加热板气化的药剂进行输送的载气向容器内供给；加热板，其配置在容器内，用于加热液体的药剂而使液体的药剂气化；第1检测部，其对向容器内的载气的供给进行检测；第2检测部，其对利用加热板的液体的药剂的气化进行检测。
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公开(公告)号：CN101930184A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010250988.9
申请日：2006-08-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30 , H01L21/677 , H01L21/00
CPC分类号： G03D5/04 , G03F7/30 , G03F7/3021 , H01L21/6715 , H01L21/67748 , Y10S134/902
摘要： 本发明中，处理容器内排列设置有与处理容器的外部之间进行基板的传递的基板传递部和进行基板的显影的显影处理部，并设置有在基板传递部与显影处理部之间以从两侧对基板的外侧面进行夹持的状态进行基板的输送的输送机构。在基板传递部与所述显影处理部之间且基板输送路径的上方，设置有向基板供给显影液的显影液供给喷嘴、以及向基板吹喷气体的气体吹出喷嘴，显影处理部中设置有向基板供给清洗液的清洗液供给喷嘴。根据本发明，是在对基板的外侧面进行夹持的状态下进行基板的输送，因而污染不会扩散，可抑制处理容器内产生微粒。
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公开(公告)号：CN1319122C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN02825983.1
申请日：2002-10-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/67109
摘要： 热处理装置，用来对表面形成有涂布膜的基板(W)进行热处理；具有：将基板保持成大致水平的保持部件(34)，容纳被保持在该保持部件上的基板的腔室(30)，具有透气性的、在腔室内配置在被上述保持部件保持的基板的上方以能够对形成于基板上的涂布膜直接进行加热的热板(31)，以及，设在腔室的顶面上的、对上述腔室的内部进行排气的排气口(33)；在涂布膜被热板加热时产生自上述涂布膜的气体，透过热板后排放到上述腔室外。根据该热处理装置，涂布膜的均匀性提高，其结果，不仅能够提高CD均匀性，而且能够改善LER特性而得到具有平整侧面的图案。
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公开(公告)号：CN1908819A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610109163.9
申请日：2006-08-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30 , H01L21/027
摘要： 本发明中，处理容器内排列设置有与处理容器的外部之间进行基板的传递的基板传递部和进行基板的显影的显影处理部，并设置有在基板传递部与显影处理部之间以从两侧对基板的外侧面进行夹持的状态进行基板的输送的输送机构。在基板传递部与所述显影处理部之间且基板输送路径的上方，设置有向基板供给显影液的显影液供给喷嘴、以及向基板吹喷气体的气体吹出喷嘴，显影处理部中设置有向基板供给清洗液的清洗液供给喷嘴。根据本发明，是在对基板的外侧面进行夹持的状态下进行基板的输送，因而污染不会扩散，可抑制处理容器内产生微粒。
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公开(公告)号：CN1266741C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN02817255.8
申请日：2002-07-01
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/67253 , B05C5/0216 , B05C5/0291 , B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715
摘要： 预先对与制品用基板相同的基板以喷嘴边进行扫描边供给涂布液以形成涂布液的线，对其例如以CCD摄像头进行摄像以求取涂布液的接触角，依据该接触角利用几何模型求取进行实际涂布时的扫描速度下的涂布液喷嘴的喷吐流量与间距容许范围二者的关系数据。并且，预先针对每种目标膜厚制作出涂布液喷嘴的喷吐流量与间距二者的关系数据，依据两者的关系数据确定间距。
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