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公开(公告)号:CN108291298A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201680060205.6
申请日:2016-08-12
申请人: 联邦科学及工业研究组织
CPC分类号: C23C16/26 , C23C16/4485 , C23C16/463 , H01M4/583
摘要: 本发明涉及制备高品质石墨烯的方法。具体地讲,本发明涉及可用可再生生物质作为碳源在周围空气或真空环境进行的单步骤热方法。具体地讲,本发明包括将金属基材和碳源在密封周围环境加热到从碳源产生碳蒸气使得蒸气与金属基材接触的温度,保持该温度至足以形成石墨烯晶格的时间,然后以可控的速率冷却基材,以形成沉积石墨烯。
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公开(公告)号:CN106868473B
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201710049239.1
申请日:2017-01-23
申请人: 江苏菲沃泰纳米科技有限公司
发明人: 宗坚
IPC分类号: C23C16/517 , C23C16/448 , C09D4/00 , C09D4/02 , C09D171/02
CPC分类号: C09D4/00 , C09D171/02 , C23C16/4485 , C23C16/517
摘要: 一种梯度递减结构防液涂层的制备方法,属于等离子化学气相沉积技术领域。该方法中:首先将基材置于等离子体室的反应腔体内,对反应腔体连续抽真空,将反应腔体内的真空度抽到10‑200毫托,通入惰性气体或氮气;其次同时通入第一单体蒸汽、第二单体蒸汽、第三单体蒸汽;开启等离子体放电,进行化学气相沉积;放电结束,关闭等离子体电源,停止通入第一单体蒸汽、第二单体蒸汽、第三单体蒸汽,持续抽真空,保持反应腔体真空度为10‑200毫托1‑5min后通入大气至一个大气压,然后取出基材即可。本发明通过同时通入单体蒸汽,并控制单体蒸汽的流量以不同的速率递减,制得的涂层结构韧性硬度为梯度变化,可降低应力开裂、变形,同时拥有较好的阻隔防护性能。
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公开(公告)号:CN107338476A
公开(公告)日:2017-11-10
申请号:CN201710639970.X
申请日:2017-07-31
申请人: 武汉工程大学
IPC分类号: C30B29/36 , C30B29/64 , C30B25/00 , C23C16/448 , C23C16/511 , C23C16/32
CPC分类号: C30B29/36 , C23C16/32 , C23C16/4485 , C23C16/511 , C30B25/00 , C30B29/64
摘要: 本发明公开了一种在MPCVD制备碳化钼晶体时利用在直流电弧引入钼源的方法,包含如下步骤:将两根清洗后的纯钼杆插入反应腔内上法兰的绝缘孔中,并将两根纯钼杆上端分别与直流电源的正电极端以及负电极端相连接;将硅衬底放入反应腔内的基片台上,对腔体抽真空;向反应腔腔体通入氢气,并调节微波功率和气压直至等离子体稳定,通入反应气体甲烷;打开直流电源,调节电压值,使得两根纯钼杆电极之间产生弧光放电,向微波等离子体中引入钼;待反应结束后,关机,取出样品。本发明通过直流电弧放电产生的高温使金属钼从固态转变为气态,带入下方的微波等离子体中参与反应,解决了碳化钼制备过程中钼的引入问题,极大的提高了碳化钼的制备效率。
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公开(公告)号:CN106811734A
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201511007742.8
申请日:2015-12-29
申请人: 广东易能纳米科技有限公司
发明人: 肖桥兵
IPC分类号: C23C16/44 , C23C16/02 , C23C16/448 , C23C16/56 , C11D1/83 , C11D3/60 , C11D3/06 , C11D3/08 , C11D3/20 , C11D3/36 , C09D175/04 , C09D163/00 , C09D5/08 , C09D7/12
CPC分类号: C23C16/44 , C08L2205/035 , C09D5/08 , C09D7/63 , C09D7/65 , C09D163/00 , C09D175/04 , C11D1/12 , C11D1/667 , C11D1/83 , C11D3/06 , C11D3/08 , C11D3/2068 , C11D3/362 , C23C16/0227 , C23C16/4485 , C23C16/4488 , C23C16/56 , C08L63/00 , C08L83/12 , C08L75/04
摘要: 本发明涉及家电防水技术领域,具体涉及一种家电纳米防水膜的制备方法,包括以下步骤:1)对待镀膜的家电面板进行超声清洗,然后烘干,所述超声清洗2)将待镀膜的家电面板放入真空镀膜室,加热并抽真空;3)将镀膜原材料放入蒸发室,继续抽真空,镀膜原材料加热升华;4)连通蒸发室与裂解室,镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体;5)活性单体进入真空镀膜室,最后沉积在家电待镀膜表面,得到防水膜层,具有有防水效果好、镀膜成本低、透气性好的特点,并且热稳定性能好,能有效延长家电的使用寿命,减少社会的资源浪费。
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公开(公告)号:CN102712994B
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201080060061.7
申请日:2010-12-24
申请人: 韩商SNU精密股份有限公司
IPC分类号: C23C14/24
CPC分类号: C23C16/4485 , B01D1/0017 , B01D1/0082 , C23C14/24 , C23C14/543 , C23C16/52
摘要: 本发明揭示一种汽化装置及其控制方法,包含:汽化坩埚(vaporization crucible),用以容置原料;汽化加热单元,用以藉由加热所述汽化坩埚而汽化所述原料;温度量测单元,用以量测所述汽化坩埚的温度;功率量测单元,用以量测所述汽化加热单元的施加功率;以及控制单元,用以根据所述温度量测单元的温度变化值与所述功率量测单元的功率变化值其中之任一者,控制所述原料的汽化量。所述汽化装置使用非接触式/电子方法,所述非接触式/电子方法藉由原料的汽化期间的温度变化值与功率变化值而量测汽化量。因此,因不同于接触式方法,汽化量量测单元并不直接接触原料气体,故可供应各种原料并可达成大量原料供应或长时间原料供应而不会使功能劣化。另外,因所述电子方法能够精确地量测汽化量,故可提高原料供应的精确度。
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公开(公告)号:CN103518146A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201280022430.2
申请日:2012-05-09
申请人: 旭硝子株式会社
CPC分类号: C23C16/448 , B05D1/60 , B05D5/083 , B05D2203/35 , B29D11/00865 , C03C17/30 , C03C2217/75 , C03C2218/152 , C23C16/30 , C23C16/4485 , C23C16/45561
摘要: 本发明的目的在于提供可制造高耐久性的含氟有机硅化合物薄膜并能够连续进行成膜工序的制造方法及制造装置。本发明提供含氟有机硅化合物薄膜的制造方法及可很好地用于所述制造方法的制造装置,其特征在于,依次包括以下的(a)~(c)的工序:(a)将加热容器内的含氟有机硅化合物升温至蒸镀开始温度的升温工序;(b)达到蒸镀开始温度后,对来自所述含氟有机硅化合物的蒸气进行排气的预处理工序;(c)向真空室内的基板上供给实施了所述预处理工序的含氟有机硅化合物的蒸气而形成含氟有机硅化合物薄膜的成膜工序。
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公开(公告)号:CN102712994A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201080060061.7
申请日:2010-12-24
申请人: 韩商SNU精密股份有限公司
IPC分类号: C23C14/24
CPC分类号: C23C16/4485 , B01D1/0017 , B01D1/0082 , C23C14/24 , C23C14/543 , C23C16/52
摘要: 本发明揭示一种汽化装置及其控制方法,包含:汽化坩埚(vaporization crucible),用以容置原料;汽化加热单元,用以藉由加热所述汽化坩埚而汽化所述原料;温度量测单元,用以量测所述汽化坩埚的温度;功率量测单元,用以量测所述汽化加热单元的施加功率;以及控制单元,用以根据所述温度量测单元的温度变化值与所述功率量测单元的功率变化值其中之任一者,控制所述原料的汽化量。所述汽化装置使用非接触式/电子方法,所述非接触式/电子方法藉由原料的汽化期间的温度变化值与功率变化值而量测汽化量。因此,因不同于接触式方法,汽化量量测单元并不直接接触原料气体,故可供应各种原料并可达成大量原料供应或长时间原料供应而不会使功能劣化。另外,因所述电子方法能够精确地量测汽化量,故可提高原料供应的精确度。
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公开(公告)号:CN101990583B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200880128603.2
申请日:2008-04-11
申请人: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC分类号: C23C14/24
CPC分类号: C23C16/4485 , C23C14/243 , F22B1/16
摘要: 一种均热装置,包括容器结构体、材料供给管(12)及加热装置(6)。容器结构体具有内容器(2)和外容器(1)。在外容器(1)中,填充有工作流体。将内容器(2)与外容器(1)的各自的上端部接合,并在内容器(2)与外容器(1)之间形成有中空部(4)。材料供给管(12)从容器结构体的外部到达内容器(2)的内表面。加热装置(6)配置于外容器(1)的底部。在内容器(2)的底面,形成有朝内容器(2)的内部侧突起的多个突起(10)和底面朝突起(10)的内侧凹陷、并可收纳汽化了的工作流体的凹部(11)。
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公开(公告)号:CN101319311B
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN200810092685.1
申请日:2004-04-05
申请人: 应用材料股份有限公司
发明人: 桑贾伊·D·亚达夫 , 上泉元 , 温德尔·T·布伦尼格
IPC分类号: C23C16/448 , H01L21/316
CPC分类号: C23C16/402 , C23C16/4485
摘要: 本发明揭示了淀积氧化硅于大面积基板上的方法及设备,本发明提供一种用来以至少每分钟3000埃()的速率将一电介质淀积到一至少约0.35平方米的大面积基板上的方法及设备。在一实施例中,该电介质为氧化硅。也提供一种大面积基板,其具有一层电介质被淀积于其上,该电介质层是利用一可达到每分钟超过3000埃的淀积速率来进行淀积,也提供一种制造该大面积基板的反应腔。
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公开(公告)号:CN102016118A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200980114046.3
申请日:2009-04-15
申请人: 皮考逊公司
IPC分类号: C23C16/455 , C30B25/08 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B25/16
CPC分类号: F16L53/00 , C23C16/4485 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , C23C16/45561 , Y10T137/6416
摘要: 一种诸如ALD(原子层淀积)设备的设备,其包括:前体源,所述前体源被配置成用于通过顺序的自饱和表面反应将材料淀积在淀积反应器中的被加热的基底上。所述设备包括:供入管线,所述供入管线用于将前体蒸汽从所述前体源供应到反应室中;以及结构件,所述结构件被配置成利用来自反应室加热器的热量阻止前体蒸汽在所述前体源和所述反应室之间凝结成液相或固相。本发明还提供了脉冲阀、前体源、前体盒以及方法。
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